真空镀膜系统及真空镀膜方法与流程

本公开涉及真空镀膜，具体地，涉及一种真空镀膜系统及真空镀膜方法。

背景技术：

1、真空镀膜过程可以描述为在真空环境下，将沉积材料蒸发或升华为气态粒子，输送气态粒子至基片表面，粒子在基片表面成核、生长，实现薄膜原子的重构，或者原子间产生新的化学键合。真空镀膜系统在诸如薄膜电池制造等工艺中应用广泛。

2、然而相关技术中的真空镀膜系统，存在薄膜生长过程控制不及时的问题，导致产品性能或者良品率低。

技术实现思路

1、本公开的目的是提供一种真空镀膜系统及真空镀膜方法，以解决相关技术中存在的问题。

2、为了实现上述目的，本公开实施例的第一部分提供一种真空镀膜系统，该系统包括：

3、真空腔体，设置于真空腔体内部用于带动基片移动的传送装置，以及设置于真空腔体内部用于加热基片的加热器；

4、所述真空腔体内还设置有沿基片移动方向的多个蒸发镀膜腔室，以及与每个蒸发镀膜腔室配合的镀膜检测组件，所述蒸发镀膜腔室内设置有蒸发源；

5、控制器，所述控制器用于至少根据目标镀膜检测组件检测得到的目标镀膜信息，确定与所述目标镀膜检测组件配合的目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果，并基于所述目标镀膜结果对所述目标蒸发镀膜腔室的蒸发源进行控制，所述目标镀膜检测组件为所述真空腔体内的任一个镀膜检测组件。

6、在一些实施方式中，所述目标镀膜检测组件包括用于检测所述基片预设位置镀膜信息的镀膜检测装置。

7、在一些实施方式中，所述目标蒸发镀膜腔室内设置的蒸发源包括用于蒸发大分子材料的大分子蒸发源以及用于蒸发小分子材料的小分子蒸发源；

8、所述目标镀膜检测组件包括用于检测所述基片中线位置镀膜信息的第一镀膜检测装置，以及用于检测所述基片边缘位置镀膜信息的第二镀膜检测装置；

9、所述控制器还用于至少根据第一镀膜检测装置检测得到的第一镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的第一目标镀膜结果，以及至少根据所述第二镀膜检测装置检测得到的第二镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的第二目标镀膜结果，并基于所述第一目标镀膜结果以及所述第二目标镀膜结果，对目标蒸发镀膜腔室的大分子蒸发源进行控制。

10、本公开实施例的第二部分提供一种真空镀膜方法，该方法应用于第一部分任一项的真空镀膜系统中的控制器，该真空镀膜方法包括：

11、获取目标镀膜检测组件检测得到的目标镀膜信息；

12、至少根据所述目标镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果；

13、根据所述目标镀膜结果，对所述目标蒸发镀膜腔室的蒸发源进行控制。

14、在一些实施方式中，所述至少根据所述目标镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果，包括：

15、在所述目标蒸发镀膜腔室为沿基片移动方向的第一个蒸发镀膜腔室时，将所述目标镀膜信息确定为所述目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果；

16、在所述目标蒸发镀膜腔室为除去所述第一个蒸发镀膜腔室之外的任一个蒸发镀膜腔室时，根据所述目标镀膜信息以及所述目标蒸发镀膜腔室的前一个蒸发镀膜腔室的镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果。

17、在一些实施方式中，所述目标镀膜结果包括大分子蒸发源对应的目标大分子镀膜结果以及小分子蒸发源对应的目标小分子镀膜结果，所述根据所述目标镀膜结果，对所述目标蒸发镀膜腔室的蒸发源进行控制，包括：

18、基于所述目标大分子镀膜结果，确定大分子蒸发源的蒸发稳定性；

19、在确定所述大分子蒸发源蒸发稳定的情况下，获取所述目标小分子镀膜结果与对应的标准镀膜结果之间的差值；

20、在所述差值大于预设差值阈值的情况下，输出用于对所述目标蒸发镀膜腔室的小分子蒸发源进行控制的控制信息。

21、在一些实施方式中，所述方法还包括：

22、在确定所述大分子蒸发源蒸发不稳定的情况下，输出用于对所述目标蒸发镀膜腔室的所述大分子蒸发源进行控制的控制信息。

23、在一些实施方式中，所述目标蒸发镀膜腔室内设置的蒸发源包括大分子蒸发源以及小分子蒸发源，所述目标镀膜检测组件包括用于检测所述基片中线位置镀膜信息的第一镀膜检测装置，以及用于检测所述基片边缘位置镀膜信息的第二镀膜检测装置，所述方法还包括：

24、至少根据第一镀膜检测装置检测得到的第一镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的第一目标镀膜结果，以及至少根据所述第二镀膜检测装置检测得到的第二镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的第二目标镀膜结果；

25、基于所述第一目标镀膜结果以及所述第二目标镀膜结果，确定大分子材料与小分子材料在所述基片上的分布情况；

26、在确定所述分布情况为分布不均匀时，输出用于对所述目标蒸发镀膜腔室的所述大分子蒸发源进行控制的控制信息。

27、在一些实施方式中，所述基于所述第一目标镀膜结果以及所述第二目标镀膜结果，确定所述大分子材料与小分子材料的分布情况，包括：

28、基于所述第一目标镀膜结果以及所述第二目标镀膜结果进行归一化处理，得到归一化结果；

29、基于所述归一化结果与预设范围，确定所述大分子材料与小分子材料的分布情况。

30、在一些实施方式中，所述基于所述归一化结果与预设范围，确定所述大分子材料与小分子材料的分布情况，包括：

31、若所述归一化结果超出所述预设范围，确定所述分布情况为分布不均匀。

32、采用上述技术方案，至少能够达到如下的有益技术效果：

33、由于为每个蒸发镀膜腔室设置有相互配合的镀膜检测组件，从而通过配合的镀膜检测组件便可以检测对应的蒸发镀膜腔室的镀膜结果，进而便可以根据每个蒸发镀膜腔室的镀膜结果，对对应的蒸发镀膜腔室的蒸发源进行分布控制，由于可以在每个镀膜阶段中分别对该阶段的蒸发源进行控制，可以细化到每个镀膜阶段，对镀膜工艺起到更加细致的控制，使得控制更加灵活准确，也即，可以在薄膜生产过程中精确控制薄膜在各个沉积阶段的组分、厚度和均匀度，且在长期连续生产中过程始终受控。

34、本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种真空镀膜系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述目标蒸发镀膜腔室内设置的蒸发源包括用于蒸发大分子材料的大分子蒸发源以及用于蒸发小分子材料的小分子蒸发源；

4.一种真空镀膜方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任一项的真空镀膜系统中的控制器，所述方法包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述至少根据所述目标镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果，包括：

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述目标镀膜结果包括大分子蒸发源对应的目标大分子镀膜结果以及小分子蒸发源对应的目标小分子镀膜结果，所述根据所述目标镀膜结果，对所述目标蒸发镀膜腔室的蒸发源进行控制，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述目标蒸发镀膜腔室内设置的蒸发源包括大分子蒸发源以及小分子蒸发源，所述目标镀膜检测组件包括用于检测所述基片中线位置镀膜信息的第一镀膜检测装置，以及用于检测所述基片边缘位置镀膜信息的第二镀膜检测装置，所述方法还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一目标镀膜结果以及所述第二目标镀膜结果，确定所述大分子材料与小分子材料的分布情况，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基于所述归一化结果与预设范围，确定所述大分子材料与小分子材料的分布情况，包括：

技术总结
本公开涉及一种真空镀膜系统及真空镀膜方法，系统包括：真空腔体，设置于真空腔体内部用于带动基片移动的传送装置，以及设置于真空腔体内部用于加热基片的加热器；真空腔体内还设置有沿基片移动方向的多个蒸发镀膜腔室，以及与每个蒸发镀膜腔室配合的镀膜检测组件，蒸发镀膜腔室内设置有蒸发源；控制器，控制器用于至少根据目标镀膜检测组件检测得到的目标镀膜信息，确定与目标镀膜检测组件配合的目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果，并基于目标镀膜结果对目标蒸发镀膜腔室的蒸发源进行控制，目标镀膜检测组件为真空腔体内的任一个镀膜检测组件。采用本公开的系统，可以对镀膜工艺起到更加细致的控制，使得控制更加灵活准确。

技术研发人员：赵子铭,李博研,钟大龙,赵明
受保护的技术使用者：国家能源投资集团有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19