一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘的制作方法

1.本实用新型涉及一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，属于集成电路或分立器件制造技术领域。


背景技术：

2.在背面金属化之前的晶圆制造过程中，需要经过扩散、光刻等多个复杂的工艺过程，已形成具备电气性能的芯片，且集成电路或分立器件中芯片的背面一般作为电极使用，芯片电极需具有优良的欧姆接触特性，故需对背面进行金属化工艺。背面金属化工艺也是半导体芯片生产制造中非常重要的一个环节，所以背面金属化的质量尤为重要。背面金属化的关键是控制正面有效管芯及背面金属化的质量。
3.目前，蒸发过程是在高温高真空环境下进行，装载晶圆的蒸发小盘为金属材质。为了保证晶圆在背面金属化过程中很好的固定在蒸发小盘上，蒸发小盘必须具有一定宽度的台阶，以达到与晶圆面接触，使得蒸发小盘更好的固定晶圆。但若蒸发小盘边缘台阶宽的话，则减少了硅片的利用率。另外，硅片虽预留了一定宽度的无效区域，但因为在背面金属化时是人工操作，无法精准到位，还是很容易造成正面有效管芯与蒸发小盘接触产生压擦伤，影响产品良率和性能。


技术实现要素：

4.本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，提高晶圆的利用率，避免晶圆正面有效管芯压擦伤，提高产品良率。
5.本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，包括蒸发盘本体，所述蒸发盘本体上表面开设置物槽，所述蒸发盘本体上套有tfl环，且所述tfl环设于置物槽上部，所述tfl环上设有晶圆，所述tfl环与晶圆为线接触。
6.所述置物槽的纵截面为漏斗型。
7.所述tfl环的上环面为向内倾斜的斜面结构件。
8.与现有技术相比，本实用新型的优点在于：一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，本申请中蒸发盘本体上套设tfl环，晶圆放于tfl环上，且晶圆与tfl环线接触，减小了晶圆与tfl环的接触面积，提高了晶圆的利用率；由于tfl质地较软，避免了晶圆正面管芯与蒸发盘本体置物槽的摩擦，避免了晶圆正面管芯压擦伤，提高了产品良率。
附图说明
9.图1为本实用新型实施例一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘中蒸发盘本体的示意图；
10.图2为本实用新型实施例一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘中tfl环示意图；
11.图中1蒸发盘本体、2tfl环。
具体实施方式
12.以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
13.如图1、2所示，本实施例中的一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，包括蒸发盘本体1，蒸发盘本体1上表面开设置物槽，置物槽上部的纵截面为锥形，置物槽下部的纵截面为长方形，且锥形的底部与长方形的顶部平滑连接，使得置物槽的纵截面呈漏斗型。蒸发盘本体1上套有tfl环2，且tfl环2设于置物槽的上部。tfl环2上环面为向内倾斜的斜面，将晶圆放于tfl环2的上环面上，使得tfl环2与晶圆之间呈线接触。
14.本申请中tfl环2为特氟龙环的缩写，特氟龙环的质地较软，避免了晶圆正面管芯与蒸发盘本体置物槽的摩擦，避免了晶圆正面管芯压擦伤，提高了产品良率。晶圆与tfl环线接触，减小了晶圆与tfl环的接触面积，提高了晶圆的利用率。
15.除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。


技术特征：
1.一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，其特征在于：包括蒸发盘本体(1)，所述蒸发盘本体(1)上表面开设置物槽，所述蒸发盘本体(1)上套有tfl环(2)，且所述tfl环(2)设于置物槽上部，所述tfl环(2)上设有晶圆，所述tfl环(2)与晶圆为线接触。2.根据权利要求1所述的一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，其特征在于：所述置物槽的纵截面为漏斗型。3.根据权利要求1所述的一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，其特征在于：所述tfl环(2)的上环面为向内倾斜的斜面结构件。

技术总结
本实用新型涉及一种提升背面金属化质量的晶圆蒸发盘，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括蒸发盘本体，所述蒸发盘本体上表面开设置物槽，所述蒸发盘本体上套有TFL环，且所述TFL环设于置物槽上部，所述TFL环上设有晶圆，所述TFL环与晶圆为线接触。所述置物槽的纵截面为漏斗型。所述TFL环的上环面为向内倾斜的斜面结构件。本申请中蒸发盘本体上套设TFL环，晶圆放于TFL环上，且晶圆与TFL环线接触，减小了晶圆与TFL环的接触面积，提高了晶圆的利用率；由于TFL质地较软，避免了晶圆正面管芯与蒸发盘本体置物槽的摩擦，避免了晶圆正面管芯压擦伤，提高了产品良率。提高了产品良率。提高了产品良率。


技术研发人员：徐占勤 王德波 陈鹏捷
受保护的技术使用者：江苏新顺微电子股份有限公司
技术研发日：2021.02.08
技术公布日：2021/11/5