一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法与流程

本发明涉及一种半导体生产工艺领域，具体是一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法。

背景技术：

芯片加工制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻技术对芯片表面的平坦程度要求越来越高，而化学机械抛光工艺便是目前最有效、最成熟的平坦化技术。在对芯片抛光过程中，机头夹持芯片在研磨垫表面进行研磨，以取得芯片表面的平整度。研磨垫表面加工有沟槽，用于吸纳芯片研磨中产生的粉末。现有技术中对于研磨垫表面沟槽加工比较复杂。需要多次加工方可完成，费时费力。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法，通过真空吸力，在研磨垫表面不同区域形成不同深度的局部凹陷，这样切削刀加工时，在研磨垫不同区域形成不同深度。

一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法，其特征在于，设有真空吸盘，真空吸盘表面不同区域设有下沉腔，下沉腔内开有吸气孔，将研磨垫贴合在真空吸盘上，通过真空吸盘抽真空，研磨垫吸合在真空吸盘上，对研磨垫表面进行切削加工，由于真空吸力，对应于下沉腔部位的研磨垫区域，切削吃深随下沉腔深度不同而不同，如此实现研磨垫沟槽切削深度可调。

研磨垫材质为聚氨酯或pu。

所述下沉腔深度不同。

所述的下沉腔根据研磨垫上沟槽的位置与深度作对应设置。

本发明通过在真空吸盘上不同区域设置深度不一的下沉腔，在下沉腔内设有真空吸孔，在进行研磨垫切削加工时，将研磨垫放在真空吸盘上，开真空后，研磨垫上对应下沉腔区域在真空吸力下会凹陷，加工切削刀具加工时，刀头距研磨垫不同区域的吃深不同，这样由于切削深度不同，会在研磨垫上加工出不同深度的沟槽。来满足研磨垫抛光芯片时的需要。

附图说明

图1为本发明真空吸盘抽真空状态下研磨垫贴合示意图。

图2为本发明真空吸盘抽真空状态下研磨垫切削进刀示意图。

图3为本发明研发磨垫加工结束时状态示意图。

具体实施式

一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法，设有真空吸盘3，真空吸盘3表面设有多圈环形下沉腔2，下沉腔2内开有吸气孔，将研磨垫1贴合在真空吸盘3上，通过真空吸盘3抽真空，研磨垫1吸合在真空吸盘3上，对研磨垫1表面进行切削4加工，由于真空吸力，对应于下沉腔2部位的研磨垫1区域，切削吃深随下沉腔2深度不同而不同，如此实现研磨垫沟槽切削深度可调。加工结束后，研磨垫1表面对应于下沉腔2部位没有被加工为平面5，其它部位加工有沟槽6。

技术特征：

1.一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法，其特征在于，设有真空吸盘，真空吸盘表面不同区域设有下沉腔，下沉腔内开有吸气孔，将研磨垫贴合在真空吸盘上，通过真空吸盘抽真空，研磨垫吸合在真空吸盘上，对研磨垫表面进行切削加工，由于真空吸力，对应于下沉腔部位的研磨垫区域，切削吃深随下沉腔深度不同而不同，如此实现研磨垫沟槽切削深度可调。

2.根据权利要求1所述的利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法，其特征在于，研磨垫材质为聚氨酯或pu。

3.根据权利要求1所述的利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法，其特征在于，所述下沉腔深度不同。

4.根据权利要求1所述的利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法，其特征在于，所述的下沉腔根据研磨垫上沟槽的位置与深度作对应设置。

技术总结
一种利用真空吸力控制研磨垫沟槽的切削方法，有真空吸盘，真空吸盘表面不同区域设有下沉腔，下沉腔内开有吸气孔，将研磨垫贴合在真空吸盘上，通过真空吸盘抽真空，研磨垫吸合在真空吸盘上，对研磨垫表面进行切削加工，由于真空吸力，对应于下沉腔部位的研磨垫区域，切削吃深随下沉腔深度不同而不同，如此实现研磨垫沟槽切削深度可调。切削刀具加工时，刀头距研磨垫不同区域的吃深不同，这样由于切削深度不同，会在研磨垫上加工出不同深度的沟槽。来满足研磨垫抛光芯片时的需要。

技术研发人员：颜冠致;毛长虹;李文华;朱咏民
受保护的技术使用者：合肥铨得合半导体有限责任公司
技术研发日：2021.02.24
技术公布日：2021.06.15