蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法

文档序号:3290449阅读:223来源:国知局
蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法
【专利摘要】本发明涉及蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法。具体而言,本发明涉及用于蚀刻多层金属膜的蚀刻剂组合物,其中所述多层金属膜包括由Cu或Cu合金组成的一或多个层和由Mo或Mo合金组成的一或多个层,且所述蚀刻剂组合物包含数量从约50wt%至约80wt%的磷酸;数量从约0.5wt%至约10wt%的硝酸;数量从约4wt%至约30wt%的醋酸;数量从约0.5wt%至约6wt%的含氯化合物;以及就所述蚀刻剂组合物的总重量而言占剩余量的水,以及用于通过使用所述蚀刻剂组合物蚀刻所述多层金属膜的方法。
【专利说明】蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法
交叉参考相关申请 本申请要求2012年7月24日提交的申请号为10-2012-0080621的韩国专利申请的权益。该在先申请的全部公开内容通过参考整体并入本文。
【技术领域】[0001]本公开涉及蚀刻剂组合物以及用于通过使用该蚀刻剂组合物蚀刻多层金属膜的方法。
【背景技术】[0002]作为具有低电阻值的金属电极,理想的是使用铜(Cu)。在铜膜下面形成钥(Mo)膜作为扩散阻挡膜,从而可制造和使用Cu/Mo双层膜状电极。[0003]通过蚀刻Cu/Mo双层膜,可形成和使用具有所希望图案的Cu/Mo双层膜。作为用于执行该蚀刻工艺的蚀刻剂组合物,基于过氧化氢的蚀刻剂组合物可被使用。例如,
【发明者】徐宗铉 申请人:攀时欧洲公司
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