反射型掩模以及反射型掩模的制造方法与流程

本公开涉及反射型掩模以及反射型掩模的制造方法。

背景技术：

1、以往，存在以下课题：在通过使用利用了波长短的euv光的euv曝光装置而能够进行光刻的微细化的反射型掩模中，由于在euv光的入射中使光轴倾斜，因此入射的euv光会形成光掩模的图案(吸收膜图案)的影子，从而转印性能劣化，即产生所谓的被称为“投影效应”的问题。

2、对此，提出了一种反射型掩模，其通过在吸收膜中使用消光系数k高的材料来抑制euv反射率，能够形成膜厚比以往薄的吸收膜，从而减少投影效应(例如，参照专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公开第2018/159785号

技术实现思路

1、本发明要解决的课题

2、在euv曝光装置中，为了防止因污染物(杂质的混入)而导致的腔室的污染，进行利用氢自由基的清洁。即，反射型掩模需要使用对于氢自由基还原具有耐性的材料来形成。但是，在消光系数k高的材料中也具有氢自由基耐性低的材料，由氢自由基耐性低的材料形成的反射型掩模存在不能忍耐长期使用的问题。

3、本公开的目的在于提供能够减少投影效应、且充分地具备氢自由基耐性的反射型掩模以及反射型掩模的制造方法。

4、用于解决课题的手段

5、为了解决上述课题，本公开一个方式涉及的反射型掩模具备：基板、形成在所述基板上的具有多层膜结构且反射euv光的反射膜、形成在所述反射膜上且保护该反射膜的保护膜、形成在所述保护膜上且吸收euv光的吸收膜、以及形成在所述吸收膜上的氧化覆膜，特征在于，所述吸收膜含有sn和除sn以外的金属元素，并且相对于所述除sn以外的金属元素的合计原子量，所述sn的原子量比(sn/除sn以外的金属元素)在1以上且小于20的范围内，所述氧化覆膜对于氢自由基具有耐性，形成在所述吸收膜的表面和侧面。

6、本发明的效果

7、如果是本公开的一个方式涉及的反射型掩模，则可以提供能够减少投影效应、且充分地具备氢自由基耐性的反射型掩模以及反射型掩模的制造方法。

技术特征：

1.一种反射型掩模，特征在于，具备：

2.一种反射型掩模，特征在于，具备：

3.根据权利要求1或权利要求2所述的反射型掩模，其特征在于，所述氧化覆膜含有包含cr、ta、nb、ti、al、v及hf的氧化物中的至少1种的化合物。

4.根据权利要求1至权利要求3中任1项所述的反射型掩模，其特征在于，所述氧化覆膜不含有sn；或者所述氧化覆膜含有sn、且sn的含量少于包含cr、ta、nb、ti、al、v及hf的氧化物中的至少1种的化合物的含量。

5.根据权利要求1至权利要求4中任1项所述的反射型掩模，其特征在于，所述吸收膜含有包含cr、ta、nb、ti、al、v及hf中的至少1种作为所述除sn以外的金属元素的化合物。

6.根据权利要求1至权利要求5中任1项所述的反射型掩模，其特征在于，对于所述氧化覆膜，所述氧化覆膜的膜厚为1nm以上。

7.根据权利要求1至权利要求6中任1项所述的反射型掩模，其特征在于，所述吸收膜不含有作为半金属元素的b、c、p、si及ge；或者含有所述半金属元素当中的至少1种、且相对于所述除sn以外的金属元素的合计原子量，所述半金属元素的合计原子量比(半金属元素/除sn以外的金属元素)在0以上1以下的范围内。

8.根据权利要求1至权利要求7中任1项所述的反射型掩模，其特征在于，所述吸收膜含有多于5原子％的cr、ta、nb、ti、al、v及hf当中的至少1种的化合物。

9.根据权利要求1至权利要求8中任1项所述的反射型掩模，其特征在于，所述吸收膜能够利用氟系气体或氯系气体进行蚀刻。

10.根据权利要求1至权利要求9中任1项所述的反射型掩模，其特征在于，所述吸收膜和所述氧化覆膜的合计膜厚为45nm以下，

11.一种反射型掩模的制造方法，该反射型掩模具备：

12.一种反射型掩模的制造方法，该反射型掩模具备：

13.根据权利要求11或权利要求12所述的反射型掩模的制造方法，其特征在于，所述氧化覆膜是通过氧化所述吸收膜而形成的。

技术总结
本发明的目的在于提供能够减少投影效应、且充分地具备氢自由基耐性的反射型掩模以及反射型掩模的制造方法。本实施方式涉及的反射型掩模(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上的具有多层膜结构且反射EUV光的反射膜(12)、形成在反射膜(12)上且保护反射膜(12)的保护膜(13)、形成在保护膜(13)上的吸收EUV光的吸收膜图案(14a)、以及形成在吸收膜图案(14a)上的氧化覆膜(15)，吸收膜图案(14a)含有Sn和除Sn以外的金属元素，并且相对于除Sn以外的金属元素的合计原子量，Sn的原子量比(Sn/除Sn以外的金属元素)在1以上且小于20的范围内，氧化覆膜(15)对于氢自由基具有耐性，形成在吸收膜图案(14a)的表面和侧面。

技术研发人员：市川显二郎,合田步美,中野秀亮,山形悠斗
受保护的技术使用者：凸版光掩模有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13