一种插板阀以及立式双室热丝CVD系统的制作方法

一种插板阀以及立式双室热丝cvd系统
技术领域
1.本发明涉及化学沉积镀膜设备技术领域，尤其涉及一种插板阀以及立式双室热丝cvd系统。


背景技术：

2.化学气相沉积(cvd)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，把多种混合气体引入反应室中，在热丝的作用下发生化学反应并在基片表面形成需要的薄膜。由于cvd 技术具有成膜范围广、重现性好等优点，被广泛用于多种不同形态的成膜。
3.目前，用于化学气相沉积的真空腔室可以连续设置，多个真空腔室之间采用插板阀进行隔离或者连通，其大部分插板阀采用挤压机构或者导槽机构或者气顶机构或者上述三种机构组合而成的。但是，一般插板阀较为复杂，密封性比较差以及制作成本比较高。因此，需要提出一种结构简单且能够满足密封性要求的插板阀。


技术实现要素：

4.本发明的实施例提供一种插板阀以及立式双室热丝cvd系统，通过滑槽设置，简化了插板阀结构，增强了插板阀封闭真空腔室内密封性。
5.为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：一方面，本实用新型实施例提供一种插板阀，包括外壳、两个连接板、两个冷水板、多个滑杆和气缸。其中，外壳开设有开口和与开口相连通的壳腔。两个连接板一端由开口伸入至壳腔内，且分别与壳腔内两个相对的侧壁相连。两个冷水板间隔设置于两个连接板之间；其中，连接板靠近冷水板的一侧开设有两排滑槽，每排滑槽包括间隔设置的第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽靠近第二凹槽的一端朝向远离另一排滑槽的一侧弯曲形成第一弧形段；第二凹槽远离第一凹槽的一端朝向远离另一排滑槽的一侧弯曲形成第二弧形段。冷水板相对的两个侧壁分别设置至少两个滑杆，且滑杆一端与冷水板相连，滑杆另一端伸入至第一凹槽内滑动或伸入至第二凹槽内滑动。气缸与外壳相连，气缸具有气缸杆，气缸杆伸入至壳腔内与两个冷水板铰接，气缸杆的延伸方向和两排滑槽延伸方向一致。
6.在此情况下， 两个冷水板和两个连接板之间采用滑动连接，具体地，冷水板两侧设置的滑杆可以滑动设置在两排滑槽内，从而实现滑动连接，为使得插板阀在关闭时，冷水板可以更加紧密的贴合真空腔室内壁，第一凹槽和第二滑槽的一端分别具有第一弧形段和第二弧形段，这样一来，当冷水板向靠近真空腔室一侧进行关闭时，冷水板一端的滑杆可以滑入至第一弧形段或者第二弧形段内，此时，由于气缸的推力作用，两个冷水板开始向背离一侧移动，从而冷水板开始挤压真空腔室接触处的内壁，进而实现进一步密封。
7.进一步地，插板阀还包括多个滚针轴承，套设于滑杆远离冷水板的一端外侧，且与滑杆相连。
8.进一步地，插板阀还包括多个第一连接片、多个第二连接片和驱动板，其中，多个第一连接片一端与两个冷水板的内侧相连。多个第二连接片一端与第一连接片的另一端铰
接。驱动板一端与第二连接片另一端铰接，驱动板另一端与气缸杆相连。
9.进一步地，外壳的底壁上开设有两个进水口和两个出水口。插板阀还可以包括两个第一波纹管和两个第二波纹管，其中，两个第一波纹管分别与两个冷水板对应相连通，两个第一波纹管的另一端分别与两个进水口相连通。两个第二波纹管分别与两个冷水板对应相连通，两个第二波纹管的另一端分别与两个出水口相连通。
10.另一方面，本技术实施例还提供一种立式双室热丝cvd系统，包括上述任一技术方案提及的插板阀、进样室和工艺室。
11.其中，进样室具有预处理腔，工艺室具有工艺腔，工艺腔与预处理腔相连通；插板阀中的连接板的另一端插设于进样室靠近工艺室的一侧，且与预处理腔的内壁相连，外壳的开口与进样室的外壁相连，预处理腔与壳腔相连通；插板阀中的冷水板用于移动至预处理腔内时，一部分滑杆位于第一弧形段处和一部分滑杆位于第二弧形段处时，预处理腔和工艺腔被分别隔离成密封腔体；冷水板还用于移除至预处理腔内时，将预处理腔和工艺腔相连通。
12.进一步地，双立室热丝cvd系统还包括若干个传动辊、样品车、热丝、进气管路和抽气系统。若干个传动辊设置于预处理腔和工艺腔底部；样品车位于传动辊上，且沿着传动辊在预处理腔和工艺腔之间移动；样品车具有安装腔，安装腔具有两个平行设置相对的安装面，安装面用于安装基片。若干个等间距设置且位于同一平面的热丝，设置于工艺腔内，热丝用于在样品车移动至工艺腔内时，位于安装腔内，且基片位于热丝的一侧或者两侧。进气管路设置于工艺腔顶部，且进气管路上开设有若干个朝向基片的出气孔，进气管路用于通入混合气体；抽气系统用于抽真空，与预处理腔和工艺腔底部相连通。
13.进一步地，双立室热丝cvd系统还包括支架、两个凸块和两个限位组件，其中，支架设置于进样室和工艺室底部且相连，支架用于支撑进样室和工艺室。两个凸块分别设置于样品车外侧底壁的左右两端，且与样品车相连。两个限位组件分别设置于进样室和工艺室下方，且与支架相连。
14.其中，限位组件用于抵接于其中一个凸块时控制传动辊停止转动。
15.进一步地，限位组件包括伸缩杆、第一光电开关和第二光电开关，其中，伸缩杆包括连接杆、套筒、弹簧和滚轮，套筒套设于连接杆外，弹簧套设于连接杆外且位于套筒内，弹簧与套筒和连接杆之间抵接；滚轮设置于连接杆靠近样品车的一端。第一光电开关与支架相连，第一光电式开关具有第一发射器。第二光电开关与支架相连，且位于第一光电开关远离传动辊的一侧，第二光电开关具有第二发射器。凸块靠近第一光电开关的一侧具有减速斜面和与减速斜面相连的停止平面。滚轮滑入至减速斜面上时，连接杆远离滚轮的一端挡住第一发射器上，并控制传动辊减速；滚轮滑入到停止平面上时，连接杆远离滚轮的一端挡住第二发射器，并控制传动辊停止转动。
附图说明
16.图1为本发明实施例提供的一种立式双室热丝cvd系统后视图；图2为本发明实施例提供的一种立式双室热丝cvd系统正视图；图3为本发明实施例提供的图2中的带有样品车的进样室局部剖视图；图4为本发明实施例提供的图3中的样品车示意图；
图5为本发明实施例提供的图2中的带有样品车的工艺室局部剖视图；图6为本发明实施例提供的图5中的热丝组件示意图；图7为本发明实施例提供的图2中的插板阀示意图；图8为本发明实施例提供的图7中的连接板示意图；图9为本发明实施例提供的冷水板上的滑杆与连接板滑动连接处的局部示意图；图10为本发明实施例提供的图7中的局部剖视图；图11为本发明实施例提供的插板阀去掉连接板和外壳后的示意图；图12为本发明实施例提供的进样室与工艺室连接部分局部剖视示意图；图13为本发明实施例提供的图12中的胶条示意图；图14为本发明实施例提供的限位组件在立式双室热丝cvd系统内的位置关系图；图15为本发明实施例提供的图14中的限位组件剖视示意图；图16为本发明实施例提供的一种限位组件与进样室和工艺室的位置关系示意图；图17为本发明实施例提供的另一种限位组件与进样室和工艺室的位置关系示意图；图18为本发明实施例提供的冷水板与胶条连接处的剖视示意图。
具体实施方式
17.下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
18.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
19.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
20.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
21.cvd(chemical vapor deposition, 化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。
22.本发明实施例提供一种立式双室热丝cvd系统100，用于基片镀膜，如图1所示，立式双室热丝cvd系统100可以包括进样室101、工艺室102、插板阀103和抽气系统104。其中，进样室101具有预处理腔。工艺室102具有工艺腔，工艺腔与预处理腔相连通。插板阀103用于插设于进样室101靠近工艺室102的一侧，将预处理腔和工艺腔隔离开。还用于拔出插板阀103时，将预处理腔和工艺腔之间连通。抽气系统104用于抽真空，与预处理腔和工艺腔底
部相连通。
23.在此情况下，如图1所示，通过抽气系统104可以对预处理腔和工艺腔内进行抽真空。通过插板阀103可以将预处理腔和工艺腔之间连通或者进行隔离开。基片可以在预处理腔内进行加热抽真空处理后，在运送至工艺腔内，工艺腔内并未通入外界空气，从而洁净度更高，由此一来，在基片表面成膜的纯度更高。抽气系统104可以进行抽真空处理，例如，在本技术的一些实施例中，该抽气系统104可以包括第一机械泵1041和第二机械泵1042，其中，第一机械泵1041与预处理腔相连通，用于对预处理腔进行抽真空。第二机械泵1042与工艺腔相连通，用于对工艺腔进行抽真空。
24.为防止进样室101和工艺室102内的温度过高，在本技术的一些实施例中，进样室101和工艺室102的侧壁均具有间隙夹层，该间隙夹层是指，进样室101和工艺室102的侧壁是双层结构，且双层结构之间具有间隙，该间隙可以通入水流。如图1所示，该双立室热丝cvd系统还包括水冷系统，该水冷系统包括冷却水箱105和水管106，其中，水管106与冷却水箱105相连通，水管106的进口与进样室101和工艺室102的底部的间隙夹层，以及水冷板（插板阀103中的结构，图1中未示出）相连通。水管106的出口与进样室101和工艺室102的顶部的间隙夹层，以及水冷板相连通。
25.在此情况下，如图1所示，冷却水箱105内具有循环水泵，工作原理是水箱内贮存的冷水由循环水泵吸入循环系统，经过待冷却的设备部位，发挥冷却作用后，流出温度较高的水，再经过水循环散热器、冷却风扇冷却后，重新加入新的循环。冷水通过水管106进入进样室101和工艺室102的底部间隙夹层，从而在间隙夹层内进行流动从而对进样室101和工艺室102进行冷却，而后由进样室101和工艺室102顶部的间隙夹层流出至冷却水箱105内，从而形成循环。冷却水也可以通过水管106流入冷水板内对冷水板进行降温，当然，在本技术的一些其它实施例中，也可以通过水管106连接其他构件，本技术不再一一列举。
26.如图2所示，在本技术的一些实施例中，该立式双室热丝cvd系统100还可以包括电源107，通过该电源107可以给工艺室102内的热丝1114进行通电加热。如图2所示，在进样室101处，设置有门体1011用于密封进样室101，在门体1011的外侧设置有把手1012用于供用户通过把手1012打开或者关闭门体1011。
27.如图3所示，为样品车108在进样室101内的局部剖视图，可以看出，样品车108在进样室101的预处理腔内。若干个传动辊109设置于预处理腔的底部，该传动辊109用于供样品车108在预处理腔内进行移动，在进样室101或者工艺室102底部的多个传动辊109之间采用一条链条连接，并通过电机110与其中一个传动辊109同轴相连进行传动，从而带动链条转动，进而带动其它关联传动109辊转动。最终实现多个传动辊109同步转动。进样室101和工艺室102底部的两个电机110可以同步转动，从而使得样品车108可以在左右两个腔室进行平稳移动。
28.需要说明的是，在本技术的一些实施例中，也可以多个红外辐射加热器（图3中未示出）。该红外辐射加热器设置于预处理腔内的顶部，用于加热预处理腔。在生产过程中，通过红外辐射加热器对预处理腔进行加热达到一定温度，使得预处理腔内的温度较为均匀和稳定，以确保基片在镀膜过程中的初始环境温度，有利于保证工艺的稳定性。
29.以下对上述提及的样品车108的结构进行举例说明，例如，在本技术的一些实施例中。如图4所示，该样品车108可以包括底板1081、两个平行且间隔设置的侧板1082、两个平
行且间隔设置的样品板1083。其中，底板1081位于传动辊109上。两个平行且间隔设置的侧板1082分别设置于底板1081的两端，且与底板1081远离传动辊109的一侧垂直相连。两个平行且间隔设置的样品板1083设置于两个侧板1082之间，样品板1083的板面与侧板1082的板面之间平行，样品板1083与侧板1082相连，两个样品板1083之间的空间作为安装腔1084。样品板1083远离侧板1082的一侧的板面作为安装面10831用于安装基片。
30.在此情况下，底板1081可以沿着传动辊109进行滑动，两个平行的侧板1082可以与底板1081构成一个u型腔体，从而形成一个u型支架114车，在u型腔体内的两个平行的样品板1083可以通过龙骨与侧板1082进行固定，这样一来，两个平行的侧板1082与两个平行的样品板1083平行。两个样品板1083之间安装腔1084侧壁的安装面10831可以用于安装基片，基片可以通过把接在安装面10831上。本技术对基片的固定方式不作限定。其中两个样品板1083可以为石墨板，不仅具有耐高温的特性，还可以当热丝1114在样品板1083之间时对热丝1114的加热进行一定的保温隔热，从而减少热量的流失。
31.在本技术的一些实施例中，该双立室热丝cvd系统还可以包括如图5所示的热丝组件111，图5为样品车108移动至工艺室102内的局部剖视图，工艺室102的工艺腔底部也安装若干个传动辊109，这样一来，样品车108可以在预处理腔和工艺腔内进行移动。在此情况下，热丝组件111位于样品车108内的两个样品板1083之间，这样一来，安装于安装面10831上的基片就可以朝向图6中的热丝1114一侧。如图6所示，该热丝组件111可以包括两个平行设置的固定板1111、两个第一导电柱1112和两个第二导电柱1113。其中，热丝1114设置于两个固定板1111之间，且热丝1114的两个端部分别与两个固定板1111相连。两个第一导电柱1112分别与其中一个固定板1111的两端相连。两个第二导电柱1113分别与另一个固定板1111的两端相连。第一导电柱1112和第二导电柱1113通入异性电极。
32.在此情况下，结合图5和图6所示，通过第一导电柱1112和第二导电柱1113可以对两个固定板1111进行通电，从而使得两个固定板1111之间固定的热丝1114产生热量。例如，第一导电柱1112可以为正极，那么第二导电柱1113就为负极。若第一导电柱1112为负极，那么第二导电柱1113就为正极。本技术对第一导电柱1112和第二导电柱1113的正负极不作限定，只要满足第一导电柱1112和第二导电柱1113为异性电极即可。通过图1中的电源107正负极分别与第一导电柱1112和第二导电柱1113相连，这样一来，可以给工艺室102内的热丝1114进行通电加热，从而热量辐射两侧的基片上。
33.在本技术的一些实施例中，该双立室热丝cvd系统还可以包括如图5所示的进气管路112，该进气管路112安装在工艺腔的顶部，且位于热丝111的顶部，气管路112上开设有若干个朝向基片的出气孔，进气管路112用于通入混合气体（例如甲烷和氢气），从而向基片喷气。
34.结合图3~图5所示，样品车108位于传动辊109上，且沿着传动辊109在预处理腔和工艺腔之间移动。样品车108具有安装腔1084，安装腔1084具有两个平行设置相对的安装面10831，安装面10831用于安装基片。若干个等间距设置且位于同一平面的热丝1114设置于工艺腔内，热丝1114用于在样品车108移动至工艺腔内时，位于安装腔1084内，且基片位于热丝1114的一侧或者两侧。进气管路112设置于工艺腔顶部。
35.在此情况下，用于可以将基片安装在样品车108上的安装面10831上，然后通过传动辊109将样品车108由预处理腔进入到工艺腔内。热丝1114可以对进气管路112由出气孔
排出的混合气体进行加热从而在基片上形成成膜。
36.由于预处理腔和工艺腔之间连通，可以供样品车108穿过，因此，在预处理腔和工艺腔之间需要插接一个插板阀103来进行连通两个腔室或者隔离开。以下对上述提及的插板阀103进行举例说明，例如，在本技术的一些实施例中，如图7所示，该插板阀103可以包括外壳1031、两个连接板1032、两个冷水板1033、多个滑杆10331和气缸1034。其中，外壳1031开设有开口和与开口相连通的壳腔。两个连接板1032一端由开口伸入至壳腔内，且分别与壳腔内两个相对的侧壁相连。两个冷水板1033间隔设置于两个连接板1032之间，冷水板1033内具有冷水腔，冷水腔内通入冷却液。其中，如图8所示，连接板1032靠近冷水板1033的一侧开设有两排滑槽，每排滑槽包括间隔设置的第一凹槽10321和第二凹槽10322；第一凹槽10321靠近第二凹槽10322的一端朝向远离另一排滑槽的一侧弯曲形成第一弧形段a；第二凹槽10322远离第一凹槽10321的一端朝向远离另一排滑槽的一侧弯曲形成第二弧形段b。也就是说，同一竖排的弧形段方向都是向外延伸，横向的两个弧形段背向延伸。如图9所示，冷水板1033相对的两个侧壁分别设置至少两个滑杆10331，且滑杆10331一端与冷水板1033相连，滑杆10331另一端伸入至第一凹槽10321内滑动或伸入至第二凹槽10322内滑动。如图10所示，气缸1034与外壳1031相连，气缸1034具有气缸杆，气缸杆伸入至壳腔内与两个冷水板1033铰接，气缸杆的延伸方向和两排滑槽延伸方向一致。
37.在此情况下，结合图7~10所示，两个冷水板1033和两个连接板1032之间采用滑动连接，具体地，冷水板1033两侧设置的滑杆10331可以滑动设置在两排滑槽内，从而实现滑动连接，为使得插板阀103在关闭时，冷水板1033可以更加紧密的贴合真空腔室内壁，第一凹槽10321和第二滑槽10322的一端分别具有第一弧形段a和第二弧形段b，这样一来，当冷水板1033向靠近真空腔室一侧进行关闭时，冷水板1033一端的滑杆10331可以滑入至第一弧形段a或者第二弧形段b内，此时，由于气缸1034的作用，两个冷水板1033开始向背离一侧移动，从而冷水板1033开始挤压真空腔室接触处的内壁（即预处理腔内壁），进而实现进一步密封。
38.进一步地，如图9所示，该插板阀103还可以包括多个滚针轴承10332，套设于滑杆10331远离冷水板1033的一端外侧，且与滑杆10331相连。在此情况下，滚针轴承10332可以减小滑杆10331与滑槽的摩擦，增加使用寿命。
39.在本技术的一些实施例中，如图11所示，该插板阀103还可以包括多个第一连接片1035和多个第二连接片1036，其中，多个第一连接片1035一端与两个冷水板1033的内侧相连。多个第二连接片1036（在本技术中，第二连接片1036可以为长条形）一端与第一连接片1035的另一端铰接，驱动板一端与第二连接片1036另一端铰接，驱动板另一端与气缸杆相连。这样一来，当气缸杆向下运动时，可以对第二连接片1036与气缸杆相连的一端施加向下的力，从而使得第二连接片1036由初始状态的斜向逐渐摆动到水平设置，此时，第二连接片1036对第一连接片1035施加水平的力，进而使得两个冷水板1033背向移动。
40.此外，继续参照图7，外壳1031的底壁上开设有两个进水口10311和两个出水口10312。插板阀103还可以包括两个第一波纹管和两个第二波纹管，其中，两个第一波纹管分别与两个冷水板1033对应相连通，两个第一波纹管的另一端分别与两个进水口10311相连通。两个第二波纹管分别与两个冷水板1033对应相连通，两个第二波纹管的另一端分别与两个出水口10312相连通。
41.为使得冷水板1033对工艺腔密封的更加紧密，在本技术的一些实施例中，如图12所示，工艺腔靠近预处理腔的一侧设置一圈胶条113，该胶条113可以与冷水板1033的外沿抵接。为使得抵接更加紧密，结合图8和图11，当冷水板1033滑入至预处理腔内时，最上端的滑杆10331会滑入至第一凹槽10321下方的第一弧形段a内，最下端的滑杆10331会滑入至第二凹槽10322下方的第二弧形段b内，从而两个冷水板1033被弧形段产生的斜向力向两侧分开，从而产生水平的力，这样一来，如图12所示，右侧的冷水板1033会向右移动，从而抵接在胶条113上（如图13所示，胶条113形状可以贴合于冷水板1033外沿），对胶条113阐述抵接力，使得工艺腔左侧密封更加紧密。
42.为防止样品车108左右移动时对进样室101和工艺室102进行碰撞，从而影响正常使用，在本技术的一些实施例中，该双立室热丝cvd系统还可以包括如图14所示的支架114、两个凸块115和两个限位组件116。其中，支架114设置于进样室101和工艺室102底部且相连，支架114用于支撑进样室101和工艺室102。两个凸块115分别设置于样品车108外侧底壁的左右两端，且与样品车108相连。两个限位组件116分别设置于进样室101和工艺室102下方，且与支架114相连。其中，限位组件116用于抵接于其中一个凸块115时控制传动辊109停止转动。
43.这样一来 ，如图15所示，通过支架114可以对进样室101和工艺室102进行支撑，通过两个限位组件116和凸块115的配合可以控制传动辊109转动或者停止，当移动的样品车108底部的凸块115抵接在限位组件116上时，可以将机械信号转化为电信号传送给电控系统，电控系统再发出控制指令从而控制传动辊109停止转动，从而使得样品车108可以停止转动。用户也可以通过电控系统控制传动辊109转动。
44.以下对上述提及的限位组件116进行举例说明，例如，在本技术的一些实施例中，如图16所示，该限位组件116可以包括伸缩杆1161、第一光电开关1162和第二光电开关1163，该伸缩杆1161包括连接杆11611、套筒11612、弹簧11613和滚轮11614，套筒11612套设于连接杆11611外，弹簧11613套设于连接杆11611外且位于套筒11612内，弹簧11613与套筒11612和连接杆11611之间抵接。滚轮11614设置于连接杆11611靠近样品车108的一端。第一光电开关1162与支架114相连，第一光电开关1162具有第一发射器。第二光电开关1163与支架114相连，且位于第一光电开关1162远离传动辊109的一侧，第二光电开关1163也具有第二发射器。结合图16所示，凸块115靠近第一光电开关1162的一侧具有减速斜面和与减速斜面相连的停止平面。滚轮11614滑入至减速斜面上时，连接杆11611远离滚轮11614的一端挡住第一发射器上（如图16右侧部分），并控制传动辊109减速。滚轮11614滑入到停止平面上时，连接杆11611远离滚轮11614的一端挡住第二发射器（如图17右侧部分），并控制传动辊109停止转动。
45.这样一来，例如，如图16~图17所示，当样品车108由左向右移动时，当样品车108快靠近工艺腔的右侧时，此时，与连接杆11611相连的滚轮11614开始在凸块115减速斜面爬坡，此时，连接杆11611受到向下的压缩力，弹簧11613给压缩干向上的力，由于连接杆11611向下运动，此时，会挡住第一光电开关1162，从而触发第一光电开关1162发出信号，进而电控系统发出相应控制指令。当滚轮11614继续爬坡到凸块115的最高点停止平面时，连接杆11611挡住第二光电开关1163，从而第二光电开关1163发出相应信号，进而电控系统发出相应控制指令，使得传动辊109停止运行。当用户通过电控系统控制传动辊109向左传动时，滚
轮11614逐渐脱离停止平面、减速斜面，此时，弹簧11613逐渐恢复形变。当样品车108移动至左侧的预处理腔同理，此处不再赘述。
46.以下对上述提及第一光电开关1162和第二光电开关1163进行举例说明，在本技术的一些实施例中，该第一光电开关1162和第二光电开关1163均为光电开关(光电传感器)是光电接近开关的简称，它是利用被检测物（即本技术中连接杆11611远离滚轮11614的一端）对发出的光束的遮挡或反射，由同步回路接通电路，从而检测物体的有无。物体不限于金属，所有能反射光线(或者对光线有遮挡作用)的物体均可以被检测。光电开关将输入电流在发射器（本技术中的第一发射器或者第二发射器）上转换为光信号射出，接收器再根据接收到的光线的强弱或有无对目标物体进行探测。
47.需要说明的是，在本技术的另一些实施例中，如图18所示，胶条113的剖视图可以为梯形结构，并且冷水板1033靠近胶条113一侧可以有与该胶条113形状相匹配的梯形凹槽，这样一来，当冷水板1033与胶条113抵接时，接触面积增大（接触面由原来的单面变为三面接触），在此情况下，密封性更好。
48.为了更加清楚的阐述本技术的技术方案，在本技术的一些实施例中，本发明实施例还可以提供一种采用上述立式双室热丝cvd系统100的使用方法，包括以下步骤：打开进样室101，将基片固定在样品车108的安装腔1084内，关闭进样室101，对预处理腔进行抽真空处理，使得真空度在0.1pa~0.9pa期间，同时对预处理腔加热至150℃~250℃之间；打开插板阀103，控制样品车108由预处理腔移动至工艺腔内，关闭插板阀103，热丝1114通电，使得基片温度加热至800℃~1200℃，进气管路112内通入混合气体，进行镀膜；镀膜完毕后，使得工艺腔内却至150℃~250℃，打开插板阀103，将样品车108移动至预处理腔内，关闭插板阀103，待预处理腔降至室温后取出基片。
49.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
50.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。