具有Ni电镀膜的镀敷结构体和包含该镀敷结构体的引线框架的制作方法

本发明涉及ni电镀膜和具有该镀膜的镀敷结构体，特别涉及ic、lsi等半导体封装中的引线接合等接合部中的镀敷结构体。

背景技术：

1、作为在ic、lsi等半导体封装中将半导体元件安装在基板上的方法，已知利用被称为凸点的突起状端子进行电连接的倒装芯片的方法和使用引线框架与外部布线进行电连接(引线接合)的方法。关于倒装芯片安装，例如在专利文献1～4中公开了在半导体元件的连接端子部形成ni/pd/au的无电镀膜，在其上形成焊料凸点。

2、另一方面，关于引线接合，本申请人以前提供了关于由通过电镀形成的ge-ni/pd/au的三层构成的镀敷结构的发明(专利文献5)。另外，通过电镀形成ni/pd-p/au覆膜的技术也是已知的(专利文献6)。上述镀膜可以通过电镀或无电镀形成，但电镀和无电镀各自具有优点和缺点，因此通常根据被镀物分别使用。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开平11-345896号公报

6、专利文献2：日本特开2006-179797号公报

7、专利文献3：国际公开第2006/112215号

8、专利文献4：日本特开2016-162770号公报

9、专利文献5：日本特开2009-228021号公报

10、专利文献6：日本特开2012-241260号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、作为引线框架的表面处理法之一，有被称为pd-ppf(pre plated frame：预镀框架)的方法(参照专利文献6)。这是在cu类的引线框架的整个面上实施ni/pd/au三层镀敷的方法，由此能够提高焊料润湿性，并且能够得到充分的接合性能。作为削减该pd-ppf引线框架的成本的尝试，推进了au、pd等贵金属覆膜的薄膜化。

3、贵金属镀膜的薄膜化必须不损害焊料润湿性。是否能够保持该效果的判定通过对镀膜评价加热处理后的焊料润湿性来进行。例如，如在专利文献5中记载的那样，对形成有镀膜的试验片进行加热处理，然后浸渍在焊料浴中，测定润湿应力值达到零为止的时间(零交叉时间：zct)，如果该时间足够短，则可以认为保持了焊料润湿性。

4、在现有技术中，au、pd镀膜已经变成即使在数nm～数十nm下也能够保持充分的焊料润湿性，由贵金属镀膜的薄膜化带来的成本降低达到了极限。另一方面，对于ni镀膜，还有改善的余地，通过改善ni镀膜的特性(焊料润湿性)，能够进行薄膜化，能够预期通过缩短节拍时间进一步降低成本。本发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于，以如下为课题：提供一种焊料润湿性优异的ni镀膜和具有该ni镀膜的镀敷结构体。

5、用于解决课题的手段

6、为了解决上述课题，本发明人进行了深入研究，结果得到如下见解：通过使ni(镍)电镀膜中含有预定量的p(磷)，能够形成焊料润湿性优异的ni电镀膜，从而完成了本发明。上述课题通过以下所示的手段来解决。

7、1)一种镀敷结构体，所述镀敷结构体包含：由cu或cu合金构成的基板、形成在基板上的ni电镀膜、形成在ni电镀膜上的pd镀膜和形成在pd镀膜上的au镀膜，其中，

8、所述ni电镀膜含有0.01重量％以上且1.0重量％以下的p，

9、当p含量为0.01重量％以上且小于0.05重量％时，所述ni电镀膜的膜厚为0.1μm以上且10μm以下，

10、当p含量为0.05重量％以上且小于0.2重量％时，所述ni电镀膜的膜厚为0.06μm以上且10μm以下，

11、当p含量为0.2重量％以上且1.0重量％以下时，所述ni电镀膜的膜厚为0.01μm以上且10μm以下。

12、2)一种镀敷结构体，所述镀敷结构体包含：由cu或cu合金构成的基板、形成在基板上的ni电镀膜和形成在ni电镀膜上的pd镀膜，其中，

13、所述ni电镀膜含有0.01重量％以上且1.0重量％以下的p，

14、当p的含量为0.01重量％以上且小于0.05重量％时，所述ni电镀膜的膜厚为0.1μm以上且10μm以下，

15、当p的含量为0.05重量％以上且小于0.2重量％时，所述ni电镀膜的膜厚为0.06μm以上且10μm以下，

16、当p的含量为0.2重量％以上且1.0重量％以下时，所述ni电镀膜的膜厚为0.01μm以上且10μm以下。

17、3)一种镀敷结构体，所述镀敷结构体包含：由cu或cu合金构成的基板、形成在基板上的ni电镀膜和形成在ni电镀膜上的au镀膜，其中，

18、所述ni电镀膜含有0.01重量％以上且1.0重量％以下的p，

19、当p的含量为0.01重量％以上且小于0.05重量％时，所述ni电镀膜的膜厚为0.1μm以上且10μm以下，

20、当p的含量为0.05重量％以上且小于0.2重量％时，所述ni电镀膜的膜厚为0.06μm以上且10μm以下，

21、当p的含量为0.2重量％以上且1.0重量％以下时，所述ni电镀膜的膜厚为0.01μm以上且10μm以下。

22、4)如上述1)～3)中任一项所述的镀敷结构体，其中，作为所述ni镀膜的基底，形成有包含au、ag、pd、cu中任一者的金属冲击镀膜。

23、5)如上述1)～4)中任一项所述的镀敷结构体，其中，作为所述pd镀膜和/或au镀膜的基底，形成有包含au、ag、pd中任一者的金属冲击镀膜。

24、6)一种引线框架，其中，所述引线框架具有上述1)～5)中任一项所述的镀敷结构体。

25、发明效果

26、根据本发明，具有能够得到焊料润湿性优异的ni电镀膜的优异效果。另外，具有在保持良好的焊料润湿性的同时、能够实现ni电镀膜的薄膜化的优异效果。在镀膜的成膜工序中，特别花费成膜时间的是ni镀膜，因此通过使ni镀膜薄膜化，能够大幅度缩短节拍时间。

技术特征：

1.一种镀敷结构体，所述镀敷结构体包含：由cu或cu合金构成的基板、形成在基板上的ni电镀膜、形成在ni电镀膜上的pd镀膜和形成在pd镀膜上的au镀膜，其中，

2.一种镀敷结构体，所述镀敷结构体包含：由cu或cu合金构成的基板、形成在基板上的ni电镀膜和形成在ni电镀膜上的pd镀膜，其中，

3.一种镀敷结构体，所述镀敷结构体包含：由cu或cu合金构成的基板、形成在基板上的ni电镀膜和形成在ni电镀膜上的au镀膜，其中，

4.如权利要求1～3中任一项所述的镀敷结构体，其中，作为所述ni镀膜的基底，形成有包含au、ag、pd、cu中任一者的金属冲击镀膜。

5.如权利要求1～4中任一项所述的镀敷结构体，其中，作为所述pd镀膜和/或au镀膜的基底，形成有包含au、ag、pd中任一者的金属冲击镀膜。

6.一种引线框架，其中，所述引线框架具有权利要求1～5中任一项所述的镀敷结构体。

技术总结
一种镀敷结构体，所述镀敷结构体包含：由Cu或Cu合金构成的基板、形成在基板上的Ni电镀膜、形成在Ni电镀膜上的Pd镀膜和形成在Pd镀膜上的Au镀膜，其中，所述Ni电镀膜含有0.01重量％以上且1.0重量％以下的P，当P含量为0.01重量％以上且小于0.05重量％时，所述Ni电镀膜的膜厚为0.1μm以上且10μm以下，当P含量为0.05重量％以上且小于0.2重量％时，所述Ni电镀膜的膜厚为0.06μm以上且10μm以下，当P含量为0.2重量％以上且1.0重量％以下时，所述Ni电镀膜的膜厚为0.01μm以上且10μm以下。本发明的课题在于提供一种具有焊料润湿性优异的Ni镀膜的镀敷结构体。

技术研发人员：野村薫,铃木岳彦,松冈贵文
受保护的技术使用者：松田产业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13