一种真空沉积系统微电极样品加热台的制作方法

文档序号:20821004发布日期:2020-05-20 02:55阅读:160来源:国知局
一种真空沉积系统微电极样品加热台的制作方法

本实用新型涉及一种真空沉积系统微电极样品加热台。



背景技术:

真空沉积系统中的绝缘样品台对样品的加热能使有利于有机小分子的结晶生长,进而控制,而传统加热丝一般与绝缘样品台空间分离,由加热丝先对绝缘样品台加热,然后绝缘样品台加热置于绝缘样品台上的衬底,导致加热效率低,加热丝温度过高的,能耗大的缺点。另外,传统加热丝由于空间约束少,容易出现变形,与周围其他部位短路现象。



技术实现要素:

为解决现有技术中的问题,本实用新型提供以下技术方案:一种真空沉积系统微电极样品加热台,其特征在于,包括绝缘样品台和微电极阵列加热装置,所述微电极阵列加热装置包括微电极阵列加热板、温度传感器和温度控制装置,所述绝缘样品台底部设有支架;所述微电极阵列加热板铺设于所述绝缘样品台上;所述微电极阵列加热装置的所述温度传感器设于所述绝缘样品台上。

进一步地,所述温度控制装置分别与所述微电极阵列加热板和温度传感器连接,所述温度控制装置通过所述温度传感器控制所述微电极阵列加热板使所述绝缘样品台的温度控制在一定区间。

进一步地,所述样品加热台置于真空腔内,所述微电极阵列加热板和所述温度传感器通过所述真空腔上的真空法兰连接设于外部的温度控制装置并连接电源。

进一步地,所述绝缘样品台为耐热绝缘材料。

本实用新型的有益效果在于:本实用新型中,微电极阵列可以直接对样品进行加热,具有加热效率高,能耗低的特点,由于微电极阵列加热板铺设于绝缘样品台上,在加热过程中不会变形,从而导致短路等现象发生,另外,还设有温度控制装置,能实时监测和控制绝缘样品台的温度,适用于多种有机小分子的加热。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

附图标记说明:绝缘样品台1、支架2、微电极阵列加热板3、温度传感器4、温度控制装置5。

具体实施方式

下面将结合附图,对本实用新型作进一步解释,本实用新型提供以下技术方案:一种真空沉积系统微电极样品加热台,其特征在于,包括绝缘样品台1和微电极阵列加热装置,所述微电极阵列加热装置包括微电极阵列加热板3、温度传感器4和温度控制装置5,所述绝缘样品台1底部设有支架2;所述微电极阵列加热板3铺设于所述绝缘样品台1上;所述微电极阵列加热装置的所述温度传感器4设于所述绝缘样品台1上;所述温度控制装置5分别与所述微电极阵列加热板3和温度传感器4连接,所述温度控制装置5通过所述温度传感器4控制所述微电极阵列加热板3使所述绝缘样品台1的温度控制在一定区间,对于不同的有机小分子样品,设定不同的温度值,还可连接计算机和数据寄存器,以记录和分析不同的温度状态下样本的变化情况;所述样品加热台置于真空腔内,所述微电极阵列加热板3和所述温度传感器4通过所述真空腔上的真空法兰连接设于外部的温度控制装置5并连接电源,提高设备的集成化程度;所述绝缘样品台1为耐热绝缘材料,防止所述绝缘样品台1在长时间的加热过程中受热变形。



技术特征:

1.一种真空沉积系统微电极样品加热台,其特征在于,包括绝缘样品台(1)和微电极阵列加热装置,所述微电极阵列加热装置包括微电极阵列加热板(3)、温度传感器(4)和温度控制装置(5),所述绝缘样品台(1)底部设有支架(2);所述微电极阵列加热板(3)铺设于所述绝缘样品台(1)上;所述微电极阵列加热装置的所述温度传感器(4)设于所述绝缘样品台(1)上。

2.根据权利要求1所述的一种真空沉积系统微电极样品加热台,其特征在于,所述温度控制装置(5)分别与所述微电极阵列加热板(3)和温度传感器(4)连接,所述温度控制装置(5)通过所述温度传感器(4)控制所述微电极阵列加热板(3)使所述绝缘样品台(1)的温度控制在一定区间。

3.根据权利要求1所述的一种真空沉积系统微电极样品加热台,其特征在于,所述样品加热台置于真空腔内,所述微电极阵列加热板(3)和所述温度传感器(4)通过所述真空腔上的真空法兰连接设于外部的温度控制装置(5)并连接电源。

4.根据权利要求1所述的一种真空沉积系统微电极样品加热台,其特征在于,所述绝缘样品台(1)为耐热绝缘材料。


技术总结
一种真空沉积系统微电极样品加热台,其特征在于,包括绝缘样品台和微电极阵列加热装置,所述微电极阵列加热装置包括微电极阵列加热板、温度传感器和温度控制装置,所述绝缘样品台底部设有支架;所述微电极阵列加热板铺设于所述绝缘样品台上;所述微电极阵列加热装置的所述温度传感器设于所述绝缘样品台上,所述温度控制装置分别与所述微电极阵列加热板和温度传感器连接,所述温度控制装置通过所述温度传感器控制所述微电极阵列加热板使所述绝缘样品台的温度控制在一定区间。

技术研发人员:王燕东;王文冲;迟力峰
受保护的技术使用者:苏州驰鸣纳米技术有限公司
技术研发日:2019.06.19
技术公布日:2020.05.19
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