一种用于CVD设备的晶圆传送方法与流程

一种用于cvd设备的晶圆传送方法
技术领域
1.本发明涉及cvd沉淀加工技术领域，具体涉及一种用于cvd设备的晶圆传送方法。


背景技术：

2.化学气相沉积(cvd)是指通过化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。
3.等离子体化学汽相淀积(pecvd)技术的台阶覆盖性能好，生成的氮化硅薄膜结构密，具有良好的抗钠、抗潮湿、抗腐蚀性，得到了广泛的应用。例如，公开号为cn112670211a的中国专利就公开了《一种cvd机台》，其包括：等离子体喷头，等子立体喷头用于喷出等离子体；等离子体调整装置，等离子体调整装置用于使作用在待加工晶圆片上的等离子体的方向变为垂直方向。该方案中的cvd机台能够使作用在待加工晶圆片上的等离子体的方向变为垂直方向，进而能够极大程度的降低侧壁受到等离子体加工的影响。
4.cvd沉淀加工过程中，晶圆在cvd反应室中的化学气相沉积反应很复杂，整个工艺过程大约包括六个步骤，需要在cvd反应室的六个不同位置进行加工，并且每个步骤的加工完成后，需要通过fork finger（晶圆片转移支架）将晶圆传送到下一位置加工。然而，申请人发现，通过fork finger传送晶圆时，容易在晶圆的背部形成较大并较厚的微粒聚集点，在后续etch工艺站点的加工过程中，微粒聚集点会影响晶圆与ecs的结合紧密性，导致ecs中he气体外泄，最终导致晶圆cvd沉淀加工的效果不好。因此，如何设计一种能够降低晶圆背部产生微粒聚集点可能性的晶圆传送方法是亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

5.针对上述现有技术的不足，本发明所要解决的技术问题是：如何提供一种用于cvd设备的晶圆传送方法，以能够缓解晶圆背部产生微粒聚集点的问题，从而保证晶圆cvd沉淀加工的效果。
6.为了解决上述技术问题，本发明采用了如下的技术方案：一种用于cvd设备的晶圆传送方法，包括以下步骤：s1：将fork finger的负压通气孔设置为条状突起式负压通气孔；s2：在晶圆cvd沉淀加工过程中，通过具有条状突起式负压通气孔的fork finger传送晶圆。
7.优选的，条状突起式负压通气孔沿着fork finger的长度方向延伸设置。
8.优选的，fork finger上间隔设置有若干个条状突起式负压通气孔。
9.优选的，各个条状突起式负压通气孔在fork finger上等间距布置。
10.本发明中用于cvd设备的晶圆传送方法，具有如下有益效果：本发明将fork finger上表面设置的点式突起负压通气孔改进为条状突起负压通气孔，使得能够通过“条状线式接触”的方式增加晶圆背部的气体流通性，改变负压气体的
输出方式，进而能够避免在晶圆背部产生“点式聚集效应”，缓解了晶圆背部产生微粒聚集点的问题，有利于提高晶圆cvd沉淀加工的良品率，降低晶圆cvd沉淀加工的成本，从而能够保证晶圆cvd沉淀加工的效果。
附图说明
11.为了使发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述，其中：图1为用于cvd设备的晶圆传送方法的逻辑框图；图2为现有fork finger的结构示意图；图3为改进后fork finger的结构示意图。
12.说明书附图中的附图标记包括：fork finger1、点式突起负压通气孔2、条状突起负压通气孔3。
具体实施方式
13.下面通过具体实施方式进一步详细的说明：实施例：申请人在实际工作中发现了如下问题。
14.1、机台型号 : novellus 200mm pecvd 沉积设备。
15.2、工艺类型 : pecvd沉积，薄膜成分sin (工艺温度 :400c /反应压力《 100t )。
16.3、etch机台报警信息 : chamber ecs he gas leak。
17.4、打开 cvd反应室（chamber）时发现晶圆（wafer）在cvd反应室内的位置良好，检查ecs表面正常，检查cvd反应室handoff无异常。
18.申请人做了如下分析：晶圆cvd沉淀加工时，晶圆在cvd反应室中的工艺包括六个步骤，需要在cvd反应室的六个不同位置完成。而fork finger（晶圆片转移支架） 是传送晶圆到各个加工位置的传送配件，并且是与晶圆唯一接触到的配件。同时，申请人发现晶圆背部有多个区域有微粒（particle）聚集，正好对应于fork finger上设置的点式突起负压通气孔的数量。
19.为此，申请人想到对晶圆cvd沉淀加工过程中的传送配件fork finger进行改进，并设计了如下的用于cvd设备的晶圆传送方法。
20.如图1所示，用于cvd设备的晶圆传送方法，包括以下步骤：s1：将fork finger的负压通气孔设置为条状突起式负压通气孔；具体的，将fork finger1上表面原本的点式突起负压通气孔2改进为通气能力更强的条状突起负压通气孔3。条状突起式负压通气孔沿着fork finger的长度方向延伸设置。
21.s2：在晶圆cvd沉淀加工过程中，通过具有条状突起式负压通气孔的fork finger传送晶圆。
22.申请人发现， fork finger上表面设置的点式突起负压通气孔，容易在传送晶圆过程中产生“点式聚集效应”，进而导致晶圆背部产生微粒聚集点的问题。
23.因此，本发明将fork finger上表面设置的点式突起负压通气孔（如图2所示）改进为条状突起负压通气孔（如图3所示），使得能够通过“条状线式接触”的方式增加晶圆背部
的气体流通性，改变负压气体的输出方式及晶圆背部的受力方式，进而能够避免在晶圆背部产生“点式聚集效应”，缓解了晶圆背部产生微粒聚集点的问题，有利于提高晶圆cvd沉淀加工的良品率，降低晶圆cvd沉淀加工的成本，从而能够保证晶圆cvd沉淀加工的效果。由于etch异常处理一般需要36小时，使得本发明的方案能够提高cvd设备的利用率。
24.具体实施过程中，fork finger上间隔设置有若干个条状突起式负压通气孔。各个条状突起式负压通气孔在fork finger上等间距布置。
25.本发明通过多个间隔设置的条状突起式负压通气孔能够保证晶圆的放置稳定性。
26.需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管通过参照本发明的优选实施例已经对本发明进行了描述，但本领域的普通技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围。同时，实施例中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述。最后，本发明要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。


技术特征：
1.一种用于cvd设备的晶圆传送方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：将fork finger的负压通气孔设置为条状突起式负压通气孔；s2：在晶圆cvd沉淀加工过程中，通过具有条状突起式负压通气孔的fork finger传送晶圆。2.如权利要求1所述的用于cvd设备的晶圆传送方法，其特征在于：条状突起式负压通气孔沿着fork finger的长度方向延伸设置。3.如权利要求2所述的用于cvd设备的晶圆传送方法，其特征在于：fork finger上间隔设置有若干个条状突起式负压通气孔。4.如权利要求3所述的用于cvd设备的晶圆传送方法，其特征在于：各个条状突起式负压通气孔在fork finger上等间距布置。

技术总结
本发明涉及CVD沉淀加工技术领域，具体涉及一种用于CVD设备的晶圆传送方法，包括：S1：将Fork finger的负压通气孔设置为条状突起式负压通气孔；S2：在晶圆CVD沉淀加工过程中，通过具有条状突起式负压通气孔的Fork finger传送晶圆。本发明中用于CVD设备的晶圆传送方法，能够缓解晶圆背部产生微粒聚集点的问题，从而能够保证晶圆CVD沉淀加工的效果。能够保证晶圆CVD沉淀加工的效果。能够保证晶圆CVD沉淀加工的效果。


技术研发人员：王巧 罗林 邹平 刘涵
受保护的技术使用者：重庆忽米网络科技有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/1