极薄小薄片状银粉及其制造方法

极薄小薄片状银粉及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种极薄小薄片状银粉，将其作为导电填料使用时，能够将导电材料薄而均匀涂布，即使柔性电路或导电性橡胶等变形时电阻的变化小，激光衍射法50％粒径为3～8μm，平均厚度为20～40nm。另外，通过具有准备厚度为60～130nm的小薄片状银粉材料的工序、以及利用使用了直径为0.015～0.2mm的介质的介质搅拌型湿式粉碎装置将上述小薄片状银粉材料延展至平均厚度为20～40nm的工序的制造方法，提供上述极薄小薄片状银粉。
【专利说明】极薄小薄片状银粉及其制造方法

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种极薄小薄片状银粉及其制造方法。

【背景技术】
[0002] 电子部件、电子机器的框体中，为了赋予导电性，使用在树脂中添加了导电填料的 导电材料，加工成导电浆料、导电油墨、导电涂料等，用于导电回路形成、电磁波屏蔽、电容 器的电极形成等。
[0003]近年来，随着便携电话、智能手机、平板终端等的电子机器的小型化、薄型化、轻量 化发展，也要求电子机器内所使用的电子部件小型化、薄型化、薄壁化。另外，伴随电子机器 的高性能化、高功能化，对电子机器自身也要求具有柔性、伸缩性。因此，对电子部件中所使 用的导电材料也要求比现有的更薄，且能够均匀地涂布，具有耐弯折性、耐伸缩性。
[0004] 为了使这样的导电材料比现有的导电材料更薄且均匀地涂布，必须使导电填料自 身更薄。另外，为了提高耐弯折性、耐伸缩性，要求导电填料均匀地分散，即使导电填料的密 度一部分伴随导体的变形而发生变化，也能够维持良好的导电性。为此，期望一种能够以少 的使用量展现充分的导电性的导电填料。对于上述的要求，至今提出了多种方案（例如，专 利文献1?6)。
[0005] 作为导电填料，已知有将导电性优异的银制成小薄片状的银粉。专利文献1中提 出了通过湿式粉碎制造、具有小薄片状的粒形、激光衍射法50%粒径为3?8ym、表观密度 为0. 4?1.lg/cm3、BET法比表面积为1. 5?4. 0m2/g的导体浆料用银粉及其制造方法。
[0006] 作为导电填料使用银粉的其它的例子，专利文献2中，记载了通过在保护胶体存 在下将银盐的络合物还原，制造由平均厚度为50nm以下的极薄板状银颗粒构成的银粉。
[0007] 专利文献3中记载了通过湿式还原法制造利用扫描型电子显微镜像（SEM)的图 像解析得到的一次颗粒的平均长径为〇. 1?1. 〇ym、上述一次颗粒的平均厚度为10? 100nm、上述平均长径的CV值（=标准偏差〇 /平均长径）为0. 3以下的扁平银粉。
[0008] 作为非常薄的金属颗粒，专利文献4、5中记载了将金属的蒸镀膜粉碎制得的金属 颗粒的方法。
[0009] 另外，专利文献6中记载了使用将鳞片状银粉与树枝状镀银的铜粉的混合银粉 末、具有耐弯折性的柔性电子回路基板用导电性浆料组合物。
[0010] 现有技术文献
[0011] 专利文献
[0012] 专利文献1 :日本特开2003-55701号公报
[0013] 专利文献2 :日本特开2004-183010号公报
[0014] 专利文献3 :日本特开2009-13449号公报
[0015] 专利文献4 :日本特开2008-303414号公报
[0016] 专利文献5 :日本特开2011-52041号公报
[0017] 专利文献6 :日本特开2009-230952号公报


【发明内容】

[0018] 发明所要解决的课题
[0019] 为了使电子部件更加小型化、薄型化、薄壁化，需要使电子部件内所使用的导电材 料、特别是导电浆料比现有更加薄地涂布。然而，现有的厚度的粉末在薄地涂布时容易产生 不均匀处，难以均匀地涂布。
[0020] 另外，电容器的电极，例如，钽电容的电极是通过浸涂银浆料来形成，要求通过一 次浸渍便能够将浆料均匀地涂布并遮蔽底层。然而，使用现有的银粉末的银浆料，在电容器 的边缘部分容易产生不均匀处，将底层覆盖并遮蔽的能力（遮蔽力）不够充分。
[0021] 另外，在伴随弯折的柔性电路等的伴随导电通路的变形的用途、伴随伸缩的导电 性橡胶等在延伸性材料中的使用等伴随导电材料自身的变形的用途中，具有作为浆料内部 的导电填料的银颗粒之间的接触点减少、使导电通路的网络断开，从而导致电阻变高的问 题。
[0022] 使用含有鳞片状粉末的导电浆料形成的电子回路，由于导电性物质的比表面积 大，接触电阻小，因此，能够确保具有良好的导电性。然而，即使使用这样的导电浆料，在柔 性膜形成电子回路的情况下，有时由于弯折，导致导电性物质之间或与基板之间的贴附性 受损，使电子回路断开，使导电性受损。
[0023] 要求电极的柔软性的传动装置等的电子机器中，期望伸长150%时的电阻小于 1000DMm。然而，将现有的银粉末作为填料使用时，即使用于柔软的树脂也会存在以下情 况：因填料的添加量多而导致硬化，由延伸导致电极被破坏，或者，作为导电填料的银颗粒 之间的接触断开，电阻变高。
[0024] 在得到小薄片状银粉的方法中，有自下而上法和自上而下法。作为自下而上法的 例子，有如专利文献2、3记载的湿式还原法，专利文献4、5所记载的将蒸镀膜粉碎的方法。 然而这样的方法不适于量产，制造成本高。另一方面，自上而下法是通过将出发原料的粉末 粉碎加工来得到目标粒度、厚度的粉末的方法。然而，现有的粉碎法中，与颗粒的扁平化相 比，更优先发生细微化?凝聚，难以得到极薄小薄片状粉末。
[0025] 用于解决课题的方法
[0026] 本发明的发明人进行了深入研宄，结果发现，使用具有与现有的小薄片状银粉同 程度的粒径但比现有的小薄片状银粉厚度小的极薄小薄片状银粉作为导电填料使用时，能 够得到优异的均匀涂布性、耐弯折性、耐伸缩性，从而完成了本发明。而且，利用使用了微小 的介质的介质搅拌型湿式粉碎装置将小薄片状银粉延展、破碎，能够通过适于量产的自上 而下法制造极薄小薄片状银粉。
[0027] 本发明的极薄小薄片状银粉的激光衍射法50%粒径为3?8ym，平均厚度为 20?40nm。这里，激光衍射法50%粒径（以下，有时简记为"D5Q"）是指通过激光衍射法测 得的体积基准的粒径分布中累积相对颗粒量为50 %时的中值径。
[0028] 通过形成为这样形态的极薄小薄片状银粉，在涂布导电材料时，能够薄而均匀地 涂布。另外，在柔性电路或导电性橡胶等延伸性材料中使用的情况下，即使出现回路的弯折 或延伸性材料的伸缩，也能够减小电阻的变化。
[0029] 优选上述极薄小薄片状银粉的表观密度为0.15?0.25g/cm3。这里，表观密度是 指以JISZ2504 :2000中所规定的方法测得的体积密度。由此，能够以更少的使用量表现充 分的导电性，能够减少导电填料的使用量。另外，形成涂膜时的涂布性（底层的遮蔽性）提 尚。
[0030] 优选上述极薄小薄片状银粉通过以120?150°C的温度进行热处理，在颗粒的外 周部和内部形成贯通颗粒的厚度方向的气孔，呈网眼状。更加优选形成上述气孔时的气孔 率为15?30%。由此，在柔性电路或导电性橡胶等延伸性材料中使用的情况下，即使出现 回路的弯折或延伸性材料的伸缩，银粉之间的接触也不容易受损，得到电子回路不易断线 的效果。
[0031] 此外，上述气孔率能够如下求出：从上述极薄小薄片状银粉的SEM照片的画像中 选择20个颗粒，使用图像解析软件测定与含有气孔的厚度方向垂直的颗粒水平面的面积 和上述颗粒水平面中分布的气孔的面积，通过气孔率（％)=(气孔的面积/含有气孔的颗 粒水平面的面积）X100来求出。
[0032] 本发明的极薄小薄片状银粉的制造方法是制造上述任意种的极薄小薄片状银粉 的方法，具有准备厚度为60?130nm的小薄片状银粉材料的工序，和利用使用了直径为 0. 015?0. 2_的介质的介质搅拌型湿式粉碎装置，将上述小薄片状银粉材料延展至平均 厚度为20?40nm的工序。
[0033] 这样通过对厚度为60?130nm的小薄片状银粉利用使用了微小的介质的介质搅 拌型湿式粉碎装置，能够通过适于量产的自上而下法制造具有上述规定的粒径和厚度的极 薄小薄片状银粉。
[0034] 优选上述极薄小薄片状银粉制造方法在上述延展工序之后，还具有对上述延展后 的极薄小薄片状银粉使用漩涡式气流分级机进行分散的工序。由此，能够将所得到的极薄 小薄片状银粉的表观密度降低至0. 15?0. 25g/cm3左右。
[0035] 优选上述极薄小薄片状银粉制造方法包括准备上述小薄片状银粉材料的工序，该 工序是利用使用了直径为〇. 1?1_的介质的搅拌球磨将粒状银粉小薄片化的工序。这里， 粒状银粉是指其形状不是小薄片状或纤维状的银粉。由此，能够以容易入手的粒状银粉为 出发原料，通过适于量产的自上而下法，制造具有上述规定的粒径和厚度的极薄小薄片状 银粉。
[0036] 发明的效果
[0037] 采用本发明的极薄小薄片状银粉，在涂布导电材料时，能够薄而均匀地涂布。另 夕卜，与现有的小薄片状银粉相比，虽然厚度约为一半，但粒径几乎相同，因此，在柔性电路或 导电性橡胶等的伴随有变形的用途中，在变形部位的银粉之间也保持充分的接触，能够确 保充分的导电性。

【专利附图】

【附图说明】
[0038]图1是比较例1的小薄片状银粉（实施例1、2和比较例2的小薄片状银粉材料） 的SEM照片。
[0039] 图2是实施例1的极薄小薄片状银粉的照片。
[0040] 图3是实施例2的极薄小薄片状银粉的SEM照片。
[0041]图4是实施例2的极薄小薄片状银粉的平均厚度测定中所使用的SEM照片。
[0042] 图5是将实施例2的极薄小薄片状银粉以150°C热处理30分钟后的SEM照片。
[0043] 图6是将比较例1的小薄片状银粉材料以150°C热处理30分钟后的SEM照片。
[0044] 图7是表示水面覆盖面积测定装置的构造的图。
[0045] 图8是表示银粉含量与导电膜的体积电阻率的关系的图。
[0046] 图9是说明耐弯折性试验方法的图。
[0047] 图10是表示耐弯折性试验结果的图。
[0048] 图11是说明耐伸缩性试验方法的图。
[0049] 图12是表示耐伸缩性试验结果的图。

【具体实施方式】
[0050] 以下对本发明的一个实施方式进行说明。
[0051] 首先，边参照后述实施例的扫描型电子显微镜（SEM)照片边对本实施方式的极薄 小薄片状银粉进行说明。
[0052] 如图3所示，本实施方式的极薄小薄片状银粉具有小薄片状的形状。其激光衍射 法50%粒径（0 5。）为3?8 11111，平均厚度为20?4011111。本说明书中的05(|全部使用株式会 社岛津制作所生产激光衍射式粒度分布测定装置SALD3000J进行测定。另外，极薄小薄片 状银粉的平均厚度能够通过电子显微镜观察求得。例如，在图4所示的SEM观察中随机选 择视野内的20个颗粒测定厚度，能够将其平均值作为平均厚度。
[0053] 如果极薄小薄片状银粉的粒径或厚度过大，则难以将导电浆料薄而均匀地涂布， 另外，不能得到优异的耐弯折性、耐伸缩性。因此，需要使D5(l为Sum以下且平均厚度为40nm 以下，优选使D5(l为7ym以下且平均厚度为30nm以下。另一方面，如果极薄小薄片状银粉 的厚度过小，则操作性、加工性变差，在导电浆料制造工序等会发生银粉的凝聚或破坏的问 题。因此，需要使平均厚度为20nm以上。另外，即使厚度在20?40nm的范围内，如果粒径 过小，则即使具有能够将导电性糊料薄地涂布等的优点，但银粉之间的接触电阻变大使导 电性恶化。因此，需要使D5(l为3ym以上，优选使D5(l为4. 5ym以上。
[0054] 本实施方式的极薄小薄片状银粉的BET比表面积为4. 0?10. 0m2/g。由于银粉不 是多孔体，因此在小薄片状银粉的厚度和BET比表面积之间具有强的相关。若忽略小薄片 状的外周小口的表面积，则两者的关系能够用厚度（nm)N190/BET比表面积（m2/g)来表 不〇
[0055] 本实施方式的极薄小薄片状银粉的表观密度优选为0.1?0.4g/cm3,更加优选为 0. 15?0. 25g/cm3。如果表观密度过大，则不能够得到以少的使用量表现表现充分的导电 性的效果。如果表观密度过小，则后续工序中的浆料化或油墨化中会发生混合不良或粘度 上升等的问题。
[0056] 本实施方式的极薄小薄片状银粉通过以120?150°C的温度进行热处理，在颗粒 的外周部和内部，形成贯穿颗粒的厚度方向的气孔，呈网眼状。另外，呈该网眼状时的气孔 率为15?30%。图5是将后述实施例2的极薄小薄片状银粉以150°C热处理30分钟后的 SEM照片。根据图5,银粉颗粒在其外周部和内部形成贯穿颗粒的厚度方向的气孔，呈网眼 状。
[0057] 此外，本发明的发明人用以下的方法测定上述气孔率。从极薄小薄片状银粉的SEM 照片的画像选取20个颗粒，使用作为粉体专用图像解析工具的株式会社Mountech公司生 产图像解析软件Mac-View，对与含有气孔的厚度方向垂直的颗粒水平面的面积和上述颗粒 水平面中分布的气孔的面积分别进行了测定。测定时，由于上述颗粒水平面和气孔的形状 非常复杂，难以以自动模式对这些进行识别，因此，通过手动模式，使用专用笔等直接拓写 上述颗粒水平面或气孔等的边界线，求得其的面积。气孔率基于下式，以将气孔的面积除以 含有气孔的颗粒水平面的面积的值的百分数求得。
[0058] 气孔率（％ )=(气孔的面积/含有气孔的颗粒水平面的面积）X100
[0059] 本实施方式的极薄小薄片状银粉是通过自上而下法制造，由于该制造方法所引起 的特征如下所述。作为自下而上法的湿式还原法或蒸着法能够捕捉微颗粒的析出集合体， 在极薄小薄片状颗粒的情况下，致密化不够充分，呈分散有细微的气孔的小薄片状。相对于 此，对于通过自上而下法制造的极薄小薄片状银粉，由于粉碎加工使之极薄化的过程中受 到非常大的压缩应力的作用，如图5的SEM照片中可见，通过150°C、30分钟的热处理，在颗 粒的自由端的外周部分，由于再结晶化现象，变化为可见的具有开孔的多孔质状的网眼状 构造。由此，本实施方式的极薄小薄片状银粉能够通过实际安装时的加热处理变化成如上 所述的网眼状构造，使颗粒之间的接触或延伸性得到改善，例如作为触觉传感器等的金属 填料使用的情况下，即使在受到大的形变的严酷条件下，也能够保持颗粒之间的接触点，维 持导电性网络。
[0060] 接着，对上述实施方式的极薄小薄片状银粉的制造方法进行说明。
[0061] 本实施方式的极薄小薄片状银粉制造方法为，利用使用了直径为0. 015?0. 2mm 的介质的介质搅拌型湿式粉碎装置，对平均厚度为60?130nm的小薄片状银粉进行延展。
[0062] 作为用介质搅拌型湿式粉碎装置进行处理的材料的小薄片状银粉的D5(l优选为 3?8ym，更优选为5?7ym。另外，该小薄片状银粉材料的平均厚度优选为60?130nm， 更优选为80?llOnm。并且，小薄片状银粉材料的表观密度优选为0. 45?0. 85g/cm2,更优 选为0. 45?0. 75g/cm2。这是由于使用该范围外的小薄片状银粉材料时，无法通过使用了 直径为〇. 015?0. 2mm的介质的介质搅拌型湿式粉碎装置进行延展处理，或处理的效率低。
[0063] 小薄片状银粉材料的制造方法没有特别限定，例如，能够使用通过将粒状银粉以 搅拌球磨粉碎而制得的现有的小薄片状银粉。这样的小薄片状银粉，例如，能够如下地制 造：使用具备在具有圆筒状的内面的容器和设置在容器内的搅拌翼的搅拌球磨，向容器内 加入粒状银粉、小球、溶剂和处理剂，使上述搅拌翼旋转，使得在容器内产生5?300G的离 心力，将粒状银粉小薄片化。
[0064] 接着，利用使用了直径为0. 015?0. 2mm的介质的介质搅拌型湿式粉碎装置对小 薄片状银粉进行延展。
[0065] 小薄片状的粉末能够通过使用球磨、磨碎机等的粉碎机和介质（小球）对原料粉 末进行粉碎处理来得到。通过粉碎处理，对位于粉碎机内壁和介质之间、介质之间的颗粒作 用冲撞和剪切力，重复进行颗粒的延展、破碎、凝聚，由此，颗粒被加工成小薄片形状。随着 处理时间增加，小薄片状颗粒越来越薄，随之受到的粉碎作用越强，更容易破碎得更细。
[0066] 现有公知的粉碎方法虽然能够将小薄片厚度薄化至100nm左右，但难以将小薄片 状银粉进一步薄化。其原因在于，由于使用直径超过〇. 2_的介质，小薄片变薄，则冲撞力、 剪切力变得过大，破碎的效果大于延展的效果，因此，相比于延展至更薄，颗粒被破碎至更 细。
[0067] 另一方面，近年介质搅拌型湿式粉碎装置的开发兴盛，出现了能够使用0. 015? 0.2_的介质（微珠）的微珠磨。现有的装置在分离介质和处理物时使用分离器方式，但制 造具有极薄的间隙的分离器极其困难，在使用微珠时，会发生珠子的啮入、堵塞、偏析等的 故障。相对于此，微珠磨中在分离介质和处理物时使用离心分离结构。这些微珠磨中使用 微小介质，因此，能够抑制颗粒表面的活化能，能够不对颗粒产生损伤或有损颗粒形状地实 施温柔的粉碎。然而，这样的微珠磨是以纳米颗粒的粉碎、分散处理等为目的开发的，因此 能量过小，不适于以um级的颗粒为出发原料加工成小薄片状颗粒。
[0068] 对于这样的现有公知的方法，本实施方式中，预先准备了平均厚度为60?130nm、 优选为80?llOnm的小薄片状银粉，利用使用了直径为0? 015?0? 2mm的介质的介质搅拌 型湿式粉碎装置对其进行延展处理。当然该情况下，小薄片状银粉的延展和粉碎同时进行。 然而，若介质的径在上述范围内，则能够高效率地、不大幅改变小薄片状银粉的粒径地将厚 度极薄化至20?40nm。
[0069] 另外，将平均厚度为60?130nm、优选为80?llOnm的小薄片状银粉材料通过球 磨等制造的情况下，仅需在用于得到现有公知的小薄片状银粉的粉碎加工时添加一个利用 介质搅拌型湿式粉碎装置的延展工序，因此，能够抑制制造成本、运行成本，并且能够量产， 能够以低成本得到极薄小薄片状银粉。
[0070] 用于制造极薄小薄片状银粉的介质的直径优选为0. 015?0. 2mm，更加优选为 0. 05?0. 1mm。另外，介质的材质能够使用氧化错等。
[0071] 用于制造极薄小薄片状银粉的微珠磨没有特别限定，只要能够使用0.015? 0.2mm的微小介质即可，能够使用各种的微珠磨。作为这样的珠磨，能够例示日本 COKE&ENGINEERING株式会社生产的微珠对应湿式珠磨（MSC磨）、株式会社寿工业生产的 UltraApexMill、AIMEX株式会社生产的AlphaMill等。
[0072] 接着，使用漩涡式气流分散机对通过上述介质搅拌型湿式粉碎装置处理得到的极 薄小薄片状银粉进行解碎、分散处理。
[0073] 漩涡式气流分散是指不通过转子等的驱动部、而是使用由半自由涡流式的漩涡气 流产生的离心力和阻力进行颗粒的分级和分散处理。
[0074] 使用现有公知的各种的分级机、粉碎机的分散方法，难以避免颗粒之间或颗粒与 装置驱动部的碰撞、由附着导致的颗粒的凝聚、形状变化，因此，在用于导电性浆料时引起 无法均匀地涂布等的问题。相对于此，本实施方式中所使用的漩涡式气流分级机是采用半 自由涡式而没有转子等的可动部。通过使用漩涡式气流分散机，能够在延展工序中将凝聚 的极薄小薄片状银粉分散，提供能够以比现在小的添加量表现高的导电性的导电材料。
[0075] 实施例
[0076] 以下，例示实施例，对上述实施方式进行更详细的说明，但本发明不受这些所限 定。
[0077]《比较例1》
[0078] 比较例1中，作为导电填料使用市售的小薄片状银粉（福田金属箔粉工业株式会 社，NanomerutoAg_XF301S，D5(l= 6. 4um，平均厚度106nm)。在图1中表示比较例1的小 薄片状银粉的SEM照片。
[0079] 《实施例1》
[0080] 作为小薄片状银粉材料，使用比较例1的小薄片状银粉。将该粉末2. 5kg投入使 用了直径0. 1mm的微小介质的介质搅拌型湿式超微粉碎装置（日本COKE&ENGINEERING株 式会社，MSC-I00)，进行延展处理。在图2中表示所得到的极薄小薄片状银粉的SEM照片。
[0081] 《实施例2》
[0082] 将实施例1的极薄小薄片状银粉投入漩祸式气流分级机（NissinEngineering株 式会社，AerofineClassifierAC-20)，进行分散处理。在图3中表示所得到的极薄小薄片 状银粉的SEM照片。所得到的极薄小薄片状银粉的D5(l为3.8ym，平均厚度为22nm。平均 厚度通过制作银含量为75重量％的浆料后涂布在平的基板上，对其剖面进行SEM观察来测 量。在图4中表示测量平均厚度中所使用的SEM照片。
[0083] 《比较例2》
[0084] 与实施例1同样，使用小薄片状银粉材料和介质搅拌型湿式超微粉碎装置，但作 为介质使用直径〇. 8mm的珠子而非微小介质。所得到的粉末的D5(l为4. 3ym，平均厚度为 50nm〇
[0085] 《比较例3》
[0086] 作为出发原料，使用球状的微粒化粉末（福田金属箔粉工业株式会社， Ag-HWQ-5iim，D5(l= 2. 9ym)而非小薄片状银粉，与实施例1同样，使用介质搅拌型湿式超 微粉碎装置进行延展处理。虽然实施了 12小时的延展处理，但银颗粒未被小薄片化。
[0087] 在表1中表示实施例1、2和比较例1、2的银粉的由激光衍射测得的粒度分布、平 均厚度、BET比表面积、水面覆盖面积、表观密度的测定结果。D1(i、D5(i、D9(i是在通过激光衍射 法测得的体积基准的粒度分布中积算值分别为10 %、50 %、90 %时的粒径。
[0088] 此外，水面覆盖面积是作为印刷用的金属粉颜料的青铜粉或铝粉覆盖并遮蔽底层 的能力（遮蔽力）的代替指标所惯用的粉末特性。在图7中示意表示水面覆盖面积测定器 10的平面图和剖面图。称量作为样品的银粉0.lg，将其散撒入以固定框11和移动框12分 隔的水面13。使散撒的银粉通过水流充分扩散，将移动框12收窄（向图7中右方向移动）。 在水面13被小薄片状金属粉覆盖且该小薄片状金属粉的覆盖面即将出现褶皱的时刻停止 移动移动框12。最后，测量小薄片状金属粉的覆盖面积，以每单位重量的覆盖面积值（单位 cm2/g)表示。与BET比表面积不同，如果颗粒之间有凝聚则必然遮盖的面积变小，覆盖面积 值受颗粒之间的凝聚的程度的影响大。
[0089] [表 1]
[0090]

【权利要求】
1. 一种极薄小薄片状银粉，其特征在于： 激光衍射法50 %粒径为3?8 y m， 平均厚度为20?40nm。
2. 如权利要求1所述的极薄小薄片状银粉，其特征在于： 表观密度为0. 15?0. 25g/cm3。
3. 如权利要求1或2所述的极薄小薄片状银粉，其特征在于： 通过W 120?150°C的温度进行热处理，在颗粒的外周部和内部形成贯通颗粒的厚度 方向的气孔，呈网眼状。
4. 如权利要求3所述的极薄小薄片状银粉，其特征在于： 所述气孔率为15?30%。
5. -种权利要求1?4中任一项所述的极薄小薄片状银粉的制造方法，其特征在于，具 有： 准备厚度为60?130nm的小薄片状银粉材料的工序，和 利用使用了直径为0. 015?0. 2mm的介质的介质揽拌型湿式粉碎装置，将所述小薄片 状银粉材料延展至平均厚度为20?40nm的工序。
6. 如权利要求5所述的极薄小薄片状银粉的制造方法，其特征在于： 在所述延展工序后，还具有对所述延展后的极薄小薄片状银粉使用縱祸式气流分级机 进行分散的工序。
7. 如权利要求5或6所述的极薄小薄片状银粉的制造方法，其特征在于： 准备所述小薄片状银粉材料的工序包括利用使用了直径为0. 1?1mm的介质的揽拌球 磨将粒状银粉小薄片化的工序。
【文档编号】B22F1/00GK104470656SQ201380037972
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年5月16日 优先权日:2012年7月18日
【发明者】杉谷雄史, 松本诚一, 幸松美知夫, 西田元纪 申请人:福田金属箔粉工业株式会社