专利名称：用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能领域，尤其涉及用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备。
背景技术：
传统的等离子体气相沉积设备均采用外加热，因此热量利用不完全，并且传统的等离子体气相沉积设备控制比较困难，且难以达到需要的效果。
实用新型内容实用新型的目的为了提供一种镀膜效果好，节省加热能源的用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备与方法。为了达到如上目的，本实用新型采取如下技术方案用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，包含沉积室，沉积室内壁有传热管道，沉积室通过管道和外部连接，沉积室包含可开的一面门，沉积室内部有运动导轨以及压力传感器和温度传感器。本实用新型进一步技术方案在于，所述运动导轨有两根且平行分布。本实用新型进一步技术方案在于，所述运动导轨上有可以限制夹具运动位置的限位块。本实用新型进一步技术方案在于，所述传热管道均匀布置在沉积室内壁三面上。本实用新型进一步技术方案在于，所述沉积室外部有隔热材料组成的外壁。本实用新型的另外一种技术方案是用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积方法，其特征在于，包含如下步骤沉积准备过程； 预热沉积环境150_250°C ; 氩气起辉、清洗玻璃表面，用氩离子除掉玻璃表面的杂质；· P层沉积，通入甲烷，甲烷的主要作用是沉积出碳化硅，作为开窗层，打乱光谱，使得更多的光谱被吸收； 在不起辉的情况下通入30000Sccm的氢气，进行沉积完后的表面处理，打掉沉积过程中产生的弱键； 氢气起辉准备；第一次PIN沉积； 过渡层沉积； 本征层沉积；· N层第一次沉积；第二次PIN 沉积； 底电池P层(沉积)；[0024] 通入 10000sccmH2，并且电离；· P层微晶硅沉积，掺杂550sccm硼烷，12000sccmH2 ； 先通入15000sccmH2不电离，给下一步电离做环境准备； 通入12000sccm量H2,并且电离； 预先通入12000sccm H2，为底电池本征微晶层做准备； 本征层沉积，形成微晶层； 第二阶段本征层沉积； 第三阶段本征层沉积； 第四阶段本征层沉积；四次沉积过程会形成阶段性的均匀电阻；· N层非晶娃掺杂沉积,分两阶段进行,第一阶段是lOOOOsccm氢气流量,500sccm硼烷掺杂；第二阶段主要是掺杂离子沉积，提供形成电场后所需要的大量电子，为产生电流做好准备；沉积完成的沉积室环境处理； 抽空过程通入氩气，起到净化沉积室的作用； 充氩气状态下电离； 抽真空。本实用新型进一步技术方案在于，所述步骤沉积准备过程和第一次PIN沉积之间还有如下步骤，· 15500sccm H2对沉积表面进行清洗； 抽空过程通入500sccm氩气，起到净化沉积室的作用； 充氩气状态下电离； 抽真空； 充氢气状态下电离。本实用新型进一步技术方案在于，所述步骤沉积完成的沉积室环境处理中在抽真空完成后还包含如下步骤充氢气状态下电离，沉积室内通入氮气，平衡气压，降低室内温度。采用如上技术方案的本实用新型，具有如下有益效果镀膜效果好，节省加热能源，可以精确实现限位，使得整个装置运行稳定。
附图为实用新型的结构示意图；其中1.沉积室；2.运行导轨；3.屏蔽罩；4.压力传感器；5.温度传感器；6.电控部分；7.外壁支架。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施例进行说明，实施例不构成对本实用新型的限制用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，包含沉积室1，沉积室I内壁有传热管道， 沉积室I通过管道和外部连接，沉积室I包含可开的一面门，沉积室I内部有运动导轨2以及压力传感器4和温度传感器5。压力和温度可以方便传感，以采集内部数据，进行镀膜工艺的实际控制。通过管道可以调节内部气体成分和压力。本实用新型进一步技术方案在于，所述运动导轨2有两根且平行分布。所述运动导轨2上有可以限制夹具运动位置的限位块。用该限位块可以使得夹具的位置稳定固定，而使得整个装饰运行稳定。本设备还有充气口，外面配合智能化的充气装备。所述传热管道均匀布置在沉积室I内壁三面上。内部通的是加热油。本实用新型进一步技术方案在于，所述沉积室I外部有隔热材料组成的外壁。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本领域的技术人员应该了解本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的范围内。
权利要求1.用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，包含沉积室(1)，沉积室(I)内壁有传热管道，沉积室(I)通过管道和外部连接，沉积室(I)包含可开的一面门，沉积室(I)内部有运动导轨(2)以及压力传感器(4)和温度传感器(5)。
2.如权利要求1所述的用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，所述运动导轨(2)有两根且平行分布。
3.如权利要求1所述的用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，所述运动导轨(2)上有可以限制夹具运动位置的限位块。
4.如权利要求1所述的用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，所述传热管道均匀布置在沉积室(I)内壁三面上。
5.如权利要求1所述的用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，所述沉积室(I)外部有隔热材料组成的外壁。
专利摘要本实用新型涉及太阳能领域，尤其涉及用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备。本实用新型采取如下技术方案用于非晶硅电池沉积的等离子体气相沉积设备，其特征在于，包含沉积室，沉积室内壁有传热管道，沉积室通过管道和外部连接，沉积室包含可开的一面门，沉积室内部有运动导轨以及压力传感器和温度传感器。采用如上技术方案的本实用新型，具有如下有益效果镀膜效果好，节省加热能源，可以精确实现限位，使得整个装置运行稳定。
文档编号C23C16/50GK202898537SQ20122053615
公开日2013年4月24日 申请日期2012年10月19日 优先权日2012年10月19日
发明者陈五奎, 雷晓全, 王斌 申请人:陕西拓日新能源科技有限公司