一种结晶器足辊防野水装置的制作方法

文档序号:30552128发布日期:2022-06-29 02:02阅读:54来源:国知局
一种结晶器足辊防野水装置的制作方法

1.本实用新型属于钢铁冶炼技术领域,具体涉及一种结晶器足辊防野水装置。


背景技术:

2.现有方坯连铸机结晶器的下口四面都装有足辊,足辊区有喷淋装置为初出铜管的铸坯提供喷水冷却,属于二冷系统的1区,足辊喷淋水喷溅下来的野水易流到下方的铸坯上,引起二次局部冷却,造成铸坯表面出现裂纹等缺陷。


技术实现要素:

3.解决的技术问题:针对上述技术问题,本实用新型提供一种结晶器足辊防野水装置,结构简单,拆装方便,用于防止野水喷溅到铸坯上引起二次局部冷却,造成铸坯表面出现裂纹等缺陷。
4.技术方案:一种结晶器足辊防野水装置包括足辊、安装板、防护罩、辊架、偏心辊,所述安装板为u型,包括底板和两个侧板,且底板上开设有第一通孔,每个侧板上设置两个足辊,两个辊架分别设置在安装板两个侧板的内侧,所述偏心辊设置在两个辊架之间,且偏心辊的两端分别设置在两个辊架上,所述防护罩通过第一法兰环与安装板的底板连接,且防护罩顶部开设有第二通孔。
5.优选的,所述防护罩为梯形。
6.进一步的,所述防护罩外表面设有耐腐蚀层。
7.优选的,所述第一通孔直径、第二通孔的直径和第一法兰环内径均大于铸坯截面的对角线长度。
8.优选的,所述安装板的顶部通过第二法兰环与结晶器连接。
9.进一步的,所述第二法兰环的直径大于铸坯截面的对角线长度。
10.有益效果:本实用新型装置结构简单,拆装方便,用于防止野水喷溅到铸坯上引起二次局部冷却,造成铸坯表面出现裂纹等缺陷。
附图说明
11.图1是本实用新型结构示意图;
12.图中序号:1、足辊,2、安装板,3、防护罩,4、辊架,5、偏心辊,6、铸坯。
具体实施方式
13.以下结合附图对本实用新型的技术方案作进一步详细说明。
14.实施例1
15.参照图1,一种结晶器足辊防野水装置,包括足辊1、安装板2、防护罩3、辊架4、偏心辊5,所述安装板2为u型,包括底板和两个侧板,且底板上开设有第一通孔,每个侧板上设置两个足辊1,两个辊架4分别设置在安装板2两个侧板的内侧,所述偏心辊5设置在两个辊架4
之间,且偏心辊5的两端分别设置在两个辊架4上,所述防护罩3通过第一法兰环与安装板2的底板连接,且防护罩3顶部开设有第二通孔。
16.上述防护罩3为梯形。
17.上述防护罩3外表面设有耐腐蚀层。
18.上述第一通孔直径、第二通孔的直径和第一法兰环内径均大于铸坯6截面的对角线长度。
19.上述安装板2的顶部通过第二法兰环与结晶器连接。
20.上述第二法兰环的直径大于铸坯6截面的对角线长度。
21.本具体实施方式的实施例均为本实用新型的较佳实施例,并非依此限制本实用新型的保护范围,故:凡依本实用新型的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本实用新型的保护范围之内。


技术特征:
1.一种结晶器足辊防野水装置,其特征在于:包括足辊(1)、安装板(2)、防护罩(3)、辊架(4)、偏心辊(5),所述安装板(2)为u型,包括底板和两个侧板,且底板上开设有第一通孔,每个侧板上设置两个足辊(1),两个辊架(4)分别设置在安装板(2)两个侧板的内侧,所述偏心辊(5)设置在两个辊架(4)之间,且偏心辊(5)的两端分别设置在两个辊架(4)上,所述防护罩(3)通过第一法兰环与安装板(2)的底板连接,且防护罩(3)顶部开设有第二通孔。2.根据权利要求1所述的一种结晶器足辊防野水装置,其特征在于:所述防护罩(3)为梯形。3.根据权利要求2所述的一种结晶器足辊防野水装置,其特征在于:所述防护罩(3)外表面设有耐腐蚀层。4.根据权利要求1所述的一种结晶器足辊防野水装置,其特征在于:所述第一通孔直径、第二通孔的直径和第一法兰环内径均大于铸坯(6)截面的对角线长度。5.根据权利要求1所述的一种结晶器足辊防野水装置,其特征在于:所述安装板(2)的顶部通过第二法兰环与结晶器连接。6.根据权利要求5所述的一种结晶器足辊防野水装置,其特征在于:所述第二法兰环的直径大于铸坯(6)截面的对角线长度。

技术总结
本实用新型公开了一种结晶器足辊防野水装置,包括足辊、安装板、防护罩、辊架、偏心辊,所述安装板为U型,包括底板和两个侧板,且底板上开设有第一通孔,每个侧板上设置两个足辊,两个辊架分别设置在安装板两个侧板的内侧,所述偏心辊设置在两个辊架之间,且偏心辊的两端分别设置在两个辊架上,所述防护罩通过第一法兰环与安装板的底板连接,且防护罩顶部开设有第二通孔。本实用新型用于防止野水喷溅到铸坯上引起二次局部冷却,造成铸坯表面出现裂纹等缺陷,结构简单,拆装方便。拆装方便。拆装方便。


技术研发人员:沈旭华 聂文金 王志福 陈高攀 张玉飞 李解 周正东
受保护的技术使用者:张家港宏昌钢板有限公司
技术研发日:2021.12.17
技术公布日:2022/6/28
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