专利名称：排气环的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体工艺设备，尤指一种导引气流排放的排气环。
背景技术：
排气环主要应用在嘉晶工艺中的化学气相沉积(Chemical VaporDeposition, CVD),于半导体工艺中，排气环通常会安装于一反应腔体内，并于反应腔体内通以大量反应气体而配合加热器的使用，对晶圆进行气相沉积，而进行完化学反应后的反应气体便会被该排气环收集并排出。已知的排气环如中国台湾实用新型专利第M413208号所揭示，包括有一环状腔体、一排气孔及多吸气孔，该环状腔体具有一底壁以及一相邻该底壁的内侧壁，该排气孔设置于该底壁，该吸气孔设置于该内侧壁，且与该底壁具有一间距，该间距小于该内侧壁的宽 度的一半。据此，该吸气孔与该排气孔于该环状腔体内部相连通，通过该吸气孔邻近该底面的设计，可有效吸引工艺中比重较大的反应气体。然而，在化学气相沉积工艺中，所使用的反应气体，主要用于产生化学反应而于一基板上进行磊晶成长，此种反应气体在排气环的导引下，会进入排气环的吸气孔，再由排气环的排气孔排出进行废气处理，因此，排气环在长期使用下，各种反应气体会逐渐于排气环的吸气孔形成磊晶堆积，导致堵塞该吸气孔，使排气环失去效用，故排气环于使用一段时间后，必须从反应腔体中拆除以进行清理或更换，而具有维护不便及增加设备成本的问题。
实用新型内容本实用新型的主要目的，在于解决已知排气环于进行清洁或更换时，必须从反应腔体中拆除，而具有维护不便及增加设备成本的问题。为达上述目的，本实用新型提供一种排气环，该排气环包含有一环状腔体、至少一可拆盖体以及多个排气孔，该环状腔体包含一顶壁、一与该顶壁相对的底壁以及一介于该顶壁与该底壁之间的气流通道，该顶壁具有至少一开口 ；该可拆盖体对应覆盖该开口，该可拆盖体上具有多个与该气流通道连通的吸气孔；该排气孔设置于该底壁上，该排气孔经由该气流通道而与该吸气孔相互连通。进一步地，顶壁包括一外缘及一自外缘相对气流通道延伸而形成一直立于顶壁上的导流环墙。进一步地，可拆盖体具有一沿着气流通道延伸并靠近导流环墙的外边以及一径向宽度，吸气孔与外边相距一小于径向宽度的一半的距离。进一步地，排气环还包括至少一对应设置于开口上且承载可拆盖体的支撑部。进一步地，支撑部围绕开口，且支撑部相对顶壁具有一厚度落差而形成一供可拆盖体的周缘抵靠的容置槽。进一步地，排气孔的孔径大于吸气孔的孔径。进一步地，环状腔体的纵向截面形状为选自于圆形、方形及椭圆形组成的群组中的其中一种。如此一来，本实用新型通过上述技术方案，至少具有下列优点I.当该吸气孔需进行清洁时，仅需拿下该可拆盖体，即可对该可拆盖体上的该吸气孔进行清洁，不必拆除整个该排气环，具有方便维护的优点。2.当该吸气孔堵塞无法清洁时，仅需更换该可拆盖体，不必更换整个该排气环，具有节省成本的优势。
图I为本实用新型一实施例的外观立体示意图。图2为本实用新型一实施例的结构分解示意图。·[0018]图3为本实用新型一实施例的使用状态示意图。
具体实施方式
有关本实用新型的详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下请搭配参阅图I及图2所示，分别为本实用新型一实施例的外观立体及结构分解示意图，如图所示，本实用新型为一种易清洁的排气环1，包含有一环状腔体10、至少一可拆盖体20以及多个排气孔30。该环状腔体10的纵向截面形状在此以一方形为例，但不以此为限制，还可为圆形、或椭圆形等，且该环状腔体10包含一顶壁11、一相对该顶壁11的底壁12以及一介于该顶壁11与该底壁12之间的气流通道13，该顶壁11具有至少一开口113，在此实施例中，该开口 113为六个，并呈环状排列于该顶壁11上，该可拆盖体20对应覆盖该开口 113，在此也以六个为例，并分别具有多个吸气孔21，该吸气孔21与该气流通道13连通，该排气孔30则设置于该底壁12，并具有一大于该吸气孔21的孔径，经由该气流通道13而与该吸气孔21相互连通。再进一步说明，于此实施例中，该顶壁11还包含一外缘111以及一导流环墙112，该导流环墙112由该外缘111相对该气流通道13延伸，而直立于该顶壁11。该可拆盖体20则进一步具有一外边22以及一径向宽度W，该外边22定义为沿着该气流通道13延伸并靠近该导流环墙112的一边，该径向宽度W为指该可拆盖体20依该环状腔体10的圆心朝外圈延伸的方向的宽度，要说明的是，该吸气孔21设于该可拆盖体20上，并与该外边22相距一小于该径向宽度W的一半的距离，因而靠近该导流环墙112，使得受该导流环墙112导引的气体，容易被该吸气孔21吸入。除此之外，该排气环I还包含至少一支撑部40，该支撑部40对应设置于该开口113，并围绕于该开口 113，用以承载该可拆盖体20，并且该支撑部40相对该顶壁11的表面具有一厚度落差，而沿着该开口 113的周围形成一容置槽41，供该可拆盖体20的一周缘抵靠，使该可拆盖体20得以稳固的放置于该容置槽41之中。请参阅图3所示,为本实用新型一实施例的使用状态示意图，如图所示,该排气环I于使用时，为安装于一进行化学气相沉积的反应腔体2之中，该反应腔体2包含一气体入口兀件3、一与该气体入口兀件3相对设置的基座4、至少一放置于该基座4上的基板5以及一设置于该基座4下的加热元件6，该排气环I则围绕设置于该基座4的周围，并以该排气孔30分别与一气体排放管线7连接，该气体排放管线7并连接至一真空泵(图未示)。[0024]当进行化学气相沉积时,至少一反应气体8由该气体入口元件3通入时,该反应气体8经由该气体入口元件3的导出口流至该反应腔体2中时，该反应气体8通过一化学反应而于该基板5上进行磊晶成长，由于该真空泵连接于该排气孔30，且持续进行一排气作业，使通过该气流通道13与该排气孔30连通的该吸气孔21，于该基座4的周围形成一压降，进而吸引该反应气体8于反应后由该基座4上逐渐朝外流动至该排气环1，而直接被吸入该吸气孔21，或者是受该导流环墙112的阻挡再导引吸入该吸气孔21，由该排气孔30排出，而达到有效排放该反应气体8的效果。再者，于该吸气孔21受该反应气体8磊晶堵塞时，还可直接取出该可拆盖体20进行清理或是更换，而不必将整个该排气环I从该反应腔体2中拆出。另外，尚需说明的是，进行化学气相沉积时，该反应腔体2中受该加热元件6的加热，成为一高温环境，且所通入的该反应气体8，大多具有侵蚀性，因此于本实施例中，该排气环I的该环状腔体10、该可拆盖体20以及该导流环墙112，皆以石墨制成，而具有耐高温、抗侵蚀的特性。 综上所述，由于本实用新型通过该可拆盖体的设计，使得当该排气环的该吸气孔堵塞时，仅需取出该可拆盖体进行清理或是更换，不需将整个该排气环从该反应腔体中拆出，具有方便维护及节省设备成本的优点，再者，该导流环墙的设置，还可辅助该反应气体流入该吸气孔，提高该排气环的排气效率，因此本实用新型极具进步性及符合申请实用新型专利的要件，随依法提出申请。以上已将本实用新型做一详细说明，然而以上所述者，仅为本实用新型的一优选实施例而已，当不能限定本实用新型实施的范围。即凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与修饰等，皆应仍属本实用新型的专利涵盖范围内。
权利要求1.一种排气环，其特征在于，所述排气环包含有 一环状腔体，所述环状腔体包含一顶壁、一与所述顶壁相对的底壁以及一介于所述顶壁与所述底壁之间的气流通道，所述顶壁具有至少一开口 ； 至少一对应覆盖所述开口的可拆盖体，所述可拆盖体上具有多个与所述气流通道连通的吸气孔；以及 多个设置于所述底壁上的排气孔，所述排气孔经由所述气流通道而与所述吸气孔相互连通。
2.根据权利要求I所述的排气环，其特征在于，所述顶壁包括一外缘及一自所述外缘相对所述气流通道延伸而形成一直立于所述顶壁上的导流环墙。
3.根据权利要求2所述的排气环，其特征在于，所述可拆盖体具有一沿着所述气流通道延伸并靠近所述导流环墙的外边以及一径向宽度，所述吸气孔与所述外边相距一小于所述径向宽度的一半的距离。
4.根据权利要求I所述的排气环，其特征在于，所述排气环还包括至少一对应设置于所述开口上且承载所述可拆盖体的支撑部。
5.根据权利要求4所述的排气环，其特征在于，所述支撑部围绕所述开口，且所述支撑部相对所述顶壁具有一厚度落差而形成一供所述可拆盖体的周缘抵靠的容置槽。
6.根据权利要求I所述的排气环，其特征在于，所述排气孔的孔径大于所述吸气孔的孔径。
7.根据权利要求I所述的排气环，其特征在于，所述环状腔体的纵向截面形状为选自于圆形、方形及椭圆形组成的群组中的一种。
专利摘要一种排气环，包含有一环状腔体、至少一可拆盖体以及多个排气孔。该环状腔体包含一顶壁、一相对该顶壁的底壁以及一介于该顶壁与该底壁之间的气流通道，该顶壁具有至少一开口；该可拆盖体对应覆盖该开口，并分别具有多个与该气流通道连通的吸气孔；该排气孔设置于该底壁，并经由该气流通道而与该吸气孔相互连通。据此，本实用新型通过该可拆盖体的设置，当该吸气孔堵塞需清洁时，可直接拿下该可拆盖体进行该吸气孔的清理，而具有方便维护的优点。
文档编号C23C16/44GK202786415SQ20122042261
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月23日 优先权日2012年8月23日
发明者崔炳斗 申请人:富强半导体有限公司