专利名称：喷淋头以及气相沉积反应腔的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种喷淋头以及气相沉积反应腔。
背景技术：
自GaN(氮化镓)基第三代半导体材料的兴起，蓝光LED(发光二极管)研制成功，LED的发光强度和白光发光效率不断提高。LED被认为是下一代进入通用照明领域的新型固态光源，因此得到广泛关注。现有技术的白光LED的制造工艺通常在一个具有温度控制的环境下的反应腔内进行。通常，将III族源气体和V族源气体分别通入化学气相沉积反应腔内，III族源气体和V族源气体在反应腔内反应以在衬底上形成II1-V族材料薄膜。在现有的技术中，采用图1所示的喷淋头100向化学气相沉积反应腔通入反应气体。所述喷淋头100包括依次层叠的III族源气体腔140、V族源气体腔150以及冷却腔160，所述冷却腔160邻近气体的反应区域，所述III族源气体腔140内的气体经过第一气管142排出，所述V族源气体腔150内的气体经过第二气体管152排出，由于所述冷却腔160设置在所述III族源气体腔140和V族源气体腔150下方，所以，所述冷却腔160遮挡住了所述III族源气体腔140和V族源气体腔150，使得所述III族源气体腔140和V族源气体腔150中的气体不被气相沉积反应腔中反应区域中的高温加热。当所述III族源气体和V族源气体从所述喷淋头100排出后，在反应区域内被化学气相沉积工艺腔内的托盘加热，从而防止所述III族源气体和V族源气体过早的混合，从而避免过早发生反应。但是，由于在现有技术中，所述冷却腔160遮挡住了气相沉积反应腔中反应区域对V族源气体腔150的热辐射，使得进入到反应腔的V族源气体的温度不高，然而，由于V族源气体需要高的分解温度才能分解以与V族源气体发生反应，从而，上述喷淋头100造成沉积效率低，并且，III族源气`体腔和V族源气体腔的出气通道(第一气管142和第二气体管152)都需要通过所述冷却腔160，使得所述喷淋头100结构复杂，制造困难。因此，如何提供一种喷淋头，能够提高沉积效率，已成为本领域技术人员需要解决的技术。
发明内容
现有技术的喷淋头存在沉积效率低的问题，本发明提供一种能解决上述问题的喷淋头以及气相沉积反应腔。本发明提供一种应用于II1-V族材料沉积反应腔的喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述喷淋头邻近所述反应区域设置，所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体，所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔、冷却腔和V族源气体腔，所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置，所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧，所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间。进一步的，在所述喷淋头中，所述喷淋头进一步包括第一气管，所述第一气管穿过所述冷却腔和所述V族源气体腔，所述第一气管连通所述III族源气体腔和所述反应区域，所述V族源气体腔与所述反应区域之间的设置有出气通道，所述V族源气体腔与所述反应区域之间通过所述出气通道连通。进一步的，在所述喷淋头中，所述喷淋头包括:顶板、底板以及设置在顶板与底板之间的第一板和第二板；在所述顶板与所述第一板之间形成密闭的III族源气体腔，在所述底板与所述第二板之间形成密闭的V族源气体腔，在所述第一板和第二板之间形成密闭的冷却腔，所述底板位于邻近所述反应区域一侧；所述第一气管依次穿过所述第一板、第二板和所述底板从而连通所述III族源气体腔和所述反应区域；所述出气通道设置在所述底板，所述出气通道穿过所述底板连通V族源气体腔与所述反应区域。进一步的，在所述喷淋头中，所述出气通道为设置在所述底板上的气体孔。进一步的，在所述喷淋 头中，所述气体孔的直径大于所述第一气管的直径，所述第一气管设置于所述气体孔中。进一步的，在所述喷淋头中，所述底板为网状结构板，所述出气通道为所述网状结构板的孔眼。进一步的，在所述喷淋头中，所述III族源气体腔内通入III族源气体，所述III族源气体为三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟中的一种或几种的组合，所述V族源气体腔内通入V族源气体，所述V族源气体为磷化氢、砷化氢或氨气中的一种或几种的组合。根据本发明的另一面，本发明还提供一种气相沉积反应腔，其包括腔体、用于装载衬底的托盘和喷淋头，所述托盘设置于所述腔体的底部，所述喷淋头设置在所述腔体的顶部并与所述托盘相对设置，所述托盘与所述喷淋头之间限定气体反应区域，所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体，所述喷淋头为如上所述的喷淋头。进一步的，在所述气相沉积反应腔中，所述气相沉积反应腔进一步包括加热器，所述加热器设置于所述托盘背离所述反应区域一侧，用于加热所述托盘。进一步的，在所述气相沉积反应腔中，在气相沉积工艺时，所述托盘的温度为700。。 1400。。。与现有技术相比，本发明提供的喷淋头以及气相沉积反应腔具有以下优点:1.本发明的喷淋头以及气相沉积反应腔中，所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置，所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧，所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间，与现有技术相比，在进行气体反应时，由于反应区域内具有较高温环境，所述V族源气体腔没有所述冷却腔的阻挡，热辐射能可以加热所述V族源气体腔，以使得所述V族源气体腔中的所述V族源气体产生预热效果，有助V族源气体的热分解；并且，所述冷却腔阻挡所述III族源气体腔以降低所述III族源气体腔中的III族源气体的温度，防止III族源气体过快分解，从而提高沉积效率。2.本发明的喷淋头以及气相沉积反应腔中，所述第一气管穿过所述冷却腔和所述V族源气体腔，所述V族源气体腔与所述反应区域之间的设置有出气通道，所述V族源气体腔与所述反应区域之间通过所述出气通道连通，所述出气通道不通过所述冷却腔，使得所述喷淋头结构简化，易于制造。3.本发明的喷淋头以及气相沉积反应腔中，所述喷淋头包括顶板、底板以及设置在顶板与底板之间的第一板和第二板，在所述顶板与所述第一板之间形成密闭的III族源气体腔，在所述底板与所述第二板之间形成密闭的V族源气体腔，在所述第一板和第二板之间形成密闭的冷却腔，所述第一气管依次穿过所述第一板、第二板和所述底板从而连通所述III族源气体腔和所述反应区域，所述底板设置有出气通道，可以减少气体管与板之间的焊接的数量和密度，从而降低制造难度。
图1是现有技术中的喷淋头的示意图；图2是本发明第一实施方式的喷淋头的示意图；图3是本发明第一实施方式的喷淋头中底板的俯视图；图4是本发明第一实施方式的气相沉积反应腔的示意图；图5是本发明第二实施方式的喷淋头的示意图；图6是本发明第二实施方式的喷淋头中底板的俯视图；图7是本发明第三实施方式的喷淋头中底板的俯视图；图8是本发明第四实施方式的喷淋头的示意图。
具体实施例方式现有技术的喷淋头中，所述喷淋头包括依次层叠的III族源气体腔、V族源气体腔以及冷却腔，所述冷却腔遮挡住了所述III族源气体腔和V族源气体腔，使得所述III族源气体腔和V族源气体腔中的气体不被气相沉积反应腔中反应区域中的高温加热，造成现有技术的喷淋头沉积效率低。发明人经过对现有技术喷淋头的深入研究发现，V族源气体的分解温度较高，而III族源气体的分解温度较低，如果将所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和所述V族源气体腔之间，则在发生沉积反应时，所述V族源气体腔没有所述冷却腔的阻挡，热辐射能加热所述V族源气体腔，对所述V族源气体腔中的V族源气体有预热效果，有助V族源气体的分解，而所述冷却腔可以有效降低III族源气体的温度，防止III族源气体过快分解，从而提高沉积效率。有鉴于上述的研究，本发明提供一喷淋头，所述喷淋头应用于II1-V族材料沉积反应腔，所述反应腔包括气体反应区域，所述喷淋头邻近所述反应区域设置，所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体，所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔、冷却腔和V族源气体腔，所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置，所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧，所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间，所述V族源气体腔没有所述冷却腔的阻挡，来自所述反应区域的热辐射能加热所述V族源气体腔，以对所述V族源气体腔中的所述V族源气体产生预热效果，有助V族源气体的分解；并且，所述冷却腔阻挡所述III族源气体腔以降低所述III族源气体腔中的III族源气体的温度，防止III族源气体过快分解，从而提高沉积效率。进一步的，所述喷淋头包括第一气管，所述第一气管穿过所述冷却腔和所述V族源气体腔，所述V族源气体腔与所述反应区域之间 的设置有出气通道，所述V族源气体腔与所述反应区域通过所述出气通道连通，所述出气通道不通过所述冷却腔，可以使得所述喷淋头结构简化，易于制造。进一步的，所述喷淋头包括顶板、底板以及设置在顶板与底板之间的第一板和第二板，在所述顶板与所述第一板之间形成密闭的III族源气体腔，在所述底板与所述第二板之间形成密闭的V族源气体腔，在所述第一板和第二板之间形成密闭的冷却腔，所述第一气管依次穿过所述第一板、第二板和所述底板从而连通所述III族源气体腔和所述反应区域，所述底板设置有出气通道，所述第一板和所述第二板只需要与所述第一气管242进行焊接，避免对所述出气通道进行焊接，可以减少气体管与板之间的焊接的数量和密度，从而降低制造难度。与现有技术喷淋头相比较，本发明的喷淋头中，所述冷却腔位于所述III族源气体腔和所述V族源气体腔之间，在发生沉积反应时，所述V族源气体腔没有所述冷却腔的阻挡，热辐射能加热所述V族源气体腔，对所述V族源气体腔中的V族源气体有预热效果，有助V族源气体的分解，而所述冷却腔可以有效降低III族源气体的温度，防止III族源气体过快分解，从而提高沉积效率。请参阅图2，图2是本发明第一实施方式的喷淋头的示意图。如图2所示，所述喷淋头200用于向II1-V族材料沉积反应腔10输入反应气体。所述反应腔10包括气体反应区域14，所述喷淋头200邻近所述反应区域14设置，所述喷淋头200用于向所述反应区域14输出反应气体，所述喷淋头200包括相互隔离的III族源气体腔240、冷却腔260和V族源气体腔250，所述V族源气体腔250邻近所述反应区域14设置，所述III族源气体腔240设置于所述V族源气体腔250背离所述反应区域14的一侧，所述冷却腔260设置在所述III族源气体腔240和V族源气体腔250之间。在进行气体反应时，由于反应腔的所述反应区域14具有较高温环境，所述V族源气体腔250没有所述冷却腔260的阻挡，热辐射能可以加热所述V族源气体腔250，以对所述V族源气体腔250中的所述V族源气体产生预热效果，有助V族源气体的热分解；并且，所述冷却腔260阻挡所述III族源气体腔240以降低所述III族源气体腔240中的III族源气体的温度，防止III族源气体过快分解，使得所述III族源气体与所述V族源气体的分解速率相匹配，从而提高沉积效率。在本实施方式中，所述喷淋头220包括顶板211、底板212以及设置在顶板211与底板212之间的第一板220和第二板230,所述第一板220位于所述第二板230的上方,所述底板212位于邻近所述反应区域14 一侧。在所述顶板211与所述第一板220之间形成密闭的III族源气体腔240，在所述底板212与所述第二板230之间形成密闭的V族源气体腔250，在所述第一板220和所述第二板230之间形成密闭的冷却腔260，通过所述第一板220和所述第二板230隔离所述III族源气体腔240、所述冷却腔260和所述V族源气体腔250，可以降低制造难度。在本实施方式中， 所述喷淋头220还包括侧壁213，以形成密闭的III族源气体腔240、V族源气体腔250和冷却腔260。所述侧壁213上具有一第一入气口 241，可以通过所述第一入气口 241向所述III族源气体腔240通入III族源气体，如图2所示。但向所述III族源气体腔240通入III族源气体并不限于上述方式，例如，所述第一入气口 241还可以设置在所述顶板211上，向所述III族源气体腔240通入III族源气体；亦可以实现通入III族源气体的目的，亦在本发明的思想范围之内。同理，在本实施方式中，所述侧壁213上具有一第二入气口 251，可以通过所述第二入气口 251向所述V族源气体腔250通入V族源气体，如图2所示。但向所述第二入气口 251通入V族源气体并不限于上述方式，例如，所述第二入气口 251还可以设置在所述顶板211上，并穿过所述III族源气体腔240和所述第一板220，向所述V族源气体腔251通入III族源气体；亦可以实现通入V族源气体的目的，亦在本发明的思想范围之内。所述喷淋头200还包括第一气管242，所述第一气管242穿过所述冷却腔260和所述V族源气体腔250，所述第一气管242连通所述III族源气体腔240和所述反应区域14，所述V族源气体腔250与所述反应区域14之间设置有出气通道，所述V族源气体腔250与所述反应区域14之间通过所述出气通道连通。所以，所述冷却腔260和所述V族源气体腔250均内只有所述第一气管242通过，所述出气通道不通过所述冷却腔260，使得所述喷淋头200结构简化，方便加工制造。但所述喷淋头200的结构并不限于为所述第一气管242穿过所述冷却腔260和所述V族源气体腔250，所述V族源气体腔250与所述反应区域14通过所述出气通道连通。在本实施方式中，所述第一气管242依次穿过所述第一板220、第二板230和所述底板212从而连通所述III族源气体腔240和所述反应区域14，使所述III族源气体腔240内的所述III族源气体通过所述第一气管242流出至所述反应区域14。所述底板212设置有将所述V族源气体腔250和所述反应区域14连通的出气通道，所述出气通道穿过所述底板212以连通V族源气体腔250与所述反应区域14，所述V族源气体通过所述出气通道流出至所述反应区域14。其中，所述第一板220和所述第二板230只需要与所述第一气管242进行焊接，避免对所述出气通道进行焊接，减少了气体管与板之间的焊接的数量和密度，从而降低制造难度；并且，所述冷却 腔260和所述III族源气体腔240之间只通过所述第一板220隔离，所述冷却腔260和所述V族源气体腔250之间只通过所述第二板230隔离，所以，不需要将所述第一气管242分别焊接在所述III族源气体腔240、所述冷却腔260和所述V族源气体腔250的腔体壁上，只需将所述第一气管242焊接在所述第一板220和所述第二板230上，从而节约制造工艺。在本实施方式中，所述出气通道为设置在所述底板212上的气体孔252，所述气体孔252可以方便地将所述V族源气体排出。请再次参阅图2，较佳的，所述气体孔252与所述第一气管242在所述底板212上交错间隔排列。相互交错排列的气体孔252与所述第一气管242可以使得所述III族源气体和所述V族源气体被排出到气体反应区域后均匀的混合，从而有利于反应气体均匀地发生化学反应，在衬底上沉积均匀的薄膜。请参阅图3，图3是本发明第一实施方式的喷淋头底板的俯视图，在图3中，依次排列的小孔为所述气体孔252以及所述第一气管242的阵列。较佳的，所述冷却腔260为一整体腔室，由所述第一板220和第二板230和所述侧壁213包围形成，在所述侧壁213上安装有冷却流入管261和冷却流出管262，以向所述冷却腔210内通冷却气体或冷却液，如冷却水或冷却油等。其中，所述III族源气体腔240内通III族源气体，如三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟中的一种或几种的组合，但所述III族源气体并不限于为三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟。所述V族源气体腔250内通V族源气体，如磷化氢、砷化氢或氨气中的一种或几种的组合，但所述V族源气体并不限于为磷化氢、砷化氢或氨气，只要所述III族源气体与所述V族源气体反应生成II1-V族材料的薄膜，亦在本发明的思想范围之内。在本实施方式中，所述III族源气体腔240内通三甲基镓，所述V族源气体腔250内通氨气，三甲基镓的分解温度低，氨气的分解温度高，托盘的温度高于650°C，由于受所述托盘的热辐射，使氨气被预热，有利于氨气的热分解，而所述冷却腔260阻挡所述III族源气体腔240，以降低所述III族源气体腔240中的三甲基镓的温度，防止三甲基镓分解过快，从而使氨气和三甲基镓在所述衬底表面附近发生热分解，以在所述衬底上发生结晶反应而沉积薄膜。以下具体描述使用如上所述、本发明第一实施方式喷淋头200的气相沉积反应腔
10。请参阅图4，所述气相沉积反应腔10包括腔体11、用于装载衬底12的托盘13和所述喷淋头200。所述托盘13设置于所述腔体11的底部。所述喷淋头200设置在所述腔体11的顶部并与所述托盘13相对 设置。所述托盘13与所述喷淋头200之间限定气体反应区域14。所述喷淋头200用于向所述反应区域14输出反应气体，在所述反应区域14内，V族源气体、III族源气体混合，并进行反应，以在所述衬底12上形成薄膜沉积。在本实施方式中，所述喷淋头200位于所述腔体11内，以向所述腔体11的内的所述反应区域14喷射反应气体；但所述喷淋头200也可以部分位于所述腔体11内，如:所述喷淋头200只有所述底板212位于所述腔体11内，亦可以实现向所述腔体11的内的所述反应区域14喷射反应气体，亦在本发明的思想范围之内。较佳的，所述气相沉积反应腔10还包括加热器15，所述加热器15位于所述反应腔10内，用于加热所述托盘13，在本实施方式中，所述加热器15设置于所述托盘13背离所述反应区域14 一侧，以方便加热所述托盘13，但所述加热器15并不限于设置于所述托盘13背离所述反应区域14 一侧，只要能加热所述托盘13，亦在本发明的思想范围之内。较佳的，在气相沉积工艺时，所述托盘13的温度为700°C 1400°C，使得能够在衬底上沉积II1-V材料薄膜，同时，有利于对所述V族源气体腔250内的V族源气体进行预热，从而提高沉积效率。如所述托盘13的温度为800°c、i000°c、ii0(rc、i20(rc、i30(rc，但所述托盘13的温度并不限于为700°C 1400°c，具体的温度可以根据气相沉积工艺的具体需要设定，如需要根据沉积的薄膜类型、厚度或V族源气体、III族源气体等进行温度设定。在进行气体反应时，所述腔体11的托盘13处于高温环境，所述V族源气体腔250没有所述冷却腔260的阻挡，热辐射能加热所述V族源气体腔250，以对所述V族源气体腔250中的所述V族源气体产生预热效果，有助V族源气体的分解；而，所述冷却腔260则阻挡所述III族源气体腔240以降低所述III族源气体腔240中的III族源气体的温度，防止III族源气体过快分解，从而提高沉积效率。在本实施方式中，所述气相沉积反应腔10为MOCVD(金属有机化学气相沉积)设备，在该设备中，所述喷淋头200向所述腔体11提供所述III族源气体和V族源气体，从而使所述III族源气体和V族源气体在所述托盘13上方的所述反应区域14内发生反应，以形成薄膜沉积。请参阅图5，图5是本发明喷淋头第二实施方式的示意图。所述第二实施方式的喷淋头300与所述第一实施方式的喷淋头200基本相同，其区别在于:在所述底板312上，所述气体孔352的直径大于所述第一气管342的直径，所述第一气管342设置于所述气体孔352中，参见图6，图6是本发明喷淋头第二实施方式中底板的俯视图。
在本实施方式中，所述第一气管342可以方便的将所述III族源气体排出，由于所述气体孔352的直径大于所述第一气管342的直径，所述第一气管342设置于所述气体孔352中，从而使得所述III族源气体和所述V族源气体可以通过同轴的孔道排出，进而使得所述III族源气体和所述V族源气体均匀混合，有利于在衬底上均匀地沉积薄膜。请参阅图7，图7是本发明第三实施方式的喷淋头中底板的俯视图。所述第三实施方式的喷淋头与所述第一实施方式的喷淋头200基本相同，其区别在于:所述底板412为网状结构板，所述出气通道为所述网状结构板的孔眼453。所述网状结构板的孔眼453亦可以方便的将所述V族源气体排出，可以使得所述III族源气体和所述V族源气体被排出后可以均匀的混合，从而有利于发生化学反应，达到使薄膜可以在衬底上均匀地沉积的有益效果。其中，所述第一气管可以直接从所述孔眼453中直接穿过，也可以在所述孔眼453之间的所述底板412上钻孔，使所述第一气管穿过所述底板412以向所述衬底提供所述III族源气体。本发明并不限于以上实施方式，III族源气体腔、冷却腔、V族源气体腔可以分别独立的板制作形成，如图8所示，在本发明第四实施方式中，III族源气体腔540、冷却腔560,V族源气体腔550独立成型后，再依次层叠连接，使得连通III族源气体腔540穿过所述冷却腔560和V族源气体腔550上对应的通孔到达出气表面，从而形成所述喷淋头500，亦可以实现将所述冷却腔560设置在所述III族源气体腔540和V族源气体腔550之间，亦能达到从而提高沉积效率的有益效果，亦在本发明的思想范围之内。虽然本发明已以较佳实施方式披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。`
权利要求
1.一种应用于II1-V族材料沉积反应腔的喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述喷淋头邻近所述反应区域设置，所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体，其特征在于:所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔、冷却腔和V族源气体腔，所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置，所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧，所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间。
2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于:所述喷淋头进一步包括第一气管，所述第一气管穿过所述冷却腔和所述V族源气体腔，所述第一气管连通所述III族源气体腔和所述反应区域，所述V族源气体腔与所述反应区域之间的设置有出气通道，所述V族源气体腔与所述反应区域之间通过所述出气通道连通。
3.如权利要求2所述的喷淋头，其特征在于:所述喷淋头包括: 顶板、底板以及设置在所述顶板与底板之间的第一板和第二板； 在所述顶板与所述第一板之间形成密闭的III族源气体腔，在所述底板与所述第二板之间形成密闭的V族源气体腔，在所述第一板和第二板之间形成密闭的冷却腔，所述底板位于邻近所述反应区域一侧； 所述第一气管依次穿过所述第一板、第二板和所述底板从而连通所述III族源气体腔和所述反应区域； 所述出气通道设置在所述底板，所述出气通道穿过所述底板连通V族源气体腔与所述反应区域。
4.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于:所述出气通道为设置在所述底板上的气体孔。
5.如权利要求4所述 的喷淋头，其特征在于:所述气体孔的直径大于所述第一气管的直径，所述第一气管设置于所述气体孔中。
6.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于:所述底板为网状结构板，所述出气通道为所述网状结构板的孔眼。
7.如权利要求1-6中任意一项所述的喷淋头，其特征在于:所述III族源气体腔内通入III族源气体，所述III族源气体为三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟中的一种或几种的组合，所述V族源气体腔内通入V族源气体，所述V族源气体为磷化氢、砷化氢或氨气中的一种或几种的组合。
8.一种气相沉积反应腔，其包括腔体、用于装载衬底的托盘和喷淋头，所述托盘设置于所述腔体的底部，所述喷淋头设置在所述腔体的顶部并与所述托盘相对设置，所述托盘与所述喷淋头之间限定气体反应区域，所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体，其特征在于:所述喷淋头为如权利要求1-7中任意一项所述的喷淋头。
9.如权利要求8所述的气相沉积反应腔，其特征在于:所述气相沉积反应腔进一步包括加热器，所述加热器设置于所述托盘背离所述反应区域一侧，用于加热所述托盘。
10.如权利要求8所述的气相沉积反应腔，其特征在于:在气相沉积工艺时，所述托盘的温度为700°C 1400°C。
全文摘要
本发明涉及一种应用于III-V族材料沉积反应腔的喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述喷淋头邻近所述反应区域设置，所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔、冷却腔和V族源气体腔，所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置，所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧，所述冷却腔设置在所述III族源气体腔和V族源气体腔之间。本发明还提供一种具有所述喷淋头的气相沉积反应腔。所述V族源气体腔没有所述冷却腔的阻挡，来自所述反应区域的热辐射能加热所述V族源气体腔，有助V族源气体的分解；并且，所述冷却腔阻挡所述III族源气体腔以降低所述III族源气体腔中的III族源气体的温度，防止III族源气体过快分解，从而提高沉积效率。
文档编号C23C16/455GK103173742SQ20131012825
公开日2013年6月26日 申请日期2013年4月12日 优先权日2013年4月12日
发明者林翔 申请人:光垒光电科技(上海)有限公司