一种防止膜面放电的ito镀膜工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种防止膜面放电的ITO镀膜工艺，包括工艺包括：首先，对靶面、真空室、基片进行清洗；然后，将清洗后的基片放置在预设位置；然后，检测基片与靶材的距离，获得第一距离值；最后，判断所述第一距离值是否大于第一预设距离值，若大于所述第一预设距离值则进行镀膜操作；若小于所述第一预设距离值则进行报警操作，实现了ITO镀膜工艺设计合理，对基片与靶材之间的距离进行合理的控制，对真空室内的气体组成含量进行有效的控制，靶面、真空室、基片进清洗效果较好，减少了膜面放电，产品达到工艺要求的技术效果。
【专利说明】—种防止膜面放电的ITO镀膜工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及工业加工制造领域，尤其涉及一种防止膜面放电的ITO镀膜工艺。
【背景技术】
[0002]在触摸屏生产制造的过程中需要使用ITO玻璃，而ITO玻璃在制造过程中镀膜是关键的工艺，镀膜的成败与好坏关系着ITO玻璃的质量。
[0003]在现有技术中，工作人员在镀膜前并没有对靶面、真空室、基片进行清洗，导致杂质较多，容易具有尖端放电现象，进而容易导致膜面放电，且在现有技术中，工作人员在放置基片时，并没有对基片和靶材距离进行控制，导致基片距离靶材过于接近，进而容易导致膜面放电，且在现有技术中，真空室内的反应气体过多,溅射气体过少,使得箱体内化学反应过于强烈而溅射大不到要求，容易导致膜面放电。
[0004]综上所述，本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题:
在现有技术中，由于工作人员在镀膜前并没有对靶面、真空室、基片进行清洗，导致杂质较多，容易具有尖端放电现象，工作人员在放置基片时，并没有对基片和靶材距离进行控制，导致基片距离靶材过于接近，进而容易导致膜面放电，且真空室内的反应气体过多，溅射气体过少，使得箱体内化学反应过于强烈而溅射大不到要求，所以，现有技术中的ITO镀膜工艺存在基片与靶材之间的距离控制不合理，真空室内气体含量不能有效进行控制，在镀膜前没有进行有效的清洗，导致膜面放电，产品达不到工艺要求的技术问题。
【发明内容】
[0005]本发明提供了一种防止膜面放电的ITO镀膜工艺，解决了现有技术中的ITO镀膜工艺存在基片与靶材之间的距离控制不合理，真空室内气体含量不能有效进行控制，在镀膜前没有进行有效的清洗，导致膜面放电，产品达不到工艺要求的技术问题，实现了 ITO镀膜工艺设计合理，对基片与靶材之间的距离进行合理的控制，对真空室内的气体组成含量进行有效的控制，靶面、真空室、基片进清洗效果较好，减少了膜面放电，产品达到工艺要求的技术效果。
[0006]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种防止膜面放电的ITO镀膜工艺，包括工艺包括:
首先，对靶面、真空室、基片进行清洗；
然后，将清洗后的基片放置在预设位置；
然后，检测基片与靶材的距离，获得第一距离值；
最后，判断所述第一距离值是否大于第一预设距离值，若大于所述第一预设距离值则进行镀膜操作；若小于所述第一预设距离值则进行报警操作。
[0007]进一步的，所述镀膜操作具体包括:
首先，控制反应气体的气体量小于第一预设量；然后，控制溅射气体的气体量大于第二预设量；
然后，利用反应气体与靶材进行反应；
最后，利用溅射气体将反应后的的材料溅射到基片上。
[0008]进一步的，所述对靶面、真空室、基片进行清洗具体为:使用去离子水、丙酮、无水乙醇依次进行清洗，清洗完成后进行干燥处理。
[0009]进一步的，所述第一预设距离值具体为15cm。
[0010]进一步的，所述第一预设量与所述第二预设量均为真空室气体总量的40%。
[0011]进一步的，所述进行干燥处理具体为:使用纯氮气进行干燥处理。
[0012]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点: 由于采用了首先对靶面、真空室、基片进行清洗；然后将清洗后的基片放置在预设位置；然后检测基片与靶材的距离，获得第一距离值；最后判断所述第一距离值是否大于第一预设距离值，若大于所述第一预设距离值则进行镀膜操作；若小于所述第一预设距离值则进行报警操作的工艺来对ITO进行镀膜，即首先对需要使用的材料和设备进行清洗，达到了较好的清洗效果，避免尖端放电，且对基片和靶材的距离进行了良好的控制，避免了二者距离过于接近，且控制了真空室内反应气体和溅射气体的含量，避免了反应气体过多溅射气体过少，而使得箱体内化学反应过于强烈而溅射大不到要求，所以，有效解决了现有技术中的ITO镀膜工艺存在基片与靶材之间的距离控制不合理，真空室内气体含量不能有效进行控制，在镀膜前没有进行有效的清洗，导致膜面放电，产品达不到工艺要求的技术问题，进而实现了 ITO镀膜工艺设计合理，对基片与靶材之间的距离进行合理的控制，对真空室内的气体组成含量进行有效的控制，靶面、真空室、基片进清洗效果较好，减少了膜面放电，产品达到工艺要求的技术效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本申请实施例一中防止膜面放电的ITO镀膜工艺的流程图。
【具体实施方式】
[0014]本发明提供了一种防止膜面放电的ITO镀膜工艺，解决了现有技术中的ITO镀膜工艺存在基片与靶材之间的距离控制不合理，真空室内气体含量不能有效进行控制，在镀膜前没有进行有效的清洗，导致膜面放电，产品达不到工艺要求的技术问题，实现了 ITO镀膜工艺设计合理，对基片与靶材之间的距离进行合理的控制，对真空室内的气体组成含量进行有效的控制，靶面、真空室、基片进清洗效果较好，减少了膜面放电，产品达到工艺要求的技术效果。
[0015]本申请实施中的技术方案为解决上述技术问题。总体思路如下:
采用了首先对靶面、真空室、基片进行清洗；然后将清洗后的基片放置在预设位置；然后检测基片与靶材的距离，获得第一距离值；最后判断所述第一距离值是否大于第一预设距离值，若大于所述第一预设距离值则进行镀膜操作；若小于所述第一预设距离值则进行报警操作的工艺来对ITO进行镀膜，即首先对需要使用的材料和设备进行清洗，达到了较好的清洗效果，避免尖端放电，且对基片和靶材的距离进行了良好的控制，避免了二者距离过于接近,且控制了真空室内反应气体和溅射气体的含量,避免了反应气体过多溅射气体过少，而使得箱体内化学反应过于强烈而溅射大不到要求，所以，有效解决了现有技术中的ITO镀膜工艺存在基片与靶材之间的距离控制不合理，真空室内气体含量不能有效进行控制，在镀膜前没有进行有效的清洗，导致膜面放电，产品达不到工艺要求的技术问题，进而实现了 ITO镀膜工艺设计合理，对基片与靶材之间的距离进行合理的控制，对真空室内的气体组成含量进行有效的控制，靶面、真空室、基片进清洗效果较好，减少了膜面放电，产品达到工艺要求的技术效果。
[0016]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0017]实施例一:
在实施例一中，提供了一种防止膜面放电的ITO镀膜工艺，请参考图1，包括工艺包括: S10，对靶面、真空室、基片进行清洗；
S20，将清洗后的基片放置在预设位置；
S30，检测基片与靶材的距离，获得第一距离值；
S40，判断所述第一距离值是否大于第一预设距离值，若大于所述第一预设距离值则进行镀膜操作；若小于所述第一预设距离值则进行报警操作。
[0018]其中，在实际应用中，在发现报警后，工作人员便知道靶材距离基片的位置过于靠近，便对二者之间的距离进行调整，使之满足要求，避免过近导致膜面放电。
[0019]其中，在实际应用中，在安装靶材的设备设置距离探测器的接收端，在安装基片的安装板上设置距离探测器的发送端，当发送端将位置信息发送给接收端后进行处理，计算出二者的距离，当距离过近时便进行报警。
[0020]其中，在本申请实施例中，所述镀膜操作具体包括:
首先，控制反应气体的气体量小于第一预设量；
然后，控制溅射气体的气体量大于第二预设量；
然后，利用反应气体与靶材进行反应；
最后，利用溅射气体将反应后的的材料溅射到基片上。
[0021]其中，在实际应用中，反应气体为与靶材反应的活性气体，溅射气体为惰性气体，将反应气体放置在第一气筒中，将溅射气体放置在第二气筒中，其中第一气体的容量为第二气筒的60%，然后将2个气筒内的气体注射到真空室中进行镀膜。
[0022]其中，在本申请实施例中，所述对靶面、真空室、基片进行清洗具体为:使用去离子水、丙酮、无水乙醇依次进行清洗，清洗完成后进行干燥处理。
[0023]其中，在本申请实施例中，所述第一预设距离值具体为15cm。
[0024]其中，在本申请实施例中，所述第一预设量与所述第二预设量均为真空室气体总量的40%。
[0025]其中，在本申请实施例中，所述进行干燥处理具体为:使用纯氮气进行干燥处理。
[0026]其中，在实际应用中，用去离子水、丙酮、无水乙醇依次进行清洗，可以保障良好的清洗效果，消除尖端放电现象，清洗完成后进行干燥处理，利用纯氮气进行干燥即可保障设备的安全也可以达到良好的干燥效果。
[0027]上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点:
由于采用了首先对靶面、真空室、基片进行清洗；然后将清洗后的基片放置在预设位置；然后检测基片与靶材的距离，获得第一距离值；最后判断所述第一距离值是否大于第一预设距离值，若大于所述第一预设距离值则进行镀膜操作；若小于所述第一预设距离值则进行报警操作的工艺来对ITO进行镀膜，即首先对需要使用的材料和设备进行清洗，达到了较好的清洗效果，避免尖端放电，且对基片和靶材的距离进行了良好的控制，避免了二者距离过于接近，且控制了真空室内反应气体和溅射气体的含量，避免了反应气体过多溅射气体过少，而使得箱体内化学反应过于强烈而溅射大不到要求，所以，有效解决了现有技术中的ITO镀膜工艺存在基片与靶材之间的距离控制不合理，真空室内气体含量不能有效进行控制，在镀膜前没有进行有效的清洗，导致膜面放电，产品达不到工艺要求的技术问题，进而实现了 ITO镀膜工艺设计合理，对基片与靶材之间的距离进行合理的控制，对真空室内的气体组成含量进行有效的控制，靶面、真空室、基片进清洗效果较好，减少了膜面放电，产品达到工艺要求的技术效果。
[0028]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0029]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种防止膜面放电的ITO镀膜工艺，其特征在于，包括工艺包括: 对靶面、真空室、基片进行清洗； 将清洗后的基片放置在预设位置； 检测基片与靶材的距离，获得第一距离值； 判断所述第一距离值是否大于第一预设距离值，若大于所述第一预设距离值则进行镀膜操作；若小于所述第一预设距离值则进行报警操作。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述镀膜操作具体包括: 控制反应气体的气体量小于第一预设量； 控制溅射气体的气体量大于第二预设量； 利用反应气体与靶材进行反应； 利用溅射气体将反应后的的材料溅射到基片上。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述对靶面、真空室、基片进行清洗具体为:使用去离子水、丙酮、无水乙醇依次进行清洗，清洗完成后进行干燥处理。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述第一预设距离值具体为15cm。
5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述第一预设量与所述第二预设量均为真空室气体总量的40%。
6.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述进行干燥处理具体为:使用纯氮气进行干燥处理。
【文档编号】C23C14/02GK104164651SQ201410395696
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年8月13日 优先权日:2014年8月13日
【发明者】林华业 申请人:成都派莱克科技有限公司