一种金属化学气相沉积装置的制作方法

文档序号:35681366发布日期:2023-10-08 20:07阅读:22来源:国知局
一种金属化学气相沉积装置的制作方法

本发明涉及化学气相沉积,具体涉及一种金属化学气相沉积装置。


背景技术:

1、金属有机化学气相沉积是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物薄膜材料的一种技术。金属有机化学气相沉积通常以iii族金属有机源和v族氢化物源作为反应气体,用氢气、氮气或氩气作为载气,以热分解反应方式在基片上进行气相外延生长,从而生长各种iii-v族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料,如氮化镓gan、砷化镓gaas、磷化铟inp等。

2、针对现有技术存在以下问题:

3、1、化学气相沉积装置在进行排出的废料颗粒时,由于废料颗粒过多,容易导致排料口堵塞,从而影响装置正常运作,使得降低装置的工作效率问题;

4、2、装置内部的部分废料颗粒粘连在收集箱的底部,从而无法便捷的倒出废料,导致需要人工清理,造成人工劳动力增加的问题。


技术实现思路

1、本发明提供一种金属化学气相沉积装置,其中一种目的是为了具备防堵塞的功能,解决由于装置内部的废料颗粒过多,容易导致排料口堵塞,从而影响装置正常运作,使得降低装置的工作效率问题;其中另一种目的是为了解决部分废料颗粒粘连在收集箱的底部,导致装置无法便捷的倒出废料,从而需要人工清理,造成人工劳动力增加的问题,以达到便捷的清理废料效果。

2、为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:

3、一种金属化学气相沉积装置,包括化学气相沉积装置本体、控制台、底台、反应炉和支撑台,所述化学气相沉积装置本体的一侧固定安装有控制台,所述控制台的底部固定安装有底台,所述控制台的侧面固定连接有反应炉,所述反应炉的一侧固安装有进气管,所述反应炉另一侧的底部开设有出料口,所述反应炉的底部固定安装有支撑台,所述反应炉的内部固定安装有反应层,所述反应层的底部固定安装有过滤层,所述过滤层的底部固定安装有收集箱。

4、所述过滤层的底部固定安装有防堵机构,所述防堵机构的顶部固定安装有旋转机构,所述防堵机构的底部设置有收集口。

5、所述收集箱的内部固定安装有清理机构,所述清理机构的一侧设置有推板,所述推板的底部活动安装有吸附柱。

6、本发明技术方案的进一步改进在于:所述旋转机构的顶部固定安装有动力电机,所述动力电机的底部固定安装有变速器,所述变速器的底部固定连接有转动柱,所述转动柱的底部固定安装有搅拌叶。

7、采用上述技术方案,该方案中的动力电机、变速器、转动柱和搅拌叶相互配合,达到搅拌防止堵塞的效果。

8、本发明技术方案的进一步改进在于:所述搅拌叶的顶部固定安装有连接杆,所述连接杆的顶部固定连接在转动柱的外侧。

9、采用上述技术方案,该方案中的连接杆和转动柱相互配合,达到固定连接的效果。

10、本发明技术方案的进一步改进在于:所述搅拌叶底部的一侧固定安装有刮板,所述刮板的顶部固定安装有橡胶垫,所述橡胶垫的底部固定安装有刮片。

11、采用上述技术方案,该方案中的橡胶垫和刮片相互配合,达到增加对装置内部保护的效果。

12、本发明技术方案的进一步改进在于:所述刮片的底部固定安装有连接块,所述连接块的底部固定安装有气囊块,所述气囊块的底部固定安装有缓冲弹簧。

13、采用上述技术方案,该方案中的气囊块和缓冲弹簧相互配合,达到缓冲保护的功能。

14、本发明技术方案的进一步改进在于:所述收集箱内部的一侧固定安装有固定板,所述固定板的侧面设置有伸缩杆,所述伸缩杆的另一端固定连接在推板的一侧。

15、采用上述技术方案,该方案中的固定板、伸缩杆和推板相互配合,达到便捷清理废料的功能。

16、本发明技术方案的进一步改进在于:所述吸附柱的表面固定安装有粘黏层,所述粘黏层的侧面固定安装有粘连块。

17、本发明技术方案的进一步改进在于:所述推板一侧的顶部开设有滑槽,所述滑槽的内部固定安装有伸缩柱,所述伸缩柱的顶部固定安装有伸缩板。

18、本发明技术方案的进一步改进在于:所述收集箱的另一侧开设有废料口,所述废料口远离收集箱的一侧固定连接在出料口的一侧。

19、采用上述技术方案,该方案中的废料口和出料口相互配合,达到便捷倒出废料的效果。

20、由于采用了上述技术方案,本发明相对现有技术来说,取得的技术进步是:

21、1、本发明提供一种金属化学气相沉积装置,通过动力电机和转动柱相互配合,使得动力电机带动转动柱进行转动,再由转动柱带动搅拌叶进行转动,达到转动废料的效果,解决了由于装置内部的废料颗粒过多,容易导致排料口堵塞的问题,有利于防止装置堵塞,从而增加装置的安全性能,提高装置的防护性能。

22、2、本发明提供一种金属化学气相沉积装置,通过伸缩杆和推板相互配合,使得伸缩杆伸缩带动推板进行移动,利用推板与收集箱底部相互触碰,达到移动刮除颗粒废料的效果,再利用吸附柱和粘黏层相互配合,从而使得吸附柱滚动的同时粘住收集箱底部的颗粒物,达到便捷的收集的效果,解决了部分废料颗粒粘连在收集箱的底部,导致装置无法便捷的倒出废料的问题,有利于装置便捷的倒出废料,使得节省人工劳动力,同时节省成本。

23、3、本发明提供一种金属化学气相沉积装置,通过橡胶垫和刮片相互配合,使得橡胶垫包裹在刮片的底部,方便装置内部的保护,然后利用气囊块的柔软性,从而增加装置的保护性能,再由缓冲弹簧的回弹性,达到缓冲刮片的作用力,解决了装置对刮板的作用力过大,容易导致刮片损坏的问题,有利于增加对刮片的保护,从而增加刮片的使用寿命。

24、4、本发明提供一种金属化学气相沉积装置,通过动力电机和变速器相互配合,使得动力电机在转动,由变速器进行保护作用,从而达到增加装置的防护性能,再配合连接杆和转动柱,使得增加搅拌叶的固定性,解决了防堵机构的固定性能较差,容易导致搅拌叶脱落损坏的问题,有利增加搅拌叶的固定性能,同时也增加了防堵机构的使用寿命。



技术特征:

1.一种金属化学气相沉积装置,包括化学气相沉积装置本体(1)、控制台(2)、底台(3)、反应炉(4)和支撑台(5),所述化学气相沉积装置本体(1)的一侧固定安装有控制台(2),所述控制台(2)的底部固定安装有底台(3),所述控制台(2)的侧面固定连接有反应炉(4),所述反应炉(4)的一侧固安装有进气管(41),所述反应炉(4)另一侧的底部开设有出料口(42),所述反应炉(4)的底部固定安装有支撑台(5),其特征在于:所述反应炉(4)的内部固定安装有反应层(43),所述反应层(43)的底部固定安装有过滤层(44),所述过滤层(44)的底部固定安装有收集箱(45);

2.根据权利要求1所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述旋转机构(442)的顶部固定安装有动力电机(4421),所述动力电机(4421)的底部固定安装有变速器(4422),所述变速器(4422)的底部固定连接有转动柱(4423),所述转动柱(4423)的底部固定安装有搅拌叶(4424)。

3.根据权利要求2所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述搅拌叶(4424)的顶部固定安装有连接杆(44241),所述连接杆(44241)的顶部固定连接在转动柱(4423)的外侧。

4.根据权利要求3所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述搅拌叶(4424)底部的一侧固定安装有刮板(44242),所述刮板(44242)的顶部固定安装有橡胶垫(44243),所述橡胶垫(44243)的底部固定安装有刮片(44244)。

5.根据权利要求4所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述刮片(44244)的底部固定安装有连接块(44245),所述连接块(44245)的底部固定安装有气囊块(44246),所述气囊块(44246)的底部固定安装有缓冲弹簧(44247)。

6.根据权利要求1所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述收集箱(45)内部的一侧固定安装有固定板(454),所述固定板(454)的侧面设置有伸缩杆(4541),所述伸缩杆(4541)的另一端固定连接在推板(452)的一侧。

7.根据权利要求1所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述推板(452)的底部开设有移动槽(4521),所述移动槽(4521)的内部活动安装有转动轴(4522),所述转动轴(4522)的外侧固定套接在吸附柱(453)的内侧。

8.根据权利要求1所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述吸附柱(453)的表面固定安装有粘黏层(4531),所述粘黏层(4531)的侧面固定安装有粘连块(4532)。

9.根据权利要求1所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述推板(452)一侧的顶部开设有滑槽(4523),所述滑槽(4523)的内部固定安装有伸缩柱(4524),所述伸缩柱(4524)的顶部固定安装有伸缩板(4525)。

10.根据权利要求1所述的一种金属化学气相沉积装置,其特征在于:所述收集箱(45)的另一侧开设有废料口,所述废料口远离收集箱(45)的一侧固定连接在出料口(42)的一侧。


技术总结
本发明公开了一种金属化学气相沉积装置,涉及化学气相沉积技术领域,包括化学气相沉积装置本体、控制台、底台、反应炉和支撑台,所述化学气相沉积装置本体的一侧固定安装有控制台,所述控制台的底部固定安装有底台,所述控制台的侧面固定连接有反应炉。本发明通过伸缩杆和推板相互配合,使得伸缩杆伸缩带动推板进行移动,利用推板与收集箱底部相互触碰,达到移动刮除颗粒废料的效果,再利用吸附柱和粘黏层相互配合,从而使得吸附柱滚动的同时粘住收集箱底部的颗粒物,达到便捷的收集的效果,解决了部分废料颗粒粘连在收集箱的底部,导致装置无法便捷的倒出废料的问题,有利于装置便捷的倒出废料,使得节省人工劳动力,同时节省成本。

技术研发人员:何淑英,黄永钦,钟兴进,冯嘉荔,黄沛泉,何浩梁
受保护的技术使用者:广东鸿浩半导体设备有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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