壳体及其制作方法

文档序号:3288929阅读:103来源:国知局
壳体及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种壳体及该壳体的制作方法。该壳体包括基体及依次形成于基体表面的打底层、过渡层、及颜色层,该打底层为钛和M的混镀层,其中M选自铬、铝、或硅中的一种;该过渡层为氧化层,且所述氧化层为氧化铝层、氧化锆层、或二氧化硅层;该颜色层为钛铝氮层。该壳体的制作方法包括如下步骤:提供一基体;采用真空镀膜法在该基体的表面依次形成打底层、过渡层、及颜色层,该打底层为钛和M的混镀层,其中M选自铬、铝、或硅中的一种;该过渡层为氧化层,且所述氧化层为氧化铝层、氧化锆层、或二氧化硅层;该颜色层为钛铝氮层。
【专利说明】壳体及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种壳体及其制作方法,尤其涉及一种具有高硬度及釉瓷外观的壳体及其制造方法。
【背景技术】
[0002]现有技术,通常采用喷涂方式于电子产品的壳体表面形成紫色的装饰性膜层,以使壳体呈现出紫色釉感的外观。然而,由于喷涂技术本身的缺陷,喷涂形成的装饰性膜层难以具有高光泽性,使上述壳体无法呈现出如釉瓷般的细腻、通透、清洁等视觉或外观效果。此外,经喷涂形成的装饰性膜层硬度较低,易被刮伤。

【发明内容】

[0003]鉴于此,本发明提供一种易于制备的具有高硬度及釉瓷外观的壳体。
[0004]另外,本发明还提供一种上述壳体的制作方法。
[0005]一种壳体,其包括基体及依次形成于基体表面的打底层、过渡层、及颜色层,该打底层为钛和M的混镀层,其中M选自铬、铝、或硅中的一种;该过渡层为氧化层,且所述氧化层为氧化铝层、氧化锆层、或二氧化硅层;该颜色层为钛铝氮层。
[0006]一种壳体的制作方法, 其包括如下步骤:
提供一基体;
采用真空镀膜法在该基体的表面依次形成打底层、过渡层、及颜色层,该打底层为钛和M的混镀层,其中M选自铬、铝、或硅中的一种;该过渡层为氧化层,且所述氧化层为氧化铝层、氧化锆层、或二氧化硅层;该颜色层为钛铝氮层。
[0007]相较于现有技术,所述的壳体通过在基体表面依次镀覆一打底层、一过渡层、及一颜色层,通过该三层的综合作用,使所述壳体的表面光滑、润泽,呈现釉瓷般的质感。此外,该镀膜件具有较高的强度,不易被刮伤。
【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1是本发明一较佳实施例壳体的剖视图;
图2是本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。
[0009]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种壳体,其包括基体及依次形成于基体表面的打底层、过渡层、及颜色层,其特征在于:该打底层为钛和M的混镀层,其中M选自铬、铝、或硅中的一种;该过渡层为氧化层,且所述氧化层为氧化铝层、氧化锆层、或二氧化硅层;该颜色层为钛铝氮层。
2.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述基体的材质为模具钢、陶瓷、或不锈钢。
3.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述打底层的厚度为0.f0.3μπι ;该打底层中,钛的质量百分比为50~70%,M的质量百分比为30~50%。
4.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述过渡层的厚度为0.3^0.5 μ m0
5.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述颜色层的厚度为0.5~1μπι,且该颜色层呈紫色;该颜色层中,氮化钛的质量百分比为30-40%,氮化铝的质量百分比为60~70%。
6.一种壳体的制作方法,其包括如下步骤: 提供一基体; 采用真空镀膜法在该基体的表面依次形成打底层、过渡层、及颜色层,该打底层为钛和M的混镀层,其中M选自铬、铝、或硅中的一种;该过渡层为氧化层,且所述氧化层为氧化铝层、氧化锆层、 或二氧化硅层;该颜色层为钛铝氮层。
7.如权利要求6所述的壳体的制作方法,其特征在于:采用一真空镀膜机对该基体进行镀覆处理,该真空镀膜机包括一镀膜室及设置于该镀膜室中的一治具、一第一靶材、一第二靶材、一第三靶材、及一第四靶材,该第一靶材为钛靶,该第二靶材为铬靶、铝靶、或硅靶,该第三靶材为铝靶、锆靶、或硅靶,该第四靶材中含有钛和铝,其中该第四靶材中钛的质量百分含量为40~50%,铝的质量百分含量为50~60%。
8.如权利要求7所述的壳体的制作方法,其特征在于:形成所述打底层的方法为:开启第一靶材和第二靶材,调节该镀膜室内的占空比为45~55%,对该基体施加偏压为30(T350V,以氩气为工作气体,氩气的流量为10(Tl50sccm,镀膜时间为l(T20min。
9.如权利要求7所述的壳体的制作方法,其特征在于:形成所述过渡层的方法为:开启第三靶材,调节该镀膜室内的占空比为40-50%,对该基体施加偏压为25(T300V,以氩气为工作气体,氩气的流量为10(Tl50sccm,以氧气为反应气体,氮气的流量为25(T300sccm,镀膜时间为5(T60min。
10.如权利要求7所述的壳体的制作方法,其特征在于:形成所述颜色层的方法为:开启第四靶材,调节该镀膜室内的占空比为30-45%,对该基体施加偏压为25(T300V,以氩气为工作气体,氩气的流量为6(T80sccm,以氮气为反应气体,氮气的流量为25(T300sccm,镀膜时间为35~45min。
【文档编号】C23C14/06GK104032260SQ201310074121
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2013年3月8日 优先权日:2013年3月8日
【发明者】张春杰 申请人:深圳富泰宏精密工业有限公司
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