专利名称：一种用于etp pecvd等离子体发生器的水冷铜板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于扩展等离子体发生器中水冷铜板的结构，属于高端PECVD装备领域。
背景技术：
ETP PECVD技术具有高沉积率(可达20nm/s)、SiH4气源利用率高(只是辉光放电PECVD技术的一半)和操作简单等优点。该技术广泛用于太阳能电池片制造工艺中减反射薄膜的制备。在扩展热等离子体发生装置中输入功率只有很少一部分用于产生等离子体，大部分是通过热传导或辐射形式消耗掉。因此导致等离子源各部分(包括阴极放电腔室、等离子体输运通道和阳极底座)承受很高的热负荷。为了尽量减少等离子体源中器壁热烧蚀，通常必须设计水冷结构。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种用于扩展热等离子体发生装置中输运通道及其水冷结构，该装置具有制作简单、成本低和使用安全等优点。为达到上述目的，本新型的水冷铜板采用的解决方案是由水冷铜板和水冷铜管构成。所述的水冷铜板的中心位置设置有用于等离子体输运的通道孔。所述的水冷铜板为圆柱形，在外圆柱面上加工有环形水冷槽，水冷铜管焊接在环形水冷槽中。水冷铜板厚度为2-5毫米，直径为10-20毫米，通道孔的直径在2_10毫米。本实用新型具有如下效果由于在水冷铜板外侧设有环形水冷槽，水冷铜管焊接在水冷槽上。水冷槽的使用能保证在大功率下等离子体的产生和减少水冷铜板的热烧蚀，从而有效提高等离子体源中氩气气体的离化率、反应气体的分解率，进而提高薄膜沉积气体的利用率。
图I为本实用新型的纵剖视图；图2为本实用新型的主视图；图中I 一水冷铜板 101—等离子体输运通道孔 102—环形水冷槽2—水冷铜管。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。[0013]如图I、图2所示，本实用新型水冷铜板I和水冷铜管2构成。水冷铜板I的中心区域设置有等离子体输运通道孔101，外圆柱面上加工有一环形水冷槽102，水冷铜管2通过焊接方式固定在环形水冷槽102中。铜板厚度为2-5毫米，直径为10-20毫米，通道孔的直径在2_10毫米。·
权利要求1.一种用于ETP PECVD等离子体发生器的水冷铜板，其特征在于由水冷铜板和水冷铜管构成。
2.根据权利要求I所述的一种用于ETPPECVD等离子体发生器的水冷铜板，其特征在于所述的水冷铜板的中心位置设置有用于等离子体输运的通道孔。
3.根据权利要求I所述的一种用于ETPPECVD等离子体发生器的水冷铜板，其特征在于所述的水冷铜板为圆柱形，在外圆柱面上加工有环形水冷槽，水冷铜管焊接在环形水冷槽中。
4.根据权利要求I所述的一种用于ETPPECVD等离子体发生器的水冷铜板，其特征在于水冷铜板厚度为2-5毫米，直径为10-20毫米，通道孔的直径在2-10毫米。
专利摘要本实用新型涉及种用于扩展等离子体发生器中水冷铜板的结构，属于高端PECVD装备领域。由水冷铜板和水冷铜管构成。所述的水冷铜板的中心位置设置有用于等离子体输运的通道孔。所述的水冷铜板为圆柱形，在外圆柱面上加工有环形水冷槽，水冷铜管焊接在环形水冷槽中。本实用新型具有如下效果由于在铜板外侧设有环形水冷槽，水冷铜管焊接在水冷槽上。水冷槽的使用能保证在大功率下等离子体的产生和减少铜板的热烧蚀，从而有效提高等离子体源中氩气气体的离化率、反应气体的分解率，进而提高薄膜沉积气体的利用率。
文档编号C23C16/44GK202730226SQ20122027556
公开日2013年2月13日 申请日期2012年6月13日 优先权日2012年6月13日
发明者芶富均 申请人:芶富均