本发明涉及金属材料技术领域，具体涉及一种多相复合金属材料。
背景技术：
随着通讯和微电子技术的快速发展，集成电路不断向高功率、微型化和轻量化方向发展，这对电路和器件本身散热要求大幅提高，同时也给配套的电子封装材料提出更高的要求。不仅要求材料具有高导热性和可调节的热膨胀系数外，而且还要求具有更小的重量和体积、更高的致密度和更好的气密性。复合材料具有膨胀系数低及高导热系数，并且膨胀系数及导热系数可以调节控制。由于其突出的优点，近年来该复合材料在大规模集成电路和大功率微波器件中获得广泛应用，特别是用于热沉、电子封装材料。由于复合材料处于亚稳平衡态，存在能耗高、周期长，耐磨性差，耐候性差等不足缺点。
技术实现要素：
为全面解决上述问题，针对现有技术所存在的不足提供了一种多相复合金属材料。
为实现以上目的，本发明采用以下技术手段：
一种多相复合金属材料，包括以下重量比组分：硅6-7%，铬5-6%，铜7-8%，磷1-3%，镍2-5%，铝75-80%、钛0.2％～0.3％、钼0.2％～0.4％。
进一步的，包括以下重量比组分：硅6%，铬5%，铜7%，磷1%，镍2%，铝75%、钛0.2％、钼0.2％。
进一步的，包括以下重量比组分：硅7%，铬6%，铜8%，磷3%，镍5%，铝80%、钛0.3％、钼0.4％。
进一步的，包括以下重量比组分：硅6.5%，铬5.5%，铜7.5%，磷2%，镍4%，铝78%、钛0.25％、钼0.25％。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
本发明的多相复合金属材料耐候性好，耐磨性好，能耗低，周期短，且可以长期处于稳定状态。
具体实施方式
下面将通过实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：本实施例提供一种多相复合金属材料，包括以下重量比组分：硅6%，铬5%，铜7%，磷1%，镍2%，铝75%、钛0.2％、钼0.2％。
按上述化学成分配比称取金属元素料，装入气体雾化制粉炉的真空感应熔炼坩埚中进行熔炼，获得合金熔液；2)合金熔液继续加热至1200°c～1300°c后精炼40～60分钟；3)精炼完成后，对气体雾化制粉炉充高纯氩气，用高纯氩气对合金熔液进行雾化，经高速氩气喷吹雾化，冷却后获得多相复合金属材料。
本实施例的多相复合金属材料耐候性好，耐磨性好，能耗低，周期短，且可以长期处于稳定状态。
实施例2：本实施例提供包括以下重量比组分：硅7%，铬6%，铜8%，磷3%，镍5%，铝80%、钛0.3％、钼0.4％。
按上述化学成分配比称取金属元素料，装入气体雾化制粉炉的真空感应熔炼坩埚中进行熔炼，获得合金熔液；2)合金熔液继续加热至1200°c～1300°c后精炼40～60分钟；3)精炼完成后，对气体雾化制粉炉充高纯氩气，用高纯氩气对合金熔液进行雾化，经高速氩气喷吹雾化，冷却后获得多相复合金属材料。
本实施例的多相复合金属材料耐候性好，耐磨性好，能耗低，周期短，且可以长期处于稳定状态。
实施例3：本实施例提供一种多相复合金属材料，包括以下重量比组分：硅6.5%，铬5.5%，铜7.5%，磷2%，镍4%，铝78%、钛0.25％、钼0.25％。
按上述化学成分配比称取金属元素料，装入气体雾化制粉炉的真空感应熔炼坩埚中进行熔炼，获得合金熔液；2)合金熔液继续加热至1200°c～1300°c后精炼40～60分钟；3)精炼完成后，对气体雾化制粉炉充高纯氩气，用高纯氩气对合金熔液进行雾化，经高速氩气喷吹雾化，冷却后获得多相复合金属材料。
本实施例的多相复合金属材料耐候性好，耐磨性好，能耗低，周期短，且可以长期处于稳定状态。
本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围中。
1.一种多相复合金属材料，其特征在于，包括以下重量比组分：硅6-7%，铬5-6%，铜7-8%，磷1-3%，镍2-5%，铝75-80%、钛0.2％～0.3％、钼0.2％～0.4％。
2.根据权利要求1所述的一种多相复合金属材料，其特征在于，包括以下重量比组分：硅6%，铬5%，铜7%，磷1%，镍2%，铝75%、钛0.2％、钼0.2％。
3.根据权利要求1所述的一种多相复合金属材料，其特征在于，包括以下重量比组分：硅7%，铬6%，铜8%，磷3%，镍5%，铝80%、钛0.3％、钼0.4％。
4.根据权利要求1所述的一种多相复合金属材料，其特征在于，包括以下重量比组分：硅6.5%，铬5.5%，铜7.5%，磷2%，镍4%，铝78%、钛0.25％、钼0.25％。