一种双面抛光装置的制作方法

1.本实用新型属于半导体抛光加工设备领域，更具体地，涉及一种半导体双面抛光装置。


背景技术：

2.磷化铟具有很多优良的性能，如：直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽、光电转换效率较高、电子迁移率高、抗辐射能力较强等，被广泛应用于高频微波器件和电路，太阳能电池，光纤通信等领域。
3.目前市面上磷化铟双面抛光装置的上盘为平面，在抛光过程中，从中心沿着工件的径向，工件的线速度越来越大，导致晶片不同位置的掉量不一致，晶片的边缘出现塌边，导致其平整度整体较差。
4.为了解决磷化铟晶片的塌边问题，提高晶片的平整度水平，需要优化抛光装置。


技术实现要素：

5.针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型的目的在于提供一种可解决磷化铟晶片的塌边问题，提高晶片的平整度水平的半导体双面抛光装置。
6.为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：
7.一种双面抛光装置，包括放置晶片的游星轮、夹着所述游星轮而对置配置的上盘与下盘，所述游星轮、上盘、下盘均可沿同一中心轴线进行相对旋转，所述上盘和下盘相对的表面分别为上盘抛光面和下盘抛光面，所述上盘抛光面包括平面抛光面和相对平面抛光面向外凸出的凸起抛光面，所述凸起抛光面的高度为500~1000μm。
8.进一步的，所述凸起抛光面位于上盘抛光面的中间或内侧位置。
9.进一步的，所述凸起抛光面为以中心轴线为中心的旋转对称结构，进一步优选所述凸起抛光面为以中心轴线为中心的圆环结构。
10.进一步的，所述凸起抛光面的面积为上盘抛光面面积的60%及以上。
11.进一步的，所述平面抛光面和凸起抛光面之间设置为过渡倒圆角。
12.进一步的，所述凸起抛光面为与平面抛光面和下盘抛光面平行的水平面。
13.进一步的，在中心轴线沿着晶片的径向方向上，凸起抛光面的凸起高度逐渐减少。
14.进一步的，所述上盘与下盘相对的表面均设置有抛光垫，抛光垫与上盘、下盘的抛光面贴合设置。
15.本实用新型所产生的有益效果为：
16.本实用新型所述双面抛光装置的上盘设置凸起抛光面，可以减少上盘在边缘的压力，结合双抛晶片的运动轨迹，让晶片边缘掉量与晶片中心中心掉量一致或差别不大，可以生产平整度更好，无塌边的（磷化铟）晶片。
附图说明
17.图1为实施例1所述双面抛光装置结构简图一。
18.图2为实施例1所述双面抛光装置上盘结构简图二。
19.其中：1-上盘，2-凸起抛光面，3-上盘抛光垫，4-晶片，5-游星轮，6-下盘抛光垫，7-下盘。
具体实施方式
20.以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本实用新型作进一步描述，但并不因此而限制本实用新型的保护范围。
21.实施例1
22.如图1和2所示，本实施例公开了一种半导体双面抛光装置，抛光装置具有游星轮5、以及夹着该游星轮5而对置配置的上盘1及下盘7，游星轮5上设有放置晶片4的固定孔（常规结构，未示出），在固定孔中装填有晶片4。所述上盘1和下盘7相对的表面分别为上盘抛光面和下盘抛光面，其各自的抛光面上分别设有上盘抛光垫3、下盘抛光垫6。
23.在该双面抛光装置中，利用上盘1及下盘7夹着装填至固定孔中的晶片4，在使上盘抛光垫3、下盘抛光垫6分别与晶片4的正面及背面接触的状态下，所述游星轮5、上盘1、下盘7均可沿同一中心轴线进行相对旋转，可同时抛光晶片4的正面及背面。
24.本实施例中，所述行星轮5的内周和外周分别设有内齿轮和外齿轮，在下盘7的中心部设有驱动行星轮的齿轮杆，所述齿轮杆上设有与行星轮5内齿轮啮合的驱动齿轮一，在所述下盘7外周还设有与行星轮5外齿轮啮合的驱动齿轮二，所述上盘1设有上盘旋转驱动机构，所述下盘7设有下盘旋转驱动机构。所述行星轮5、上盘1、下盘7分别在各自的驱动机构的驱动下，可沿同一中心轴线进行相对旋转，对晶片4的正面和背面进行抛光。
25.本实施例中，晶片4设置为磷化铟双抛片，为了提高磷化铟双抛片的平整度，下盘抛光面为水平面，将上盘抛光面设置为平面抛光面和相对平面抛光面向外凸出的凸起抛光面2，所述凸起抛光面2为与平面抛光面和下盘抛光面平行的水平面，凸起抛光面2为位于上盘抛光面的中部、以中心轴线为中心的圆环结构，所述平面抛光面为设置在凸起抛光面2两端的一大一小两个圆环结构，所述平面抛光面和凸起抛光面2之间设置为过渡倒圆角。
26.参见图2，本实施例中，上盘抛光面的宽度l1=50cm，所述凸起抛光面2宽度l2=30cm，凸起抛光面2两端的平面抛光面的宽度均为10cm，凸起抛光面2的高度为：500~1000um，本实施例优选设置为600um，使得沿晶片4的径向掉量一致。
27.本实施例双面抛光盘在使用过程中可以减少上盘在边缘的压力，让晶片边缘掉量与晶片中心中心掉量一致或差别不大。
28.实施例2
29.本实施例公开了一种半导体双面抛光装置，本实施例与实施例1中所述半导体双面抛光装置的基本相同，不同点在于：
30.本实施例中，所述凸起抛光面为斜面，在中心轴线沿着晶片的径向方向上，凸起抛光面的凸起高度逐渐减少。
31.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制。虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本实用新型。任何熟
悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神实质和技术方案的情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。


技术特征：
1.一种双面抛光装置，其特征在于，包括放置晶片的游星轮、夹着所述游星轮而对置配置的上盘与下盘，所述游星轮、上盘、下盘均可沿同一中心轴线进行相对旋转，所述上盘和下盘相对的表面分别为上盘抛光面和下盘抛光面，所述上盘抛光面包括平面抛光面和相对平面抛光面向外凸出的凸起抛光面，所述凸起抛光面的高度为500~1000μm。2.如权利要求1所述的双面抛光装置，其特征在于，所述凸起抛光面位于上盘抛光面的中部或内侧位置。3.如权利要求1所述的双面抛光装置，其特征在于，所述凸起抛光面为以中心轴线为中心的旋转对称结构。4.如权利要求3所述的双面抛光装置，其特征在于，所述凸起抛光面为以中心轴线为中心的圆环结构。5.如权利要求1所述的双面抛光装置，其特征在于，所述凸起抛光面的面积为上盘抛光面面积的60%及以上。6.如权利要求1所述的双面抛光装置，其特征在于，所述平面抛光面和凸起抛光面之间设置为过渡倒圆角。7.如权利要求1~6任一项所述的双面抛光装置，其特征在于，所述凸起抛光面为与平面抛光面和下盘抛光面平行的水平面。8.如权利要求1~6任一项所述的双面抛光装置，其特征在于，在中心轴线沿着晶片的径向方向上，凸起抛光面的凸起高度逐渐减少。9.如权利要求1所述的双面抛光装置，其特征在于，所述上盘与下盘相对的表面均设置有抛光垫，抛光垫与上盘、下盘的抛光面贴合设置。

技术总结
本实用新型属于半导体抛光加工设备领域，具体公开了一种双面抛光装置，所述抛光装置包括放置晶片的游星轮、夹着所述游星轮而对置配置的上盘与下盘，所述游星轮、上盘、下盘均可沿同一中心轴线进行相对旋转，所述上盘和下盘相对的表面分别为上盘抛光面和下盘抛光面，所述上盘抛光面包括平面抛光面和相对平面抛光面向外凸出的凸起抛光面，所述凸起抛光面的高度为500~1000μm。本实用新型所述双面抛光装置的上盘设置凸起抛光面，可以减少上盘在边缘的压力，结合双抛晶片的运动轨迹，让晶片边缘掉量与晶片中心中心掉量一致或差别不大，可以生产平整度更好，无塌边的晶片。无塌边的晶片。无塌边的晶片。


技术研发人员：刘良副 宋向荣 董晨晨 刘火阳 马金峰 周铁军
受保护的技术使用者：广东先导微电子科技有限公司
技术研发日：2021.12.31
技术公布日：2022/6/28