用于沉积残留物控制的系统和方法与流程

本技术涉及用于半导体处理的系统和方法。更具体的，本技术涉及处理腔室部件及用于在处理期间控制沉积残留物的方法。

背景技术：

1、集成电路通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成且移除材料的可控方法。前驱物通常经传递至处理区域并且经分配以均匀地沉积或蚀刻基板上的材料。处理腔室的许多方面可能影响工艺均匀性，诸如腔室之内的工艺条件的均匀性、穿过部件的流动的均匀性，以及其他工艺及部件参数。即使基板上的微小差异也可能影响形成或移除工艺。另外，腔室内的部件可能影响腔室部件或基板支撑件的边缘及背侧区域上的沉积。

2、因此，需要可用于产生高质量器件及结构的改良的系统及方法。本技术解决了这些及其他需要。

技术实现思路

1、示例性半导体处理系统可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。系统可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括支撑平台及杆。系统可包括围绕基板支撑件的杆延伸的挡板。挡板可限定穿过该挡板的一个或多个孔。系统可包括在基板支撑件的杆与挡板之间的入口处与腔室主体流体耦接的流体源。

2、在一些实施例中，系统可包括泵送板，该泵送板围绕基板支撑件延伸并在泵送板与腔室主体的底座之间形成气室。系统可包括穿过基板支撑件的杆延伸的射频(radiofrequency；rf)棒。射频棒可与电接地或rf电源耦接。挡板可包括沿着基板支撑件的杆延伸的导电覆盖件。腔室主体的底座可限定用于泵送系统前级管线的入口。腔室主体的底座可包括含氟涂层。

3、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理的方法。该方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成沉积前驱物的等离子体。该方法可包括将净化气体流过限定在基板支撑件与围绕基板支撑件的杆延伸的挡板之间的间隙。该方法可包括在基板支撑件的杆与挡板之间产生净化气体的等离子体流出物。该方法可包括在位于基板支撑件上的基板上沉积材料。该方法可以包括从处理区域排放沉积副产物。该方法可包括将净化气体的等离子体流出物流过限定在挡板中的孔，同时从半导体处理腔室的处理区域排放沉积副产物。

4、在一些实施例中，挡板可以是或包括沿着基板支撑件的杆延伸的导电覆盖件。基板支撑件可包括穿过基板支撑件的杆延伸的rf棒。沉积前驱物的等离子体可以是在半导体处理腔室的处理区域内形成的电容耦合等离子体。净化气体的等离子体流出物可由rf棒的发射产生。该方法可包括用净化气体的等离子体流出物从半导体处理腔室的表面移除沉积材料。半导体处理腔室可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。腔室主体的底座可限定用于泵送系统前级管线的入口。腔室可包括泵送板，该泵送板围绕基板支撑件延伸并在泵送板与腔室主体的底座之间形成气室。腔室主体的底座可包括含氟涂层。净化气体的等离子体流出物可流入形成在泵送板与腔室主体之间的气室。净化气体可以是或包括氧或三氟化氮。

5、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理的方法。该方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成沉积前驱物的等离子体。该方法可包括将净化气体流过限定在基板支撑件与围绕基板支撑件的杆延伸的挡板之间的间隙。该方法可包括在位于基板支撑件上的基板上沉积材料。该方法可以包括从处理区域排放沉积副产物。该方法可包括将净化气体流过限定在挡板中的孔，同时从半导体处理腔室的处理区域排放沉积副产物。

6、在一些实施例中，净化气体可与沉积副产物反应以产生挥发性材料。半导体处理腔室可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。腔室主体的底座可限定用于泵送系统前级管线的入口。腔室可包括泵送板，该泵送板围绕基板支撑件延伸并在泵送板与腔室主体的底座之间形成气室。穿过挡板限定的孔可形成于泵送板与基板支撑件的平台之间的位置处。

7、该技术可提供优于传统系统及技术的众多益处。例如，本技术的实施例可限制腔室部件上的沉积，例如前级管线连接及其他腔室部件上的沉积。此外，通过减少或消除室内的沉积，产量可通过减少腔室清洁操作来提高。结合以下描述及附图更详细地描述这些及其他实施例，连同其许多优点及特征。

技术特征：

1.一种半导体处理系统，包含：

2.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包含：

3.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包含：

4.如权利要求3所述的半导体处理系统，其中所述rf棒可与电接地或rf电源耦接。

5.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述挡板包含沿着所述基板支撑件的所述杆延伸的导电覆盖件。

6.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述腔室主体的所述底座限定用于泵送系统前级管线的入口。

7.如权利要求6所述的半导体处理系统，其中所述腔室主体的所述底座包含含氟涂层。

8.一种半导体处理的方法，包含以下步骤：

9.如权利要求8所述的半导体处理的方法，其中所述挡板包含沿着所述基板支撑件的所述杆延伸的导电覆盖件。

10.如权利要求8所述的半导体处理的方法，其中所述基板支撑件包含穿过所述基板支撑件的所述杆延伸的rf棒。

11.如权利要求10所述的半导体处理的方法，其中所述沉积前驱物的所述等离子体为在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成的电容耦合等离子体。

12.如权利要求11所述的半导体处理的方法，其中所述净化气体的所述等离子体流出物由所述rf棒的发射产生。

13.如权利要求8所述的半导体处理的方法，进一步包含以下步骤：

14.如权利要求13所述的半导体处理的方法，其中所述半导体处理腔室包含：

15.如权利要求14所述的半导体处理的方法，其中所述腔室主体的所述底座包含含氟涂层。

16.如权利要求14所述的半导体处理的方法，其中所述净化气体的所述等离子体流出物流入形成在所述泵送板与所述腔室主体之间的所述气室。

17.如权利要求16所述的半导体处理的方法，其中所述净化气体包含氧气或三氟化氮。

18.一种半导体处理的方法，包含以下步骤：

19.如权利要求18所述的半导体处理的方法，其中所述净化气体与所述沉积副产物反应以产生挥发性材料。

20.如权利要求18所述的半导体处理的方法，其中所述半导体处理腔室包含：

技术总结
示例性半导体处理系统可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。系统可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括支撑平台及杆。系统可包括围绕基板支撑件的杆延伸的挡板。挡板可限定穿过该挡板的一个或多个孔。系统可包括在基板支撑件的杆与挡板之间的入口处与腔室主体流体耦接的流体源。

技术研发人员：A·A·哈贾,A·M·帕特尔
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14