专利名称：一种薄膜沉积设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及真空镀膜设备领域，特别是涉及一种薄膜沉积设备。
背景技术：
真空镀膜设备的使用广范分布于各行各业，所需镀膜基片种类繁多。在太阳能行业中，真空镀膜技术的使用遍及各个环节，使用的基片包括玻璃、金属、塑料及硅片等；所镀薄膜材料也是多种多样，如减反膜、导电膜、绝缘膜、硅基薄膜等；所使用的设备种类各不相同，如管式、板式、团簇式等等，方法有等离子体、分子束、磁控溅射、热蒸发等。因此为了使薄膜沉积工艺更为稳定亟需一种稳定的薄膜沉积设备
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种薄膜沉积设备，能够避免由于外部沾污原因造成的性能下降，提高了工艺的稳定性及重复性。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种薄膜沉积设备，包括基片预处理部分和薄膜沉积部分，所述基片预处理部分包括依次连通并由气动门隔开的基片装入腔室、表面处理腔室和烘干腔室；所述基片装入腔室、表面处理腔室和烘干腔室间由传递装置对装有基片的基片挂架进行传送；所述薄膜沉积部分包括依次连通的预热腔、传递腔和薄膜沉积腔，所述预热腔与传递腔之间设有高真空插板阀；所述烘干腔室与预热腔相连通，所述烘干腔室与预热腔之间设有高真空插板阀；所述预热腔内设有基片挂架，所述烘干腔室内设有将基片挂到预热腔内的基片挂架上的机械手；所述传递腔内设有用于将预热腔内的基片送入薄膜沉积腔的三维旋转机械手；所述预热腔还分别与充氮装置和抽真空装置相连。所述薄膜沉积部分还包括与传递腔连通的取片腔。所述表面处理腔室包括一个稀酸槽和一个处理槽。所述烘干腔室内设有热高纯氮气风刀；所述热高热高纯氮气风刀与机械手之间设有隔断门。所述薄膜沉积腔中装有基片加热装置，所述基片加热装置上带有用于固定基片的插槽。所述薄膜沉积腔采用等离子体方法、磁控溅射法或电感法乘积薄膜。所述薄膜沉积腔采用不锈钢材料或铝材料制成。所述基片挂架顶部设有T型连接件；所述T型连接件与所述传递装置相连。有益效果由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果本实用新型可实现薄膜材料的连续沉积，可在同一设备的不同腔室中连续镀制不同类型的薄膜材料，可对基片两面在不破真空情况下进行镀膜，整套电池工艺在密闭或真空环境中完成，避免由于外部沾污原因造成的性能下降，提高了工艺的稳定性及重复性。
图I是本实用新型中基片预处理部分俯视示意图；图2是本实用新型中薄膜连续沉积部分俯视示意图；图3是本实用新型中基片挂架侧视示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。本实用新型的实施方式涉及一种薄膜沉积设备，包括基片预处理部分和薄膜沉积部分。基片预处理部分由三个腔室组成基片装入腔室I、表面处理腔室2、烘干腔室3，三个腔室间由传递装置对装有基片的基片挂架进行传送，腔与腔之间由气动门隔开；薄膜沉积部分主要用于薄膜沉积，由预热腔6、传递腔7、薄膜沉积腔8等组成。如图I所示，所述基片预处理部分包括依次连通并由气动门隔开的基片装入腔室
I、表面处理腔室2和烘干腔室3 ;所述基片装入腔室I、表面处理腔室2和烘干腔室3间由传递装置对装有基片的基片挂架10进行传送。其中，表面处理腔室2和烘干腔室3还设有检修口 4，以便于维修方便。基片装入腔室I用于装入基片并与外界隔离，基片放置于基片挂架10上，基片挂架10上可放置多片基片，基片数量依设备情况而定，基片材料可以是玻璃、硅片、塑料或金属薄片，基片尺寸以实际需求而定；基片挂架10通过其上部的T型连接件11 (见图3)与传送装置连接，并通过传送装置将基片挂架10传送至下一工艺环节。表面处理腔室2用于基片表面预处理，包括一个稀酸槽、一个温水槽或其它因工艺需求的处理槽。烘干腔室3用于基片表面烘干，采用热风刀方式，此腔室还配有一只机械手用于预热腔间的基片交接。如图2所示，所述薄膜沉积部分包括依次连通的预热腔6、传递腔7和薄膜沉积腔
8。所述预热腔6与传递腔7之间设有高真空插板阀；所述烘干腔室3与预热腔6通过接口5相连通，所述烘干腔室3与预热腔6之间设有高真空插板阀；所述预热腔6内设有基片挂架10，所述烘干腔室3内设有将基片挂到预热腔6内的基片挂架10上的机械手；所述传递腔7内设有用于将预热腔6内的基片送入薄膜沉积腔8的三维旋转机械手；所述预热腔6还分别与充氮装置和抽真空装置相连。所述薄膜沉积部分还包括与传递腔7连通的取片腔9。预热腔6用于给基片预加热，主要目的是去除基片表面吸附的水汽。传递腔7用于将基片从预热腔中取出送入薄膜沉积腔中或对基片进行翻面，基片传送由传递腔7内的三维旋转机械手完成，该三维旋转机械手可进行三维旋转，旋转目的是为实现基片镀膜面选择。薄膜沉积腔8用于薄膜沉积，薄膜沉积腔8中装有基片加热装置，基片加热装置上带有插槽，插槽用于插入基片并固定基片，沉积薄膜方法采用等离子体或磁控溅射或电感方法。薄膜沉积腔8可采用不锈钢材料或铝材料制成。本实用新型的工艺步骤如下[0024]首先，将装有基片的基片挂架与基片装入腔室内的基片传递装置连接，基片传递装置将装有基片的基片挂架传递至表面处理腔室进行处理后，再传递到烘干腔室烘干；通过烘干腔室机械手将基片一片一片传入预热腔进行预热，经过预热的基片再经传递腔机械手传入薄膜沉积腔进行薄膜沉积，沉积完成后传入取片腔，待基片温度降至室温后取出。本实用新型具体实施过程，除将基片挂架装入基片装入腔及基片取出步骤外，其它工艺步骤均可由计算机界面程控完成。本实用新型具体实施如下I.打开基片装入腔门，将装有基片的基片挂架与基片装入腔室内的基片传递装置连接，关闭打开基片装入腔门，通过计算机界面程控选择所需的或重新调整的程序段，确认无误后启动程序。2.在程控下，基片挂架随传递装置到达表面处理腔室前，隔断门打开，基片挂架进 入表面处理腔室，隔断门关闭，表面处理腔室内部设有酸槽及喷淋温水槽，对不同基片进行有选择的表面处理。3.表面处理完成后，自动打开表面处理腔室与烘干腔室隔断门，基片挂架进入烘干腔室，表面处理腔室与烘干腔室隔断门关闭，烘干腔室设有热高纯氮气风刀及机械手，风刀及机械手间设有隔断门，以防止机械手受潮，风刀对基片表面进行吹干。4.风刀与机械手间隔断门打开，基片挂架进入机械手部位，隔断门关闭，给预热腔 冲入干燥氮气，压强达到大气压后，烘干腔室与预热腔间高真空插板阀打开，由烘干腔室的机械手将基片传入预热腔中基片挂架上，待所有基片传递完成后，烘干腔室与预热腔间高真空插板阀关闭。5.给预热腔抽高真空并开始加热，待达到要求后，预热腔与传递腔间高真空插板阀打开，传递腔中三维机械手将基片从预热腔中取出，放入四个薄膜沉积腔中的任意一个进行薄膜沉积，沉积完后由传递腔中机械手将基片取出，或者在传递腔中翻面后再放回薄膜沉积腔中进行薄膜沉积，也可依工艺要求将基片放入取片腔中，待温度降到室温后取出。不难发现，本实用新型可实现薄膜材料的连续沉积，可在同一设备的不同腔室中连续镀制不同类型的薄膜材料，可对基片两面在不破真空情况下进行镀膜，整套电池工艺在密闭或真空环境中完成，避免由于外部沾污原因造成的性能下降，提高了工艺的稳定性及重复性。
权利要求1.一种薄膜沉积设备，包括基片预处理部分和薄膜沉积部分，其特征在于，所述基片预处理部分包括依次连通并由气动门隔开的基片装入腔室(I)、表面处理腔室(2)和烘干腔室(3);所述基片装入腔室(I)、表面处理腔室(2)和烘干腔室间(3)由传递装置对装有基片的基片挂架(10)进行传送；所述薄膜沉积部分包括依次连通的预热腔￠)、传递腔(7)和薄膜沉积腔(8)，所述预热腔(6)与传递腔(7)之间设有高真空插板阀；所述烘干腔室(3)与预热腔(6)相连通，所述烘干腔室(3)与预热腔(6)之间设有高真空插板阀；所述预热腔(6)内设有基片挂架(10)，所述烘干腔室(3)内设有将基片挂到预热腔(6)内的基片挂架(10)上的机械手；所述传递腔(7)内设有用于将预热腔(6)内的基片送入薄膜沉积腔的三维旋转机械手；所述预热腔(6)还分别与充氮装置和抽真空装置相连。
2.根据权利要求I所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积部分还包括与传 递腔(7)连通的取片腔(9)。
3.根据权利要求I所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述表面处理腔室(2)包括一个稀酸槽和一个处理槽。
4.根据权利要求I所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述烘干腔室(3)内设有热高纯氮气风刀；所述热高热高纯氮气风刀与机械手之间设有隔断门。
5.根据权利要求I所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积腔(8)中装有基片加热装置，所述基片加热装置上带有用于固定基片的插槽。
6.根据权利要求I所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积腔(8)采用等离子体方法、磁控溅射法或电感法乘积薄膜。
7.根据权利要求I所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积腔(8)采用不锈钢材料或铝材料制成。
8.根据权利要求I所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述基片挂架(10)顶部设有T型连接件(11);所述T型连接件(11)与所述传递装置相连。
专利摘要本实用新型涉及一种薄膜沉积设备，包括基片预处理部分和薄膜沉积部分，基片预处理部分中基片装入腔室、表面处理腔室和烘干腔室间由传递装置对装有基片的基片挂架进行传送；薄膜沉积部分中预热腔与传递腔之间设有高真空插板阀；烘干腔室与预热腔相连通，烘干腔室与预热腔之间设有高真空插板阀；预热腔内设有基片挂架，烘干腔室内设有将基片挂到预热腔内的基片挂架上的机械手；传递腔内设有用于将预热腔内的基片送入薄膜沉积腔的三维旋转机械手；预热腔还分别与充氮装置和抽真空装置相连。本实用新型能够避免由于外部沾污原因造成的性能下降，提高了工艺的稳定性及重复性。
文档编号C23C16/54GK202626284SQ20122006141
公开日2012年12月26日 申请日期2012年2月23日 优先权日2012年2月23日
发明者刁宏伟, 彭铮, 李媛媛, 王巍 申请人:上海中智光纤通讯有限公司