专利名称：一种喷淋头气体导流装置的制作方法
技术领域：
一种喷淋头气体导流装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种喷淋头的导流装置，具体涉及一种用于喷淋头内部气体扩散通道内的导流装置。
背景技术：
[0002]MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)设备，即金属有机物化学气相沉积设备，在半导体产业尤其是在LED产业中具有不可替代性的作用，是特别关键的设备。该设备集流体力学、热力传导、系统集成控制、化合物生长等各学科于一体，是一种高科技、新技术高度集中的设备；是突破产业发展瓶颈，提高产业化水平的战略性高技术半导体装备。[0003]MOCVD通过使含有II族或III族元素的金属有机物源(MO)与含有VI族或V族元素的气体源在严格控制的条件下在晶片表面上反应、生长得到所需要的化合物半导体材料。 一种典型的MOCVD反应器结构如图I所示。反应器上部为喷淋头，喷淋头顶端为气体、冷却液接入端101、102、103，其气体接口 A 101连接第二前体气体供应管道，第二前体气体为含有III族元素有机物(如三甲基镓)的气体；气体接口 B 102连接第一前体气体供应管道，第一前体气体为含有V族元素的气体(如氨气);冷却液接口 103连接冷却系统，为整个气体喷淋头提供冷却、控温。反应器下方为反应尾气出口 106，用于排出反应腔109内部的废气及形成反应腔内部低压。喷淋头的正下方装有晶片衬托器108、晶片衬托器108上方装载有进行沉积的晶片104 ;晶片衬托器108下方安装有加热装置105为晶片104加热，以使晶片 104处于反应所需要的温度下，并且在晶片104表面形成均匀热场。晶片衬托器108下方还连有旋转轴107，在反应时带动晶片衬托器108旋转。[0004]生长半导体材料的原料第一前体气体及第二前体气体都通过喷淋头注射进入反应室，因此喷淋头的性能直接影响到反应室内部流场的分布。气体由喷淋头外部的导管接入到喷淋头后通过内部预留的气体通道进入到喷嘴中，然后由喷嘴喷射进入反应室。因为各喷嘴距离反应前体气体进口的距离不同，所以各喷嘴出口处的压力不同；又由于制造方面的原因，各喷嘴的进口大小基本上是相同的，因此导致了各喷嘴中通过的气体总量实际上不能按所要求的流量分配方式分配。为了改善这种情况，当前的MOCVD喷淋头对每种前体气体入口都设置了 2个或更多的气体接入口，以削弱各喷嘴气体流量分布不均对薄膜沉积的影响。但是这种改良并不能完全消除上述影响，并且这种形式的喷淋头也不能使各喷嘴的气体分配按设计的更好的流量分配形式进行分配。实用新型内容[0005]本实用新型旨在克服现有技术的不足，提出一种能够使气体在喷淋头各喷嘴之间的流量按设计分配的喷淋头导流装置。[0006]为了达到上述目的，本实用新型提供的技术方案为[0007]所述喷淋头气体导流装置包括圆形导流板本体8，所述圆形导流板本体8上设有多个大小不同的导流孔7。导流孔7的面积大小可根据气体流量控制来设计，即，通过改变导流孔7的面积来控制穿过导流孔7的气体流量。[0008]另外，所述圆形导流板本体8上的多个大小不同的导流孔7与喷淋头的多个喷嘴一一对应。其中，导流孔7的形状以长条形为基础，可以设计为其他异型孔等；[0009]优选地，所述导流孔7为长条形或异型孔。[0010]优选地，所述导流孔7面积由圆形导流板本体8两边至中间逐渐变大。[0011]下面结合设计原理对本发明做进一步说明[0012]参见图2和图3，典型的MOCVD装置的喷淋头包括喷气组件10和装在喷气组件10 上的进气组件9 ;所述喷气组件10和进气组件9之间设有环形气体扩散通道I和气体扩散空间5 ;所述进气组件9两侧设有第一气体入口 6 ;所述第一气体入口 6与环形气体扩散通道I连通，环形气体扩散通道I与设置于喷气组件10上的多个A喷嘴2连通；所述进气组件9上还设有第二气体入口 3，第二气体入口 3与气体扩散空间5连通，气体扩散空间5与设置于喷气组件10上的多个B喷嘴4连通。[0013]工作时，当第二前体反应气体由第二气体入口进入气体扩散空间，在气体扩散空间中，由于反应气体在经过每个喷嘴时其总量必将减少，这将导致压力的变化；并且反应气体在扩散空间中还存在沿程压力损失。由于压力不同，进入各喷嘴的气体总量不同，从而导致最后各喷嘴喷射出去的气体不均匀。[0014]为此，设计本申请的导流装置，该导流装置包括圆形导流板本体，该导流板本体上开有按要求设计的不同大小的长条形导流孔，在上述典型的MOCVD装置的喷淋头中，所述导流装置安装于气体扩散空间中，即，第二气体入口与B喷嘴之间。所述的圆形导流板上设有一系列与B喷嘴对应的导流孔，离前体气体入口最近的喷嘴入口对应的导流孔面积最小，离前体气体入口最远的喷嘴入口对应的导流孔面积最大。安装有导流板后，反应气体需要先经过导流板导流后才进入喷嘴。因为通过精细的计算之后，导流板针对各喷嘴设计了面积不同的导流孔，因此可以使各气体喷嘴之间气体的分配比例最佳，保证各喷嘴的喷射气体的均匀性。从而起到优化反应室内部流场的功能。[0015]喷淋头内部安装有导流板后，可以实现对喷淋头各喷嘴气体流量的精确分配；使各喷嘴喷射进入反应腔室的气体流量能够更好的满足工艺需求，为沉积具有优良性能的半导体薄膜材料打下基础。[0016]与现有技术相比，本实用新型的有益效果为[0017]本实用新型的喷淋头导流装置，能够使气体在喷淋头各喷嘴之间的流量按设计分配，克服了原喷淋头不能控制各喷嘴喷射的气体流量的缺点。[0018]导流装置上开有按要求设计的不同大小的长条形导流孔。该导流装置使各喷嘴进口对应不同大小的导流孔，从而起到调节喷嘴进口进气流量的作用。[0019]该导流装置也可以设计成具有不同通气能力的区域，这样可以使喷淋头内部不同区域具有不同的流量。[0020]综上，使用本实用新型能够使喷淋头内部反应前体气体的总流量按设计要求在各喷嘴之间均匀分布。从而能够使喷淋头喷射进入到反应室的反应前体气体气流能够更好的满足薄膜沉积要求。
[0021]图I为一种典型的MOCVD反应器结构图；[0022]图2为MOCVD装置喷淋头的立体剖视图；[0023]图3为MOCVD装置喷淋头喷射组件的立体剖视图；[0024]图4为本实用新型的立体图。[0025]图中1、环形气体扩散通道；2、A喷嘴；3、第二气体入口 ；4、B喷嘴；5、气体扩散空间；6、第一气体入口 ；7、导流孔；8、圆形导流板本体；9、进气组件；10、喷气组件；101、气体接口 A ;102、气体接口 B ;103、冷却液接口 ；104、晶片；105、加热装置；106、反应尾气出口 ； 107、旋转轴；108、晶片衬托器；109、反应腔。
具体实施方式
[0026]实施例I[0027]参见图4，所述喷淋头气体导流装置包括圆形导流板本体8，所述圆形导流板本体 8上设有多个大小不同的导流孔7 ;所述圆形导流板本体8上的多个大小不同的导流孔7与喷淋头的喷嘴一一对应；所述导流孔7为长条形；所述导流孔7面积由圆形导流板本体8两边至中间逐渐变大。[0028]实施例2[0029]参见图2至图4，一种MOCVD装置的喷淋头包括喷气组件10和装在喷气组件10上的进气组件9 ;所述喷气组件10和进气组件9之间设有环形气体扩散通道I和气体扩散空间5 ;所述进气组件9两侧设有第一气体入口 6 ;所述第一气体入口 6与环形气体扩散通道 I连通，环形气体扩散通道I与设置于喷气组件10上的多个A喷嘴2连通；所述进气组件9 上还设有第二气体入口 3，第二气体入口 3与气体扩散空间5连通，气体扩散空间5与设置于喷气组件10上的多个B喷嘴4连通。所述气体扩散空间5中设有包括圆形导流板本体 8的导流装置，所述圆形导流板本体8上设有与多个B喷嘴4对应的导流孔7，所述导流孔 7的面积由喷淋头两侧至中间逐渐变大。[0030]按照专利法律规定的要求，本实用新型使用实施实例详细的描述了所实用新型的具体结构及其处理方法的特征。然而，应当理解，所述实例只是为了更好的表述本实用新型的结构及特征，本实用新型并不限于本文中所显示及描述的特性。因此，本实用新型此处声明，对本实用新型的实施的各种形式的均等改变或变形均被包括于所附的权利要求书的保护范围内。权利要求1.一种喷淋头气体导流装置，其特征在于，所述导流装置包括圆形导流板本体(8)，所述圆形导流板本体(8)上设有多个大小不同的导流孔(7)。
2.如权利要求I所述的导流装置，其特征在于，所述圆形导流板本体(8)上的多个大小 不同的导流孔(7)与喷淋头的多个喷嘴一一对应。
3.如权利要求I所述的导流装置，其特征在于，所述导流孔(7)为长条形。
4.如权利要求I所述的导流装置，其特征在于，所述导流孔(7)为异型孔。
5.如权利要求I所述的导流装置，其特征在于，所述导流孔(7)面积由圆形导流板本体(8)两边至中间逐渐变大。
专利摘要本实用新型公开了一种能够使气体在喷淋头各喷嘴之间的流量按设计分配的喷淋头导流装置，该导流包括圆形导流板本体，所述圆形导流板本体在与喷嘴相对应的地方开有大小不一的孔，通过调整孔的大小，可以控制气体流量在各喷嘴之间的分布。本实用新型可使喷淋头内部气体按要求在各喷嘴之间分布。
文档编号C23C16/455GK202808939SQ20122040900
公开日2013年3月20日 申请日期2012年8月17日 优先权日2012年8月17日
发明者魏唯, 罗才旺, 武祥, 刘欣 申请人:中国电子科技集团公司第四十八研究所