本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆背面研磨方法。
背景技术：
半导体产品的小型薄型化是现今的趋势，集成电路的量产工艺中，缩减尺寸的方法之一为采用极薄半导体晶片，另一种方法采用背面研磨方法以缩减半导体晶片的厚度。因此，在晶圆上集成电路制作工序之后和晶圆切割工序之前，还包括有晶圆背面研磨工序，以使得晶圆上多个晶片能够一次完成薄化处理。
然而传统的方法在进行底面研磨的时候，对于表面的集成电路没有好的防护，造成其大面积的物理损伤以及对集成电路造成静电放电损害(esd)。
故此，亟需一种改进的晶圆背面研磨方法以克服以上缺陷。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种晶圆背面研磨方法，其可保证研磨均匀、提高稳定性，且在研磨过程中保护集成电路，防止集成电路发生esd。
为实现上述目的，本发明的晶圆背面研磨方法，晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，该方法包括：贴附保护胶带于所述晶圆的正面以覆盖所述集成电路；以及对所述晶圆的背面进行研磨；
其中，贴附保护胶带于所述晶圆的正面的步骤包括：
在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；
将保护胶带贴附在所述晶圆的正面；以及
在所述保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有所述保护胶带的所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。
与现有技术相比，本发明的晶圆背面研磨方法在背面研磨之间贴附保护胶带于晶圆的正面，保护胶带的贴附效果良好，平整无气泡，使得背面研磨时保证研磨均匀性，并保护正面的集成电路免受物理损伤以及esd。
较佳地，在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度的步骤具体包括：在所述晶圆的正面均匀选取多个所述测量点。
较佳地，在测量所述晶圆的厚度之后还包括：清洁所述晶圆的所述正面。
较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：所述晶圆放置在真空台上，真空压力大于70kpa。
较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：研磨方向与研磨轮的中心轴的运动方向相反。
较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：控制研磨轮的转速为4000转/分钟～5000转/分钟，研磨时间为2～3分钟，研磨移除量为10～12μm。
较佳地，在所述晶圆的背面进行研磨之后，还包括：去除所述晶圆的正面的保护胶带。
较佳地，在去除所述晶圆的正面的保护胶带之后，还包括：采用异丙醇溶剂清洗所述晶圆。
较佳地，采用异丙醇溶剂在超声波的环境下清洗所述晶圆，异丙醇溶剂的温度为30～40度.
较佳地，所述保护胶带为uv保护胶带。
附图说明
图1为本发明晶圆背面研磨方法中的晶圆厚度测量示意图。
图2为本发明保护胶带贴附在晶圆的正面上的一个示意图。
图3为本发明保护胶带贴附在晶圆的正面上的另一示意图。。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的晶圆背面研磨方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
本发明的晶圆背面研磨方法的一个实施例包括以下步骤：
贴附保护胶带于晶圆的正面以覆盖集成电路；以及
对晶圆的背面进行研磨。
具体地，贴附保护胶带于晶圆的正面的步骤包括：
在晶圆的正面选取多个测量点测量晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；
将保护胶带贴附在晶圆的正面；以及
在保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有保护胶带的晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。
具体地，在贴附保护胶带之前，首先用高度表测量晶圆的厚度。测量时集成电路部分朝上，测量时用探针轻轻压在集成电路表面，选取多个点，如13个点，一一进行记录。如图1所示，13个测量点的分布如下，1、5、6、9、10、11、12、13点离晶圆100的边缘5毫米左右，均匀分布在正面上，其余五个测量点均匀分配。需注意的是，当测量完其中一点再测另一点时，需提取高度针以免测针在晶圆100表面产生划痕，而且，各测量点的测量结果差异不超过10μm。
测量完晶圆100的厚度后，需对晶圆100的正面进行清洗，例如采用丙酮(ace)溶液进行清洗并擦拭干净，继而将晶圆100放置在置有防静电胶片的工作台上，进行保护胶带的贴附。特定地，保护胶带在粘附在晶圆100的正面之前，需经过离子风机的气流作用以去除保护胶带的静电，防止正面上的集成电路受到esd。如图2所示，保护胶带101粘贴在晶圆100的正面，确保保护胶带101和集成电路之间没有气泡残留，继而用刀片将周围多余的保护胶带101划开，然后沿着晶圆100边缘将多余的胶带101剪掉。注意边缘要平整，不允许有残留，如图3所示。
保护胶带101贴附完成后，在晶圆100的表面选取多个测量点测量贴有保护胶带101的晶圆100的厚度，测量点的选取方法和测量方法如上所述，13个测量点的测量结果的差异不大于10μm。若测量结果差异大于10μm，则需揭去保护胶带101重新以上的贴附步骤。保证测量结果的差异范围，可确保保护胶带101均匀贴附在晶圆100的正面，从而不会影响后续对背面的研磨。
较佳地，该保护胶带101为紫外光uv保护胶带。
下面介绍对晶圆背面进行研磨的具体条件及流程。
首先，将贴附好保护胶带的晶圆放在真空台上，开启真空阀门使真空压力大于70kpa。
接着，用研磨轮对于晶圆背面进行研磨，晶圆的研磨方向与研磨轮的中心轴运动相反，研磨轮的转速为4000转/分钟～5000转/分钟，研磨轮朝向圆晶的进入速率为0.15微米/秒～0.20微米/秒，研磨时间为2-3分钟，控制最终的目标移除量为10μm～12μm。具体地，研磨轮的表面由嵌入树脂基质的金刚石微粒所组成，金刚石颗粒为8微米～12微米。所用研磨液为水型研磨液或者是油性研磨液。
研磨结束后，去除晶圆的正面的保护胶带，继而用异丙醇(ipa)溶剂采用超声波振荡清洗该晶圆，清洗时间约20分钟，温度为30～40度。清洗完毕，晶圆被移到下一工序。
综上，本发明的晶圆背面研磨方法在背面研磨之间贴附保护胶带于晶圆的正面，保护胶带的贴附效果良好，平整无气泡，使得背面研磨时保证研磨均匀性，并保护正面的集成电路免受物理损伤以及esd。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。