一种平板式PECVD设备进出料腔的制作方法

本发明涉及平板式pecvd设备，尤其涉及一种平板式pecvd设备进出料腔。

背景技术：

平板式pecvd设备的进出料腔在工艺过程中，需要频繁地进行充气-抽真空，为了提高生产效率，需要快速完成充气和抽真空过程(充气通常只有数秒时间)。由于充气气流的压力大、流速快，现有的充气结构充气时容易引起腔体内扬尘，扬尘会造成硅片表面出现污染、吸附甚至嵌入物等缺陷，最终会影响电池片的转换效率。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、充气速度快、有利于减少扬尘的平板式pecvd设备进出料腔。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种平板式pecvd设备进出料腔，包括腔体及与腔体铰接的腔盖，所述腔体的底部设有下充气嘴，所述腔盖上设有上充气嘴，所述上充气嘴和所述下充气嘴对齐。

作为上述技术方案的进一步改进：所述上充气嘴上设有缓冲腔，所述下充气嘴上端延伸至所述缓冲腔内。

作为上述技术方案的进一步改进：所述缓冲腔为圆锥状，所述下充气嘴上端的直径大于下端的直径。

作为上述技术方案的进一步改进：所述腔体与所述腔盖之间还设有密封圈。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明公开的平板式pecvd设备进出料腔，在腔盖上和腔体的底部分别设有上充气嘴和下充气嘴，上下两侧同时充气，有利于提高充气速度，上充气嘴和下充气嘴上下对齐，充气时，上部气流的冲力和下部气流的冲力会相互抵消，然后再平缓地扩散至腔体各处，从而可以有效地减少扬尘，避免在硅片表面造成污染、吸附甚至嵌入物等缺陷，同时也可避免大流量气体在大压差下对硅片产生冲击，造成碎片。

附图说明

图1是本发明平板式pecvd设备进出料腔的主视结构示意图。

图中各标号表示：1、腔体；2、腔盖；3、下充气嘴；4、上充气嘴；41、缓冲腔；5、铰链；6、密封圈。

具体实施方式

以下结合说明书附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。

图1示出了本发明平板式pecvd设备进出料腔的一种实施例，本实施例的平板式pecvd设备进出料腔，包括腔体1及与腔体1铰接的腔盖2，腔体1的底部设有下充气嘴3，腔盖2上设有上充气嘴4，上充气嘴4和下充气嘴3对齐。

该平板式pecvd设备进出料腔，在腔盖2上和腔体1的底部分别设有上充气嘴4和下充气嘴3，上下两侧同时充气，有利于提高充气速度，上充气嘴4和下充气嘴3上下对齐，充气时，上部气流的冲力和下部气流的冲力会相互抵消，然后再平缓地扩散至腔体1各处，从而可以有效地减少腔体1内出现扬尘，避免在硅片表面造成污染、吸附甚至嵌入物等缺陷，避免因气流冲击而导致碎片。

进一步地，本实施例中，上充气嘴4上设有缓冲腔41，下充气嘴3上端延伸至缓冲腔41内。在上充气嘴4上设置缓冲腔41，上下两侧的充气气流汇合后，先经过缓冲腔41缓冲、泄压后再进入腔体1内，使得腔体1内进气更柔和。

更进一步地，本实施例中，缓冲腔41为圆锥状，下充气嘴3上端的直径大于下端的直径。充气气体从上充气嘴4和下充气嘴3充入后，在缓冲腔41和下充气嘴3上端的引导下呈水平状进入腔体1内，有利于保证进入腔体1内气体的均匀。

进一步地，本实施例中，腔体1与腔盖2之间还设有密封圈6。设置密封圈6有助于保证腔盖2盖合时腔体1内部的密封性。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围的情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均应落在本发明技术方案保护的范围内。

技术特征：

1.一种平板式pecvd设备进出料腔，包括腔体(1)及与腔体(1)铰接的腔盖(2)，其特征在于：所述腔体(1)的底部设有下充气嘴(3)，所述腔盖(2)上设有上充气嘴(4)，所述上充气嘴(4)和所述下充气嘴(3)对齐。

2.根据权利要求1所述的平板式pecvd设备进出料腔，其特征在于：所述上充气嘴(4)上设有缓冲腔(41)，所述下充气嘴(3)上端延伸至所述缓冲腔(41)内。

3.根据权利要求2所述的平板式pecvd设备进出料腔，其特征在于：所述缓冲腔(41)为圆锥状，所述下充气嘴(3)上端的直径大于下端的直径。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的平板式pecvd设备进出料腔，其特征在于：所述腔体(1)与所述腔盖(2)之间还设有密封圈(6)。

技术总结
本发明公开了一种平板式PECVD设备进出料腔，包括腔体及与腔体铰接的腔盖，所述腔体的底部设有下充气嘴，所述腔盖上设有上充气嘴，所述上充气嘴和所述下充气嘴对齐。本发明具有结构简单、充气速度快、有利于减少扬尘等优点。

技术研发人员：唐电;张威;陈特超;杨彬;苏卫中;李建志;吴易龙
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十八研究所
技术研发日：2019.03.29
技术公布日：2020.10.09