磁记录介质用无碱玻璃及使用该无碱玻璃的磁记录介质用玻璃基板的制作方法
【专利摘要】本发明提供同时满足高杨氏模量和高比弹性模量、化学耐久性高、密度低且强度高的磁记录介质用无碱玻璃及使用该无碱玻璃的磁记录介质用玻璃基板。本发明涉及一种磁记录介质用无碱玻璃，其中，以基于氧化物的质量％计含有SiO240～61、Al2O315～23.5、MgO2～20和CaO0.1～40，SiO2、Al2O3、CaO和MgO的含量满足[SiO2]+0.43×[Al2O3]+0.59×[CaO]-74.6≤0、且[SiO2]+0.21×[MgO]+1.16×[CaO]-83.0≤0。
【专利说明】磁记录介质用无碱玻璃及使用该无碱玻璃的磁记录介质用 玻璃基板
【技术领域】
[0001] 本发明涉及适合作为磁记录介质用基板玻璃、实质上不含有碱金属氧化物并且同 时满足高杨氏模量和高比弹性模量的无碱玻璃。
[0002] 另外，本发明涉及使用上述无碱玻璃的磁记录介质用玻璃基板。
【背景技术】
[0003] 随着磁记录介质的薄板化和记录密度的高密度化的发展，要求进一步减小硬盘驱 动器旋转中的翘曲、挠曲。另外，对磁记录介质的实用强度的要求也提高，为了应对该要求， 提高基板玻璃的断裂韧性是有用的。
[0004] 因此，对于磁记录介质用基板玻璃而言，为了减小硬盘驱动器旋转中的翘曲、挠曲 而要求高比弹性模量，并且，为了提高断裂韧性而要求高杨氏模量。
[0005] 另一方面，对于磁记录介质用基板玻璃、特别是在表面上形成金属或氧化物薄膜 等的磁记录介质用基板玻璃而言，要求例如专利文献1示出的以下所示的特性。
[0006] (1)磁记录介质用玻璃基板的制造工序中，大多使用含有二氧化铈磨粒的浆料进 行研磨。并且，为了清洗除去研磨后的浆料而使用pH为2以下的强酸性洗涤液或pH为12 以上的强碱性洗涤液，对这些化学品要具有充分的化学耐久性。
[0007] (2)为了加快磁记录层形成时的升温和降温速度而提高生产率或者提高耐热冲击 性，优选玻璃的线膨胀系数小的玻璃。
[0008] (3)近年来，伴随着硬盘驱动器的记录容量的增大，高记录密度化正在快速发展。 但是，伴随着高记录密度化，磁性粒子的微细化会损害热稳定性，串扰、再生信号的SN比降 低成为问题。因此，作为光与磁的融合技术，热辅助磁记录技术受到关注。该技术是在使对 磁记录层照射激光或近场光而局部加热后的部分的矫顽力降低的状态下施加外部磁场来 进行记录、并利用GMR元件等读取记录磁化的技术，由于能够在高保持力介质上进行记录， 因此，能够在保持热稳定性的同时使磁性粒子微细化。但是，为了将高保持力介质成膜为多 层膜，需要将基板充分加热，从而要求耐热性。在垂直磁记录方式中，为了应对高记录密度 化的要求，也提出了与以往不同的磁记录层，但这种磁记录层的成膜大多需要使基板达到 高温来进行。因此，为了应对磁记录层的成膜温度的高温化而要求提高耐热性。
[0009] (4)研磨或清洗后的基板表面要充分平滑。
[0010] (5)为了减轻硬盘驱动器旋转时的电动机负荷、降低耗电量，要求磁盘的轻量化， 玻璃本身也期望为密度小的玻璃。
[0011] (6)为了不发生破裂，强度要高。
[0012] 另一方面，在制造磁记录介质用基板时，为了将玻璃基板的主表面精加工至平滑， 对该主表面进行镜面研磨（参考专利文献2)。上述镜面研磨中，使研磨垫与玻璃基板的主 表面接触，向该玻璃基板的主表面供给含有研磨磨粒的酸性（PH1?3)的研磨液，并使该玻 璃基板与上述研磨垫相对移动而对该玻璃基板的主表面进行研磨。
[0013] 现有技术文献
[0014] 专利文献
[0015] 专利文献1 :日本特开2012-106908号公报
[0016] 专利文献2 :日本特开2007-257810号公报
【发明内容】
[0017] 发明所要解决的问题
[0018] 本发明的目的在于提供适合作为磁记录介质用基板玻璃、同时满足高杨氏模量和 高比弹性模量、化学耐久性高、密度低且强度高的无碱玻璃及使用该无碱玻璃的磁记录介 质用玻璃基板。
[0019] 另外，本发明的目的在于提供在实施镜面研磨时玻璃基板主表面的表面粗糙度的 劣化得到抑制的磁记录介质用玻璃基板的制造方法。
[0020] 用于解决问题的手段
[0021] 本发明提供一种磁记录介质用无碱玻璃，其中，
[0022] 以基于氧化物的质量％计含有：
[0023] Si02 40?61、 Al2〇3 15 ?23.5、 MgO 2?20、和 C：aO 0.1-40,
[0024] Si02、A1203、CaO 和 MgO 的含量满足：
[0025] [Si02]+0. 43X [Α1203]+0· 59X [Ca0]-74. 6 彡 0、且
[0026] [Si02]+0. 21 X [Mg0]+1. 16X [CaO]-83. 0 ^ 0〇
[0027] 另外，本发明提供一种磁记录介质用玻璃基板，其使用本发明的磁记录介质用无 碱玻璃制成。
[0028] 另外，本发明提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法，包括使用研磨垫和含有研磨 磨粒的pH小于7的研磨液对玻璃基板的主表面进行镜面研磨的镜面研磨工序，并且使用本 发明的磁记录介质用无碱玻璃来制造磁盘用玻璃基板，所述制造方法的特征在于，
[0029] 所述镜面研磨工序中，在由下述式⑴导出的玻璃成分的溶出速率 f(y g · cnT2 ·分钟，满足下述式⑵的条件下实施镜面研磨，
[0030] f = f0 · 10α ·ρΗ+0 · exp(-y/T) (1)
[0031] 式（1)中，& = 7.93父1〇6，关于〇、0，在所述无碱玻璃的51〇2含量￥为6〇质 量％以上时，α =0.0121 Xw-1. 46、β =-0.0868 Xw+4. 38,在所述无碱玻璃的Si02含量 w 小于 60 质量％ 时，a = 0.0562 Xw-4. 07、β =-0.381 Xw+21. 8, pH 为研磨液的 pH 值， y = 5. 81 ΧΙΟ3,
[0032] 1 X 1(Γ3 < f < 1 (2)。
[0033] 发明效果
[0034] 本发明的无碱玻璃适合作为磁记录介质用基板玻璃。
【专利附图】
【附图说明】
[0035] 图1是对于以Si02、A1203、MgO和CaO为主要成分的无碱玻璃，示出了无碱玻璃的 Si02含量（w)与玻璃成分的溶出速率f的关系的图，在（模拟）研磨液的温度为50°C、70°C、 90°C这3种条件下实施而得到。
[0036] 图2是对于以Si02、A1203、MgO和CaO为主要成分的无碱玻璃，示出了无碱玻璃的 Si02含量（w)与玻璃成分的溶出速率f的关系的图，在（模拟）研磨液的pH值为1、2、3这 3种条件下实施而得到。
[0037] 图3是表示玻璃基板的主平面的镜面研磨中使用的双面研磨装置的概略的局部 截面立体图。
【具体实施方式】
[0038] 接着，对各成分的组成范围进行说明。为了提高失透粘性且保持化学耐久性，将 Si02设定为40% (质量％，以下只要没有特别说明则相同）以上。优选为45%以上，更优 选为50%以上，进一步优选为53%以上，特别优选为55%以上。另外，为了保持高杨氏模 量，设定为61 %以下。更优选为60. 5%以下，进一步优选为60%以下。
[0039] 通过含有A1203,杨氏模量和比弹性模量提高，但失透温度不升高，因此，为了确保 熔化性并且为了确保化学耐久性，设定为23. 5%以下。优选为23%以下，更优选为22%以 下，进一步优选为21%以下，特别优选为20%以下。另外，为了不使失透温度升高，设定为 15%以上。优选为16%以上，更优选为17%以上，进一步优选为18%以上，特别优选为19% 以上。
[0040] MgO有助于杨氏模量和比弹性模量的提高，因此设定为2%以上。优选为3%以上， 更优选为6%以上，进一步优选为8%以上，特别优选为10%以上。另外，为了抑制失透温度 的过度升高、化学耐久性的过度降低，设定为20%以下。优选为18%以下，更优选为17%以 下，进一步优选为16%以下，特别优选为15%以下。
[0041] 通过含有CaO,能够降低失透温度、提高杨氏模量，但含量过多时，由于与Si02的过 度置换而使密度升高、比弹性模量降低。因此，设定为40%以下。优选为30%以下，更优选 为25%以下，进一步优选为20%以下，特别优选为15%以下。另一方面，低于0. 1 %时，无 法发挥上述的提高杨氏模量的效果。优选为1 %以上，更优选为5 %以上，进一步优选为8 % 以上，特别优选为10%以上。
[0042] 本申请发明人对于以Si02、Al203、Mg0和CaO为主要成分的无碱玻璃详细研究了玻 璃的组成与物性的关系，结果发现，为了同时提高杨氏模量和比弹性模量，需要设定为与各 成分的贡献度相应的特定的配合比例。通过设定为同时满足下述式（3)、（4)的配合比例， 能够同时实现94. 5GPa以上的高杨氏模量和34. 5Pa/g · cm_3以上的高比弹性模量。
[0043] [Si02] +0· 43 X [A1203] +0· 59 X [CaO] -74. 6 彡 0 (3)
[0044] [Si02] +0· 21 X [MgO] +1. 16 X [CaO] -83. 0 彡 0 (4)
[0045] 上述式（3)表不用于满足杨氏模量94. 5GPa以上的配合比例，上述式（4)表不用 于满足比弹性模量34. 5Pa/g · cnT3以上的配合比例。偏离上式（3)、（4)的范围时，无法同 时满足杨氏模量和比弹性模量的目标特性。
[0046] 在不妨碍本发明的效果的范围内，可以含有其他成分、例如以下的成分。这种情况 下，为了抑制杨氏模量的降低等，其他成分优选低于5 %，更优选低于3 %，进一步优选低于 1 %，进一步更优选低于0. 5 %，特别优选实质上不含有、即除不可避免的杂质以外不含有。 因此，本发明中，Si02、A120 3、CaO和MgO的合计含量优选为95%以上，更优选为96%以上， 更优选为97 %以上，进一步优选为99 %以上，进一步更优选为99. 5 %以上。特别优选实质 上由Si02、Al203、Ca0和MgO构成，即除不可避免的杂质以外由Si0 2、Al203、Ca0和MgO构成。
[0047] 为了提高玻璃的耐化学品性，可以含有低于3%的B203。另一方面，由于含有B 203而 使杨氏模量降低，因此，优选的含量低于1 %，更优选低于〇. 5 %。特别优选实质上不含有。
[0048] 通过含有Zr02，能够提高杨氏模量，但同时会使失透温度升高，因此，含量优选设 定为低于3 %，更优选低于1 %，进一步更优选低于0. 5 %。特别优选实质上不含有。
[0049] 为了提高熔化性，可以在不损害力学特性、具体而言为杨氏模量和比弹性模量的 范围内含有SrO和BaO。优选各自低于1%，进一步更优选低于0.5%。特别优选实质上不 含有。
[0050] 另外，为了不使制造磁记录介质时设置在玻璃表面的金属或氧化物薄膜产生特性 劣化，优选本发明的玻璃不含有超过杂质水平的（即实质上不含有）碱金属氧化物。另外， 为了使玻璃容易再利用，优选实质上不含有PbO、As 203、Sb203。
[0051] 另外，本发明中，为了改善玻璃的熔化性、澄清性、成形性，可以在玻璃原料中含有 以总量计低于1%、优选低于0. 5%、更优选低于0. 3%、进一步更优选低于0. 1%的ZnO、 S03、Fe203、F、Cl、Sn02。
[0052] 本发明的无碱玻璃的杨氏模量优选为94. 5GPa以上，断裂韧性提高，适合要求玻 璃板的薄板化的磁记录介质用基板玻璃。
[0053] 另外，本发明的无碱玻璃的比弹性模量优选为34. 5Pa/g μπΓ3以上，硬盘驱动器旋 转时的翘曲、挠曲减小。因此，能够应对磁记录介质的高密度化。
[0054] 本发明的无碱玻璃例如可以通过如下方法制造。将通常使用的各成分的原料以达 到目标成分的方式进行调配，将其连续投入到熔炼炉中，加热至1550?1650°C使其熔融。 将该熔融玻璃通过浮法成形为预定的板厚，退火后进行切割，由此能够得到平板玻璃。
[0055] 在使用本发明的无碱玻璃制造磁盘用玻璃基板的情况下，将通过上述步骤得到的 平板玻璃加工为预定形状的玻璃基板后，使用研磨垫和含有研磨磨粒的pH小于7的研磨液 对该玻璃基板的主表面进行镜面研磨。
[0056] 本发明中，在由下述式（1)导出的玻璃成分的溶出速率f (μ g· cnT2·分钟，满 足下述式（2)的条件下实施镜面研磨。
[0057] f = f〇 · 10α，ρΗ+0 · exp(-y/Τ) (1)
[0058] (式（1)中，& = 7.93父1〇6，关于〇、0，在无碱玻璃的51〇2含量《为6〇质量％ 以上时，α =〇.〇121Xw-1.46、β =-0.0868Xw+4.38,在无碱玻璃的Si02含量w小于 60质量％时，〇= 0.0562父￥-4.07、3=-0.381父￥+21.84!1为研磨液的口!1值，￥ = 5. 81X103)
[0059] 1 X 10-3 ^ f ^ 1 (2)
[0060] 上述式（1)是对于本发明的无碱玻璃、即以Si02、Al203、Mg0和CaO为主要成分的 无碱玻璃，将给玻璃成分在pH小于7的研磨液中的溶出速率f带来影响的因子特定为无碱 玻璃的Si02含量（w)、研磨液的温度⑴和研磨液的pH值（pH)这3个因子并对这些特定 的因子给玻璃成分的溶出速率f带来的影响进行定量、公式化而得到的式子。
[0061] 通过在由上述式（1)导出的玻璃成分的溶出速率f满足上述式（2)的条件下实施 镜面研磨，能够抑制玻璃基板的主表面的表面粗糙度的劣化。另外，抑制玻璃成分的溶出给 研磨液的pH值带来的变动，从而确保稳定的研磨加工速度。
[0062] f大于1 μ g · cnT2 ·分钟4时，玻璃基板的主表面的表面粗糙度劣化。另外，由于 玻璃成分的溶出而使研磨液的pH值产生变动，无法确保稳定的研磨加工速度。
[0063] 另一方面，f小于IX 1(Γ3μ g · cnT2 ·分钟η时，研磨加工速度显著降低，因此生产 率降低。
[0064] 本发明中，通过在由下述式（1)导出的玻璃成分的溶出速率f (μ g ·αιΓ2 ·分钟1 满足下述式（2)的条件下实施镜面研磨，能够使用属于本发明的任意组成的无碱玻璃制造 平坦度极高的磁盘用玻璃基板。
[0065] 为了在满足上述式（2)的条件下实施镜面研磨，根据磁盘用玻璃基板的制造中使 用的无碱玻璃的Si02含量（W)来适当调节研磨液的温度（Τ)和/或研磨液的pH值（pH)即 可。
[0066] 图1是对于以Si02、A1203、MgO和CaO为主要成分的无碱玻璃，示出了无碱玻璃的 Si02含量（W)与玻璃成分的溶出速率4的关系的图。图1中的块（点）为通过下述步骤 求出的溶出速率的实测值。
[0067] 玻璃成分的溶出速率f通过如下步骤算出：制作纵和横为40mm、厚度为1mm的双 面进行了镜面研磨的玻璃基板，将其在盐酸中浸渍5小时至45小时，测定浸渍前后的质量 差。
[0068] 另外，作为（模拟）研磨液，使用pH值为1的盐酸。在（模拟）研磨液的温度（T) 为50°C、70°C、90°C这3种条件下实施。
[0069] 图2与图1相同，是表示无碱玻璃的Si02含量（w)与玻璃成分的溶出速率f的关 系的图。其中，（模拟）研磨液的温度（T)仅设定为90°C，在（模拟）研磨液的pH值为1、 2、3这3种条件下实施。图2中的块（点）为通过上述步骤求出的溶出速率的实测值。
[0070] 上述玻璃基板的预定形状没有特别限定，若列举一例，则为中央部具有圆孔的圆 盘形状。
[0071] 在加工为预定形状的玻璃基板后，在对玻璃基板的主表面进行镜面研磨之前，通 常，使用游离磨粒或固定磨粒工具对玻璃基板的上下两主平面进行磨削（lapping)加工。 另外，在玻璃基板的形状为中央部具有圆孔的圆盘形状的情况下，对玻璃基板的内周端面 和外周端面进行研磨。
[0072] 玻璃基板的主表面的镜面研磨可以使用例如图3所示的双面研磨装置。该双面研 磨装置20具有以上下相对的方式配置的上平台201和下平台202、以及配设在它们之间的 托板30。托板30在其保持部上保持有多片玻璃基板10。在上平台201和下平台202的与 玻璃基板10相对的面上各自安装有由树脂等构成的研磨垫40、50。
[0073] 使用图3所示的双面研磨装置20的玻璃基板的主表面的镜面研磨通过以下的步 骤实施。
[0074] 在托板30的保持部上保持有玻璃基板10的状态下，将玻璃基板10夹持在上侧的 研磨垫40的研磨面与下侧的研磨垫50的研磨面之间。研磨垫40、50的研磨面是指与作为 研磨对象物的玻璃基板10接触的面。
[0075] 在将上侧和下侧的研磨垫40、50的研磨面分别按压到玻璃基板10的两主表面上 的状态下，向玻璃基板10的两主表面供给含有研磨磨粒的pH小于7的研磨液，并且，使托 板30在自转的同时围绕太阳齿轮203的周围公转，且使上平台201和下平台202分别以预 定的转速旋转，由此，对玻璃基板10的两主表面同时进行镜面研磨。
[0076] 作为研磨垫，优选由软质或硬质的发泡树脂构成的研磨垫，特别优选由软质发泡 聚氨酯树脂构成的研磨垫。
[0077] 作为研磨液，优选含有平均一次粒径为1?80nm的二氧化硅粒子作为研磨磨粒。 为了维持研磨速度，二氧化硅粒子的平均一次粒径优选为lnm以上。为了使通过研磨得到 的主平面的表面粗糙度为较小的适当值，二氧化硅粒子的平均一次粒径优选为80nm以下。 二氧化娃粒子的平均一次粒径更优选为1?60nm的范围，进一步优选1?50nm的范围，特 别优选1?40nm的范围。另外，该平均一次粒径可以使用激光衍射/散射式的粒度分布仪、 动态光散射方式的粒度分布测定装置或电子显微镜来测定。
[0078] 研磨液中含有的二氧化硅粒子的一部分可以以凝聚粒子（二次或三次粒子）的形 式存在。研磨液中的二氧化硅粒子的平均粒径可以使用动态光散射方式的粒度分布测定仪 (例如，日机装株式会社制造，产品名：UPA-EX150)来测定，这样测定的二氧化硅粒子的平 均粒径（D 5CI)测定的是一次粒径和二次以上的粒径。这样测定的研磨液中的二氧化硅粒子 的平均粒径（D5CI)优选为10?40nm的范围。另外，D 5(l是以体积为基准的累积50%粒径。 艮P，在以体积为基准求出粒度分布并将总体积设为100%的累积曲线中累积值为50%的点 的粒径。
[0079] 研磨液中含有水作为研磨磨粒的分散介质。对于水没有特别限制，从对后述的其 他成分的影响小、杂质的混入少、对pH等的影响小的观点出发，优选使用纯水、超纯水、离 子交换水等。并且，在研磨磨粒为二氧化硅粒子的情况下，研磨液中的二氧化硅粒子的含有 比例（浓度）优选设定为3?30质量％。在二氧化硅粒子的含有比例低于3质量％的情 况下，难以得到充分的研磨速度。另外，如果含有比例超过30质量％，则在通过后述的步骤 将研磨液的pH值调节为小于7时，二氧化硅粒子容易发生凝聚。二氧化硅粒子的含有比例 更优选为5?25质量％，进一步优选7?20质量％，特别优选10?18质量％。
[0080] 本发明中，使用pH值小于7的研磨液的理由在于，在使用pH值为7以上的研磨液 的情况下，研磨速度降低，无法充分地提高生产率。如上所述，研磨液的pH值为了在满足上 述式（2)的条件下实施镜面研磨而进行适当调节，优选pH值为0. 5?6的范围，更优选pH 值为0. 5?5的范围，特别优选pH值为1?4. 5的范围。
[0081] 为了使研磨液的pH值小于7,作为研磨磨粒的分散介质的水含有无机酸或有机 酸。
[0082] 作为无机酸，可以列举：盐酸、硝酸、磷酸、氢氟酸等。其中，硫酸或盐酸容易获得， 且对使用者、环境等的影响小，因此优选。
[0083] 作为有机酸，可以列举：抗坏血酸、柠檬酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、富马酸、马来 酸和邻苯二甲酸等。另外，作为有机酸，可以优选使用具有羧基的羧酸。更优选具有2个以 上羧基的2元以上的多元羧酸。2元以上的多元羧酸通过络合形成作用使研磨速度提高，并 且具有抑制磨粒的凝聚从而抑制研磨伤痕的产生的作用。即，2元以上的多元羧酸通过捕 捉玻璃基板的镜面研磨时产生的金属离子并形成络合物（螯合物）而有助于研磨速度的提 高，并且具有抑制二氧化硅粒子的凝聚的作用。
[0084] 作为2元以上的多元羧酸，具体而言，可以列举：柠檬酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、 富马酸、马来酸和邻苯二甲酸等。特别优选柠檬酸。
[0085] 在玻璃基板的主表面的表面粗糙度达到预定值的时刻结束镜面研磨。
[0086] 对于作为目标的表面粗糙度而言，例如算术平均粗糙度（Ra)为0. 4nm以下、最大 峰高（Rp)为2nm以下。算术平均粗糙度（Ra)优选小于0· 2nm。最大峰高（Rp)优选为1. 5nm 以下。
[0087] 对镜面研磨后的玻璃基板进行清洗（例如，精密清洗），得到磁盘用玻璃基板。镜 面研磨后的玻璃基板的清洗中，例如，在使用洗涤剂进行擦洗后，依次进行在浸渍于洗涤剂 溶液中的状态下的超声波清洗、在浸渍于纯水中的状态下的超声波清洗。清洗后的干燥例 如通过利用异丙醇蒸气的蒸气干燥来进行。在这样得到的磁盘用玻璃基板的主表面上形成 磁性层等薄膜，从而制造磁盘。
[0088] 实施例
[0089] 以下，例1?50为实施例，例51?54为比较例。将各成分的原料以达到目标组 成的方式进行调配，使用钼坩埚在1550?1650°C的温度下熔化。熔化时，使用钼搅拌器搅 拌来进行玻璃的均质化。接着，使熔化玻璃流出，成形为板状后进行退火。
[0090] 表1?9中示出了包含式（3)、（4)的数值的玻璃组成（单位：质量％)、密度P (g/ cm3)、杨氏模量E (GPa)(通过超声波法测定）、比弹性模量E/p (GPa/gcnT3)、维氏硬度Hv、玻 璃粘度Π 达到1〇2泊时的温度Τ2 (单位：°C )、玻璃化转变温度Tg (单位：°C )和50? 350°C下的平均热膨胀系数α (单位：X 1(T7/°C )。
[0091] 另外，表1?9中，用括号示出的值为计算值。
[0092] 表 1
[0093]
【权利要求】
1. 一种磁记录介质用无碱玻璃，其中， 以基于氧化物的质量％计含有： Si02 40?61、 Al2〇3 15 ?23.5、 MgO 2?20、和 CaO 0.1 ?40, Si02、A1203、CaO和MgO的含量满足： [Si02]+0. 43X [Α1203]+0· 59X [Ca0]-74. 6 彡 0、且 [Si02]+0. 21 X [Mg0]+1. 16X [CaO]-83. 0 ^ 0〇
2. 如权利要求1所述的磁记录介质用无碱玻璃，其中，杨氏模量为94. 5GPa以上，比弹 性模量为34. 5GPa/g · cnT3以上。
3. -种磁记录介质用玻璃基板，其使用了权利要求1或2所述的无碱玻璃。
4. 一种磁盘用玻璃基板的制造方法，包括使用研磨垫和含有研磨磨粒的pH小于7的研 磨液对玻璃基板的主表面进行镜面研磨的镜面研磨工序，并且使用权利要求1或2所述的 磁记录介质用无碱玻璃来制造磁盘用玻璃基板，所述制造方法的特征在于， 所述镜面研磨工序中，在由下述式（1)导出的玻璃成分的溶出速率f (μ g · cnT2 ·分 钟，满足下述式（2)的条件下实施镜面研磨， f = f〇 · 10α ·ρΗ+0 · exp(-y/T) (1) 式（1)中，4 = 7.93父106，关于〇、^3，在所述无碱玻璃的5102含量《为60质量％ 以上时，a =〇.〇121Xw-1.46、β =-0.0868\界+4.38，在所述无碱玻璃的5102含量￥小 于 60 质量％ 时，α = 0.0562 Xw-4. 07、β =-0.381 Xw+21. 8, pH 为研磨液的 pH 值，γ = 5. 81 ΧΙΟ3, 1 X ΙΟ-3 ^ f ^ 1 (2)。
【文档编号】B24B7/24GK104250064SQ201410300911
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年6月27日 优先权日:2013年6月27日
【发明者】秋山顺, 小野和孝, 安间伸一, 中岛哲也, 西泽学 申请人:旭硝子株式会社