本发明涉及一种菱形硅片载片舟的冷却装置。
背景技术:
在低压化学气相沉积镀膜中,先将工件放置在载片舟上,载片舟的支撑结构一般为多杆框架结构,并且设置若干放置工件的工位,行业内菱形硅片放置载片舟上时,需要竖直摆放,再将载片舟连通工件一起放入真空管式炉(即lpcvd),沉积物在沉积到工件表面,完成镀膜作业,载片舟在完成真空管式炉作业后,温度很高,需要冷却后才能转移至下一个工作位。但是现有的载片舟冷却都是通过自然冷却,常常耗费大量时间,影响加工效率,而且可能由于冷却不均匀,减小硅片因温差造成的变形。
技术实现要素:
本发明所要解决的技术问题是提供一种冷却时间短、冷却效果均匀的菱形硅片载片舟的冷却装置。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种菱形硅片载片舟的冷却装置;
包括底座、风冷组件、两个支架和若干销轴;
两个支架分别固定连接在底座上端面两侧,若干销轴分为两组,两组销轴分别固定在两个支架上,两组销轴相对布置,两组轴销与载片舟的底部配合且两组轴销用于支撑载片舟;
风冷组件包括若干风冷管,风冷管一端与气源连接,风冷管另一端封闭,风冷管表面开有若干风冷孔,所述风冷孔对准载片舟上的菱形硅片。
采用这样的结构后,若干销轴支撑载片舟,气源向风冷组件的风冷管输送冷风介质,再从风冷孔吹出对载片舟上的菱形硅片进行冷却,加速了对菱形硅片的冷却作业,提升了工作效率。
为了更清楚的理解本发明的技术内容,以下将本菱形硅片载片舟的冷却装置简称为本冷却装置。
本冷却装置的风冷组件包括至少一个第一风冷管和至少一个第二风冷管,所述第一风冷管为直管状,第一风冷管一端与气源连接,第一风冷管另一端封闭,第一风冷管的侧壁开有若干第一风冷孔,所述第一风冷孔对准载片舟上的菱形硅片下端角处,第一风冷管固定连接在底座上;
所述第二风冷管包括第一管体、第二管体和折弯管体,第一管体、第二管体相互平行,折弯管体连通第一管体和第二管体,处于下侧的第一管体固定在底座上,第一管体的端部与气源连接,处于上侧的第二管体侧壁开有若干第二风冷孔,所述第二风冷孔对准载片舟上的菱形硅片侧端角处。
采用这样的结构后,第一风冷管的第一风冷孔针对对应的菱形硅片下端角区域进行冷却,第二风冷管的第二风冷孔针对菱形硅片侧端角处区域进行冷却,使得本冷却装置的冷却效果均匀,减小菱形硅片因冷却时的温差造成变形,提升产品的良率。
附图说明
图1是本冷却装置实施例的使用状态图的右视图。
图2是本冷却装置实施例的俯视图。
图3是本冷却装置实施例第二风冷管的主视图。
图4是本冷却装置实施例第一风冷管的俯视图。
图5是本冷却装置实施例的主视图。
具体实施方式
如图1至5所示(图1中虚线表示菱形硅片6,图5中省略了风冷组件)。
本冷却装置包括底座1、风冷组件、两个支架2和四个销轴3。
底座1为长方形的框架结构,两个支架2分别通过螺栓固定在底座1上端面的左右两侧,四个销轴3分为两组,两组销轴3分别通过螺纹固定在两个支架2上,两组销轴3相对布置,两组轴销与载片舟5的底部配合且两组轴销用于支撑载片舟5。
风冷组件处于两个支架2之间区域,风冷组件包括两个第一风冷管41和两个第二风冷管42,两个第一风冷管41处于两个第二风冷管42之间,每个第一风冷管41都为直管状,第一风冷管41的走向与载片舟5的长度方向一致,第一风冷管41左端与气源连接,第一风冷管41右端封闭,第一风冷管41的侧壁开有多个第一风冷孔41a,第一风冷管41通过卡箍固定在底座1上。
第二风冷管42为u形管,第二风冷管42包括第一管体42a、第二管体42b和折弯管体42c,第一管体42a、第二管体42b相互平行,折弯管体42c连通第一管体42a和第二管体42b,第一管体42a和第二管体42b的走向与载片舟5的长度方向一致,处于下侧的第一管体42a固定在底座1上,第一管体42a的端部与气源连接,处于上侧的第二管体42b侧壁开有多个第二风冷孔42d。
低压化学气相沉积镀膜之前,先将菱形硅片6放置在载片舟5上,菱形硅片6竖直摆放载片舟5上,菱形硅片6的一条对称轴为竖直状态,菱形硅片6的另一条对称轴为水平状态,再将载片舟5连通工件一起放入真空管式炉,沉积物在沉积到工件表面,完成镀膜作业,在完成真空管式炉作业后,将载片舟5及菱形硅片6放置在本冷却装置上,载片舟5两侧与本冷却装置的两组轴销接触。
两个第一风冷管41和两个第二风冷管42分别与气源连接,冷气经两个第一风冷管41和两个第二风冷管42分别向菱形硅片6吹出,两根第一风冷管41的多个第一风冷孔41a对准载片舟5上的菱形硅片6下端角处,两根第二风冷管42的第二风冷孔42d对准载片舟5上的菱形硅片6两侧端角处,并且同一菱形硅片6的下端角顶点至其所对应第一管体42a第一风冷孔41a的距离与菱形硅片6的两端角顶点至其所对应的第二管体42b第二风冷孔42d的距离相同。
以上所述的仅是本发明的一种实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干变型和改进,这些也应视为属于本发明的保护范围。