膜制造方法及膜制造装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种膜制造方法及膜制造装置，其将成膜时的温度设为100℃以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。本发明的膜制造方法具备：成膜工序，在该工序中通过离子镀法在基板（101）上形成氧化铟膜（M1）；及退火工序，该工序在成膜工序之后，对氧化铟膜（M1）进行退火处理。而且，在成膜工序中，将成膜腔室（123）内的压力设为0.3Pa以下，将成膜腔室（123）内的基板（101）的温度设为100℃以下，在退火工序中，在100℃以下对氧化铟膜进行退火处理。
【专利说明】膜制造方法及膜制造装置
【技术领域】
[0001]本申请主张基于2012年8月8日申请的日本专利申请第2012-176125号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
[0002]本发明涉及一种在成膜对象物上形成氧化铟膜的膜制造方法及膜制造装置。
【背景技术】
[0003]以往，已知有为了应用于触控面板等，通过离子镀法在基板上成膜低电阻的氧化铟膜的技术。例如，根据专利文献I所示的膜的制造装置，将腔室内设为高于100°c的温度，使成膜材料离子化而扩散，并在基板上成膜氧化铟膜。
[0004]专利文献1:日本特开2005-050730号公报
[0005]在此，在耐热性较低的树脂基板等上形成低电阻的氧化铟膜的要求越来越高。当在树脂基板等上形成氧化铟膜 时，要求在100°c以下的低温下成膜。然而，在以往的离子镀法中，当将腔室内的温度设为100°c以下来进行成膜时，存在难以获得低电阻的氧化铟膜的问题。
【发明内容】
[0006]因此，本发明的目的在于提供一种将成膜时的温度设为100°C以下，并且制造低电阻的氧化铟膜的膜制造方法及膜制造装置。
[0007]本发明所涉及的膜制造方法，其特征在于，具备:成膜工序，在该工序中通过离子镀法在成膜对象物上形成氧化铟膜；及退火工序，该工序在成膜工序之后，对氧化铟膜进行退火处理，在成膜工序中，将腔室内的压力设为0.3Pa以下，将成膜对象物的温度设为IOO0C以下，在退火工序中，在100°C以下对氧化铟膜进行退火处理。
[0008]根据本发明所涉及的膜制造方法，将成膜工序的温度设为100°C以下，并且将退火工序的退火温度设为100°C以下，由此(即使在例如使用如树脂基板等那样要求在低温下成膜的材料所涉及的成膜对象物时)也能够与成膜对象物的耐热性无关地制造氧化铟膜。而且，将成膜工序的压力设为0.3Pa以下，并且在成膜工序之后进行退火工序，由此即使成膜工序的温度为100°C以下的低温，也能够制造低电阻的氧化铟膜。如上，能够将成膜时的温度设为100°C以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。
[0009]而且，在本发明所涉及的膜制造方法中，优选将腔室内的水分分压设为5.8X10_4Pa以下。而且，可将腔室内的水分分压设为3.9 X 10_4Pa以下。由此，能够更可靠地制造低电阻的氧化铟膜。
[0010]本发明所涉及的膜制造装置，其特征在于，具备:成膜装置，其通过离子镀法在成膜对象物上形成氧化铟膜；及退火装置，其对通过成膜装置形成于所述成膜对象物上的所述氧化铟膜进行退火处理，成膜装置具有:真空腔室；压力维持构件，其将成膜时的真空腔室内的压力维持在0.3Pa以下；及温度维持构件，其将成膜时的成膜对象物的温度维持在100°C以下，退火装置具有在100°C以下对氧化铟膜进行加热的退火炉。[0011]根据本发明所涉及的膜制造装置，将成膜时的温度设为100°C以下，并且将退火时的退火温度设为100°c以下，由此(即使在例如使用如树脂基板等要求在低温下成膜的材料所涉及的成膜对象物时)也能够与成膜对象物的耐热性无关地制造氧化铟膜。而且，将成膜时的压力设为0.3Pa以下，并且对通过成膜装置形成于所述成膜对象物上的氧化铟膜进行退火处理，由此即便成膜时的温度为100°C以下的低温，也能够制造低电阻的氧化铟膜。如上，能够将成膜时的温度设为100°C以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。
[0012]而且，在本发明所涉及的膜制造装置中，优选成膜装置具有将成膜时的腔室内的水分分压维持在5.8X 10_4Pa以下的水分分压维持构件。并且，水分分压维持构件可将成膜时的所述腔室内的水分分压维持在3.9X KT4Pa以下。由此，能够更可靠地制造低电阻的氧化铟膜。
[0013]发明效果
[0014]根据本发明，能够将成膜时的温度设为100°C以下，并且制造低电阻的氧化铟膜。【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是表示用于本发明的实施方式所涉及的膜制造方法的膜制造装置的概要结构图。
[0016]图2是沿图1的I1-1I线的剖视图。
[0017]图3是表示实施例1的结果的曲线图。
[0018]图4是表示实施例2的结果的表格。
[0019]图中:1-膜制造装置、100-成膜装置、101-基板(成膜对象物)、123_成膜腔室、140-蒸镀装置、150-真空泵(压力维持构件、水分分压维持构件)、160-加热器(温度维持构件)、200_退火装置、201-退火炉、Ml-氧化铟膜。`【具体实施方式】
[0020]以下，参考附图，对本发明的实施方式进行说明。另外，在附图的说明中对相同要件附加相同符号，并省略重复说明。而且，“上”、“下”等表示方向的词是基于附图所示的状态为了便于理解而使用的。而且，在图1及图2中，为了便于说明还示出XYZ直角坐标系。
[0021]图1是表示本发明的实施方式所涉及的膜制造装置I的概要结构图。膜制造装置I是用于制造形成于基板(成膜对象物)101上的氧化铟膜Ml的装置，如图1所示，具备成膜装置100及退火装置200。
[0022]图1是表示本发明的实施方式所涉及的膜制造装置I的概要结构图。膜制造装置I是用于在基板(成膜对象物)101上形成氧化铟膜Ml的装置，如图1所示，具备成膜装置100及退火装置200。
[0023]本实施方式中，作为基板101的材料能够应用耐热性较低的材料，并能够应用树脂材料或涂布有树脂的玻璃基板。作为树脂材料，能够应用例如PET、丙烯酸、聚碳酸酯等。另外，基板101可为基板整体由树脂材料构成的基板,也可为基板的局部由树脂材料构成的基板。形成于基板101上的氧化铟膜Ml由将氧化铟作为组成来包含的成膜材料构成。将氧化铟作为组成来包含的成膜材料能够使用例如无掺杂元素的氧化铟、氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟钨(IW0)及氧化铟锌(IZnO)等。在本实施方式所涉及的膜制造方法中，能够获得膜厚较薄且低电阻的氧化铟膜Ml。具体而言，能够将氧化铟膜Ml的膜厚设定为IOOnm以下。而且，也能够设定为50nm以下，还能够设定为20nm以下。另外，氧化铟膜Ml的膜厚至少为5nm以上。即使为这种较薄的膜厚，也能够获得比电阻较低(2~3μ Ωπι左右)的氧化铟膜Ml。形成有氧化铟膜Ml的基板101例如用于触控面板或照明等。
[0024](成膜装置)
[0025]在图1中，将成膜装置100从基板101 (参考图2)的输送方向(箭头A)即Y轴方向的侧方示出。图2是沿图1的I1-1I线的剖视图，表示成膜装置100的蒸镀装置140附近的结构。图1及图2所示的成膜装置100是用于对基板101实施成膜处理的装置。成膜装置100是通过离子镀法进行成膜的装置。成膜装置100具备生成等离子体的等离子枪，利用已生成的等离子体，对成膜材料进行离子化，并使成膜材料的粒子附着于基板101的表面来进行成膜。另外，在本实施方式中，将基板101以直立状态配置的类型的成膜装置100为例进行说明，但也可为将基板101水平配置的类型的成膜装置。 [0026]成膜装置100具备装载闭锁腔室(load lock chamber) 121、缓冲腔室(bufferchamber) 122、成膜腔室(腔室)123、缓冲腔室124及装载闭锁腔室125。这些腔室121~125以该顺序并排配置。所有腔室121~125由真空容器构成，在腔室121~125的出入口设置有开闭闸门131~136。成膜装置100可为并排有多个缓冲腔室122、124、成膜腔室123的结构。
[0027]各真空腔室121~125内连接有用于将内部设为适当的压力的真空泵150。真空泵150通过未图示的控制装置控制其动作。真空泵及控制装置构成本申请中的压力维持构件。而且，各真空腔室121~125内设置有用于监视腔室内的压力的真空仪(未图示)。各腔室121~125与连接于真空泵150的真空排气管连通，该真空排气管上设置有真空仪。另外，各腔室121、122、124、125可省略一部分。
[0028]装载闭锁腔室121为如下腔室:开放设置于入口侧的开闭闸门131，由此开放在大气中，并导入有被处理的基板101及保持该基板101的输送托盘102 (参考图2)。装载闭锁腔室121的出口侧经开闭闸门132与缓冲腔室122的入口侧连接。
[0029]缓冲腔室122为如下压力调整用腔室:开放设置于入口侧的开闭闸门132，由此与装载闭锁腔室121连通，并导入通过了装载闭锁腔室121的基板101及输送托盘102。缓冲腔室122的出口侧经开闭闸门133与成膜腔室123的入口侧连接。在本实施方式中，基板101以直立状态配置，因此沿着上下方向配置成膜面。缓冲腔室122设置于成膜腔室123的前级。
[0030]成膜腔室123为如下处理腔室:开放设置于入口侧的开闭闸门133，由此与缓冲腔室122连通，导入通过了缓冲腔室122的基板101及输送托盘102，并在基板101上成膜氧化铟层Ml。成膜腔室123的出口侧经开闭闸门134与缓冲腔室124的入口侧连接。如图2所示，成膜腔室123内设置有用于在基板101上成膜氧化铟层Ml的蒸镀装置140。蒸镀装置140由保持成膜材料的主炉缸、及向主炉缸照射等离子射束的等离子枪等构成(详细的说明进行后述)。
[0031]图1所示的缓冲腔室124为如下压力调整用腔室:开放设置于入口侧的开闭闸门134，由此与成膜腔室123连通，导入通过成膜腔室123形成有氧化铟膜Ml的基板101及保持所述基板的输送托盘102。缓冲腔室124的出口侧经开闭闸门135与装载闭锁腔室125的入口侧连接。缓冲腔室124可设置于成膜腔室123的后级，作为对基板101进行冷却的冷却用腔室发挥作用。在从真空腔室搬出之后的大气压环境中，可为通过大气对基板101进行冷却(空冷)的结构。另外，可在缓冲腔室124设置用于对基板101进行冷却的冷却板。该冷却板为了对基板101的成膜面进行冷却，可与基板101的成膜面对置配置。也可为具备从基板101的背面侧对基板101进行冷却的冷却板的结构。
[0032]装载闭锁腔室125为如下腔室:开放设置于入口侧的开闭闸门135，由此与缓冲腔室124连通，并导入通过了缓冲腔室124的基板101及输送托盘102。在装载闭锁腔室125的出口侧设置有开闭闸门136，通过开放开闭闸门136，将装载闭锁腔室125开放在大气中。在装载闭锁腔室125中，当基板101的温度高于大气温度时，通过开放在大气中而被空冷。
[0033]接着，对蒸镀装置140周边的结构详细地进行说明。
[0034]本实施方式的成膜装置100的蒸镀装置140具备主阳极2、等离子源5(等离子枪)及辅助阳极6。
[0035]如图2所示，设置有蒸镀装置140的成膜腔室123具有:输送室10a，其设置有用于将基板101在暴露于离子化成膜材料粒子Mb的同时进行输送的输送机构3 (参考图1);成膜室10b，其用于对成膜材料Ma进行离子化并使其扩散；等离子口 10g，其将从等离子源5照射的等离子体P引入到成膜室IOb内；气体供给口 10d、10e，其用于将氧等环境气体导入到成膜室IOb内部；及排气口 IOf，其排出成膜室IOb内的剩余气体。输送室IOa向本实施方式的规定方向即输送方向(图中的箭头A)延伸并配置于与成膜室IOb邻接的位置。在本实施方式中，输送方向(箭头A)被设定成Y轴的正方向。而且，成膜腔室123由导电性材料构成并与接地电位连接。
[0036]成膜室IOb具有在输送方向(箭头A)上对置的I对侧壁IOh及IOi以及在与输送方向(箭头A)交叉的方向(Z轴向)上对置的I对侧壁(未图示)。
[0037]输送机构3将保持基板101的输送托盘102以与成膜材料Ma的露出表面对置的状态向输送方向(箭头A)输送。输送机`构3包括:多个输送棍31,其设置于输送室IOa内；及驱动部32，其对该输送辊31进行驱动(参考图1)。另外，输送基板101的输送机构并不限定于具备输送辊的输送机构。而且，当为水平配置基板101的类型的成膜装置时，成为将成膜室IOb配置于下侧，将输送室IOa配置于上侧，且由输送辊31支承基板101的下表面侧的结构。
[0038]等离子源5的主体部分设置于成膜室IOb的侧壁(等离子口 10g)。在等离子源5中生成的等尚子体P从等尚子口 IOg向成膜室IOb内射出。等尚子体P的射出方向由设置于等离子口 IOg的转向线圈51控制。
[0039]成膜装置100中设置有炉缸部20 (主阳极2及辅助阳极6)。炉缸部20与等离子源5对应地配置。炉缸部20的主阳极2为用于保持成膜材料Ma的部分。主阳极2设置于成膜腔室123的成膜室IOb内，相对于输送机构3配置在X轴方向的负方向。主阳极2具有主炉缸21，该主炉缸向成膜材料Ma引导从等离子源5射出的等离子体P。主炉缸21相对于接地电位即成膜腔室123保持为正电位，并吸引等离子体P。在该等离子体P所入射的主炉缸21的中央部形成有用于装填成膜材料Ma的贯穿孔。并且，成膜材料Ma的前端部分从该贯穿孔露出。
[0040]当成膜材料Ma由导电性物质构成时，若对主炉缸21照射等离子体P，则等离子体P直接入射于成膜材料Ma,成膜材料Ma的前端部分被加热而蒸发。已蒸发的成膜材料Ma被等离子体P离子化而成为离子化成膜材料粒子Mb。离子化成膜材料粒子Mb向成膜室IOb内扩散的同时向输送室IOa侧(X轴正方向)移动，并在输送室IOa内附着于基板101的表面。另外，成膜材料Ma从主阳极2的下方被押出，以使其前端部分始终维持预定位置。另外，当成膜材料Ma由绝缘性物质构成时，若对主炉缸21照射等离子体P，则主炉缸21通过来自等离子体P的电流被加热，成膜材料Ma的前端部分蒸发，被等离子体P离子化的离子化成膜材料粒子Mb向成膜室IOb内扩散。
[0041]辅助阳极6为用于感应等离子体P的电磁铁。辅助阳极6配置于保持成膜材料Ma的主炉缸21的周围，且具有环状容器和容纳于该容器内的线圈6a及永久磁铁6b。线圈6a及永久磁铁6b根据流过线圈6a的电流量，控制向主炉缸21入射的等离子体P的方向。
[0042]而且，成膜腔室123内设置有加热器160。加热器160是用于调整成膜腔室123内的基板101及输送托盘102的温度的装置。加热器160能够使用公知的加热构件，例如能够使用灯式加热器等。加热器160通过未图示的控制装置控制其动作。由加热器160及控制装置构成本申请中的温度维持构件。
[0043](退火装置)
[0044]退火装置200是用于对通过成膜装置100形成于基板101上的氧化铟膜Ml进行退火处理的装置。退火装置200设置于比成膜装置100更靠生产线的下游侧(参考图1)。即，退火装置200设置于成膜装置100的后级。退火装置200具备退火炉201。在退火炉201内容纳基板101，以规定的设定温度加热预定时间，由此能够对基板101上的氧化铟膜Ml进行退火处理。另外，退火装置2 00中设置有控制退火炉201内的温度的控制装置(未图示)。
[0045](氧化铟膜的制造方法)
[0046]首先，利用成膜装置100执行通过离子镀法在基板101上形成氧化铟膜Ml的成膜工序。在成膜工序中，将成膜腔室123内的压力设为0.3Pa以下。另外，成膜腔室123的压力作为能够维持等离子体的压力可为0.01Pa以上。而且，也可将成膜腔室123的压力设为
0.05~0.2Pa。成膜腔室123的压力的调整通过由未图示的控制装置控制真空泵150来进行。即，通过由真空泵150及控制装置构成的压力维持构件，将成膜时的成膜腔室123内的压力维持在0.3Pa以下。
[0047]在成膜工序中，将成膜腔室123内的水分分压设为5.8X 10_4Pa以下。在成膜工序中，成膜腔室123的水分分压越低越合适，因此下限值并无特别限定，只要为OPa以上即可。而且，可将成膜腔室123内的水分分压设为I X 10_4~6X 10_4Pa。成膜腔室123内的水分分压的调整通过如下进行，即在成膜腔室123内配置基板101，并且使真空泵150动作，待机至水分分压下降到所希望的值。此时，由真空泵150及对其进行控制的控制装置构成本申请中的水分分压维持构件。通过水分分压维持构件，成膜时的成膜腔室123内的水分分压维持在5.8X10_4Pa以下(优选为3.9X10_4Pa)。另外，可通过事先对输送托盘102进行预加热来减少从输送托盘102蒸发的水蒸气来进行。此时，通过在成膜前对输送托盘102进行预加热的预加热构件构成本申请中的水分分压维持构件。
[0048]在成膜工序中，加热器160对基板101进行加热，以使成膜腔室123内的基板101的温度成为100°C以下。在成膜工序中，将温度设为20°C以上。而且，可将成膜腔室123内的基板101的温度设为30~60°C。成膜腔室123内不设置加热器160(或者即便设置有如图2所示的加热器160也设为关)，无加热(即，成膜装置100成为所设置的室温的温度)地进行成膜也可。此时，通过成膜腔室123的内部的温度(室温)来调整基板101的温度。因此,此时由成膜腔室123构成本申请中的温度维持构件。
[0049]在成膜工序之后，通过退火装置200执行对基板101上的氧化铟膜Ml进行退火处理的退火工序。退火工序中，在100°c以下对氧化铟膜Ml进行退火处理(即，将退火炉201内的温度设为100°C以下)。退火工序中的退火的温度设为30°C以上。而且，可将退火的温度设为50~90°C。另外，退火时的压力为大气压。退火时间设为15分钟~12小时左右。
[0050](作用/效果)
[0051]接着，对本发明的实施方式所涉及的氧化铟膜Ml的膜制造方法及膜制造装置的作用/效果进行说明。
[0052]首先，对以往的膜制造方法及膜制造装置进行说明。例如使用树脂基板进行氧化铟膜(例如ITO膜)的成膜时，要求以低温进行成膜。在此，相比较于溅射法等其他成膜方法，根据离子镀法(RPD)能够以低温制造低电阻的氧化铟膜，但在100°C以下的较低的温度条件下进行成膜时，存在很难制造膜厚较薄且低电阻的氧化铟膜的问题。
[0053]通常，ITO膜的结晶温度设为180°C以上，当以低温成膜时，ITO膜成为非晶质的膜。该非晶质的膜与被结晶的膜相比电阻较高。例如，被结晶的ITO膜的比电阻为2μ Ω.m左右，相对于此，非晶质的ITO膜的比电阻提高2倍以上。
[0054]而且，当形成膜厚较薄的氧化铟膜时，膜厚越薄，膜的结晶越难进行，比电阻变高。具体而言，若膜厚成为IOOnm以下，则伴随膜厚变薄比电阻上升。
[0055]如上，在以往的氧化铟膜的制造方法及膜制造装置中，当将成膜的温度设为100°C以下且使膜厚变薄时，存在因膜的结晶很难进行而导致比电阻变高的问题。
[0056]而在本实施方式所涉及的膜制造方法及膜制造装置中，进行如下退火:通过离子镀法在基板101上形成氧化铟膜M1，并对在基板101上成膜的氧化铟膜Ml进行退火处理。而且，在成膜时，将成膜腔室123内的压力设为0.3Pa以下，并且将成膜腔室123内的温度设为100°C以下，在退火时，在100°C以下对氧化铟膜进行退火处理。
[0057]在本实施方式所涉及的膜制造方法及膜制造装置中，将成膜时的温度设为100°C以下，并且将退火时的退火温度设为100°C以下，由此(例如使用如树脂基板等要求在低温下成膜的材料所涉及的基板101时)也能够与基板101的耐热性无关地制造氧化铟膜Ml。而且，将成膜时的压力设为0.3Pa以下，并且在成膜之后进行退火工序，由此即使成膜时的温度为100°C以下的低温，也能够制造膜厚较薄且低电阻的氧化铟膜Ml。
[0058]另外，以往已有在成膜之后以较高温度执行退火的情况。但是，通常在100°C以下的温度条件下膜的结晶无进展且不成为低电阻，因此未有过如本实施方式那样以100°c以下的温度完成退火处理的情况。
[0059]而且，将成膜时的成膜腔室123内的水分分压设为5.8X10_4Pa以下，进而设为3X IO-4Pa以下。由此，能够更可靠地制造低电阻的氧化铟膜Ml。
[0060]另外，对通过将成膜腔室123的压力及水分分压设得较低来推进氧化铟膜Ml的结晶的理由进行说明。在成膜腔室123的压力较低的状态下，以成膜能量较高的状态轻松成膜氧化铟膜Ml。另一方面， 含有水分的氢原子具有阻碍结晶的作用，因此成为通过降低水分分压来轻松推进结晶的状态。如上，可推断，降低压力并且降低水分分压来执行成膜，由此成为即便为较低的温度条件也较易结晶的状态，通过较低温度下的退火处理进行结晶。
[0061]【实施例】
[0062]以下，将通过实施例详细地对本发明进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
[0063](实验例I)
[0064]参考图3，对用于确认氧化铟膜通过本发明所涉及的膜制造方法来结晶的实验例I进行说明。
[0065]在实验例I所涉及的实施例中，使用图1所示的结构所涉及的膜制造装置，以预定条件执行成膜工序与退火工序，由此制造出基板上的ITO膜。成膜工序中的各条件如下设定。在退火工序中，将在成膜工序中形成ITO膜的基板容纳于退火炉，以90°C进行I小时退火处理。
[0066]成膜腔室内的压力:0.2Pa
[0067]成膜腔室内的水分分压:4X 10_4Pa
[0068]温度条件:无加热(具体而言为30°C)
[0069]基板的材料:玻璃
[0070]成膜材料:ITO
[0071]膜厚:20nm
[0072]在实验例I所涉及的比较例中，除了将成膜腔室内的压力设为0.33Pa，将成膜腔室内的水分分压设为4X10_4Pa的点以外，以与实施例相同的条件制造出基板上的ITO膜。
[0073]将通过比较例所涉及的膜制造方法制造出的ITO膜的X射线分析结果示于图3
(a)。如图3(a)所示，X射线分析结果的曲线图中未显示有表示结晶性的峰值，因此可知在比较例所涉及的膜制造方法中，ITO膜未结晶。
[0074]将通过实施例所涉及的膜制造方法制造出的ITO膜的X射线分析结果示于图3
(b)。如图3(b)所示，X射线分析结果的曲线图中显示有表示结晶性的峰值，因此可知在实施例所涉及的膜制造方法中，即便为20nm的较薄的膜厚，ITO膜也结晶。
[0075]而且，将实施例中退火工序的时间经过与ITO膜的方块电阻的变化的相关性示于图3 (C)。如图3 (c)所示，在成膜工序刚结束后，ITO膜的方块电阻为300Ω /□(比电阻
6.0 μ Ω.m),在I小时的退火处理后成为100 Ω / □(比电阻2.0 μ Ω.m)。
[0076]由图3 (C)的结果可知:通过将成膜腔室的压力及水分分压调整为规定条件，由此在成膜工序中生成ITO膜结晶的基体，通过进行退火处理，推进ITO膜的结晶。另外，推进结晶不仅包含膜整体全部结晶的情况，还包含非晶质状态与结晶状态混杂的状态且结晶状态的比例较大的状态。
[0077](实验例2)
[0078]参考图4，对用于确认本发明所涉及的膜制造方法的成膜工序中的压力与水分分压的条件的实验例2进行说明。
[0079]在实验例2所涉及的实施例1中，使用图1所示的结构所涉及的膜制造装置，以预定条件执行成膜工序与退火工序，由此制造出基板上的ITO膜。成膜工序中的各条件如下设定。在退火工序中，将以成膜工序形成ITO膜的基板容纳于退火炉内，以90°C进行I小时退火处理。[0080]成膜腔室内的压力:0.2Pa
[0081 ] 成膜腔室内的水分分压:3.9 X 10_4Pa
[0082]温度条件:无加热(具体而言为30°C )
[0083]基板的材料:玻璃
[0084]成膜材料:ITO
[0085]膜厚:20nm
[0086]在实验例2所涉及的实施例2中，除了将成膜腔室内的压力设为0.25Pa，将成膜腔室内的水分分压设为3.5X 10_4Pa的点以外，以与实施例1相同的条件制造出基板上的ITO膜。
[0087]在实验例2所涉及的实施例3中，除了将成膜腔室内的水分分压设为5.8X 10_4Pa的点以外，以与实施例1相同的条件制造出基板上的ITO膜。
[0088]在实验例2所涉及的比较例I中，除了将成膜腔室内的压力设为0.33Pa，将成膜腔室内的水分分压设为4.1X 10_4Pa的点以外，以与实施例1相同的条件制造出基板上的ITO膜。
[0089]在实验例2所涉及的比较例2中，除了将成膜腔室内的压力设为0.6Pa，将成膜腔室内的水分分压设为3.3X 10_4Pa的点以外，以与实施例1相同的条件制造出基板上的ITO膜。
[0090]在实验例2所涉及的比较例3中，除了将成膜腔室内的水分分压设为7.0X 10_4Pa的点以外，以与实施例1相同的条件制造出基板上的ITO膜。
[0091]关于实施例1~3及比较例I~3，测定执行退火工序之前的方块电阻，并且测定执行退火工序之后的方块电阻。而且，由该测定结果进行是否有低温的退火处理的效果(是否通过退火处理推进了 ITO膜的低电阻化)的评价。另外，当方块电阻下降20%以上时，评价为“有退火效果”。将评价结果示于图4。
[0092]图4 Ca)是排列实施例1、实施例2、比较例I及比较例2的评价结果的表格。实施例1、实施例2、比较例I及比较例2均满足水分分压5.8X 10_4Pa以下的条件，但比较例
1、2不满足压力为0.3Pa以下的条件。关于实施例1、2评价为有退火效果，关于比较例1、2评价为无退火效果。由图4 (a)的评价结果可知，通过将压力设为0.3Pa可产生低温退火的效果。
[0093]图4 (b)是排列实施例1、实施例3及比较例3的评价结果的表格。实施例1、实施例3及比较例3的压力均为2.0Pa，满足0.3Pa以下的条件，但比较例3不满足水分分压
5.8X IO-4Pa以下的条件。关于实施例1、3评价为有退火效果，关于比较例3评价为无退火效果。由图4 (b)的评价结果可知，通过将水分分压设为5.8X10_4Pa以下可更可靠地产生低温退火的效果。另外，在实验例1、2中作为基板的材料使用玻璃，但使用树脂材料也可获得相同的结果。
【权利要求】
1.一种膜制造方法，其特征在于，具备: 成膜工序，在该工序中通过离子镀法在成膜对象物上形成氧化铟膜；及 退火工序，该工序在所述成膜工序之后，对所述氧化铟膜进行退火处理， 在所述成膜工序中，将腔室内的压力设为0.3Pa以下，将所述成膜对象物的温度设为100°C以下， 在所述退火工序中，在100°c以下对所述氧化铟膜进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的膜制造方法，其特征在于， 在所述成膜工序中，将所述腔室内的水分分压设为5.8X10 —4Pa以下。
3.根据权利要求2所述的膜制造方法，其特征在于， 在所述成膜工序中，将所述腔室内的水分分压设为3.9X10 —4Pa以下。
4.一种膜制造装置，其特征在于，具备: 成膜装置，其通过离子镀法在成膜对象物上形成氧化铟膜 '及 退火装置，其对通过所述成膜装置形成于所述成膜对象物上的所述氧化铟膜进行退火处理， 所述成膜装置具有: 真空腔室；· 压力维持构件，其将成膜时的所述真空腔室内的压力维持在0.3Pa以下；及 温度维持构件，其将成膜时的所述成膜对象物的温度维持在100°C以下， 所述退火装置具有在100°C以下对所述氧化铟膜进行加热的退火炉。
5.根据权利要求4所述的膜制造装置，其特征在于， 所述成膜装置具有将成膜时的所述腔室内的水分分压维持在5.8 X 10 — 4Pa以下的水分分压维持构件。
6.根据权利要求5所述的膜制造装置，其特征在于， 所述水分分压维持构件将成膜时的所述腔室内的水分分压维持在3.9X 10 —4Pa以下。
【文档编号】C23C14/08GK103572208SQ201310200298
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年5月27日 优先权日:2012年8月8日
【发明者】筑后了治, 牧野博之 申请人:住友重机械工业株式会社