一种氧化硅抛光液及其制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种氧化硅抛光液，包括以下质量百分含量的各组分：胶体氧化硅10-50%，氧化剂双氧水1-5%，表面活性剂0.2-1%，缓蚀剂，0.2-2%，去离子水，48.6-89.6%。所述氧化剂为双氧水；所述表面活性剂聚乙二醇，十二烷基硫酸钠，二苯胺磺酸钠中的一种或其任意组合物。该抛光液用于铝合金基片抛光，能够减少氧化硅的结晶，从而降低铝合金表面划伤和划痕。
【专利说明】一种氧化硅抛光液及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及铝合金抛光【技术领域】，具体地，涉及一种氧化硅抛光液及其制备方法，该氧化硅抛光液用于铝合金基片抛光。
【背景技术】
[0002]铝合金因其轻薄坚固、塑性好、优良的导电性、导热性和抗蚀性，广泛应用于航空、航天、汽车、机械制造、船舶等工业中。近几年，铝合金的应用范围进一步扩大，在手机外壳、电脑外壳及边框等电子产品领域大量应用。
[0003]在生产过程中，铝合金毛培一般都是先经过数字控制机床中的刀具切割成初具形状的半成品，然后再经过几步表面研磨抛光等加工工艺后达到镜面效果。经过刀具切割的铝合金表面，存在大量刀纹，即宏观划痕。要实现铝合金表面的全局平坦化和镜面效果，化学机械抛光是目前唯一可行并可工业化生产的方法。其中，铝合金基片生产中最后一步抛光普遍采用氧化硅抛光液。然而，氧化硅结晶造成其表面形状和粗糙度难以控制，从而容易划伤铝合金表面从而在其上产生划伤。
【发明内容】
[0004]为了克服现有技术的不足，本发明提供了一种氧化硅抛光液及其制备方法，用于铝合金基片抛光，该抛光液能够减少氧化硅的结晶，从而降低铝合金表面划伤和划痕。
[0005]本发明的技术方案如下:一种氧化硅抛光液，包括以下质量百分含量的各组分:
[0006]
【权利要求】
1.一种氧化硅抛光液，其特征在于，包括以下质量百分含量的各组分:
2.如权利要求1所述的氧化硅抛光液，其特征在于，所述胶体氧化硅的平均粒径为12-100 纳米。
3.如权利要求1所述的氧化硅抛光液，其特征在于，所述胶体氧化硅的平均粒径为30-50纳米。
4.如权利要求1所述的氧化硅抛光液，其特征在于，所述缓蚀剂为磷酸氢二钠，醋酸、草酸、苯并三氮唑、硫脲和2-甲基咪唑，2-异丙基咪唑中的一种或数种的组合。
5.如权利要求?- α 任一项所述的氧化硅抛光液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 1)按配方分别称量各组分； 2)在所述氧化硅中加入所述表面活性剂，搅拌均匀，得混合物一； 3)然后在混合物一中加入缓蚀剂磷酸氢二钠，搅拌均匀，并用过滤器循环过滤一定时间，的混合物二； 4)在抛光前，在混合物二中加入氧化剂双氧水，搅拌均匀，即得到所述氧化硅抛光液。
【文档编号】C23F3/02GK103911617SQ201410093599
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2014年3月13日 优先权日:2014年3月13日
【发明者】曾名辉 申请人:深圳市宇泰隆科技有限公司