掩膜板、显示背板、显示装置以及掩膜板的制备方法与流程

本申请涉及显示设备，尤其涉及一种掩膜板、显示背板、显示装置以及掩膜板的制备方法。

背景技术：

1、现如今对于oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)产品的ppi(pixels per inch，像素密度)要求越来越高，ar(augmented reality，增强现实)或者vr(virtual reality，虚拟实境)产品的ppi已经达到了4000以上，达到了传统fmm技术的极限。如果使用高精度掩膜板制作超高ppi的硅基rgb oled，则需要使用硅基高精度掩膜板。硅基高精度掩膜板使用硅片作为掩膜片，在硅片上制作精细的图形开孔。由于硅片本身比较脆弱易碎，通常需要将硅片掩膜板和金属框架组合在一起，以增加掩膜板的强度。

2、相关技术中，采用硅基掩膜板和金属框架相组合的方式，通常存在掩膜板与蒸镀基板之间间隙较大的问题，由于硅基微显示oled需要的分辨率极高，蒸镀工艺对掩膜板和蒸镀基板之间的间隙非常敏感，即便再小的间隙也会造成严重的蒸镀阴影效应，蒸镀阴影效应会使蒸镀图形的膜层厚度不均一，并且蒸镀图形外扩，引发蒸镀混色等不良现象。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种掩膜板、显示背板、显示装置以及掩膜板，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种掩膜板，包括：

3、掩膜框；

4、掩膜条，连接于掩膜框，掩膜条朝向蒸镀基板的一侧具有支撑面，支撑面设有开孔区域；

5、掩膜片，连接于支撑面朝向蒸镀基板的一侧，掩膜片的朝向蒸镀基板的表面设有减薄区域，减薄区域沿远离蒸镀基板的方向凹陷形成，减薄区域设有多个蒸镀通孔，多个蒸镀通孔与蒸镀基板上的多个第一目标子像素一一对应，且蒸镀通孔的形状与第一目标子像素的预设形状对应；

6、其中，多个开孔区域与多个减薄区域一一对应且正对设置，开孔区域的正投影面积大于减薄区域的正投影面积。

7、在一种实施方式中，支撑面还设有与开孔区域相间隔的凹槽区域，凹槽区域包括贯穿掩膜条的多个透光孔；其中，凹槽区域用于容纳光敏胶，透光孔用于供紫外光线穿过并照射光敏胶以使光敏胶固化，掩膜条和掩膜片通过固化的光敏胶粘接相连。

8、可选地，掩膜条的厚度为50至100微米，凹槽区域的深度与掩膜条的厚度之间的比值为1/3至1/2。

9、可选地，透光孔的直径为100至200微米。

10、在一种实施方式中，掩膜条的材质为因瓦合金，掩膜条与蒸镀设备的磁性件之间产生磁力吸附作用，以使掩膜片与蒸镀基板相贴合；和/或，掩膜框的材质为不锈钢或者因瓦合金。

11、在一种实施方式中，减薄区域还设有与蒸镀通孔间隔设置的非蒸镀凹槽，非蒸镀凹槽与蒸镀通孔间隔设置，多个非蒸镀凹槽与蒸镀基板上的多个第二目标子像素一一对应，且非蒸镀凹槽的形状与第二目标子像素的预设形状相同，其中，多个非蒸镀凹槽与多个蒸镀通孔在减薄区域内的排列方式与蒸镀基板上的目标发光单元预设的像素排列方式相同。

12、可选地，非蒸镀凹槽与蒸镀通孔的形状相同，且非蒸镀凹槽的正投影面积小于蒸镀通孔的正投影面积，非蒸镀凹槽的深度与掩膜片的厚度之间的比值为1/5至1/3。

13、可选地，相邻的蒸镀通孔和非蒸镀凹槽之间的间距小于对应的第一目标子像素和第二目标子像素之间的预设间距。

14、在一种实施方式中，掩膜片的材质为单晶硅。

15、在一种实施方式中，掩膜片在减薄区域的厚度为10至20微米，蒸镀通孔的孔径为4至6微米。

16、第二方面，本申请实施例提供了一种显示背板，包括：

17、基板；以及，

18、形成于基板上的目标发光单元，目标发光单元采用本申请上述实施例的掩膜板加工而成。

19、第三方面，本申请实施例提供了一种显示装置，其特征在于，包括本申请上述实施例的显示背板。

20、第四方面，本申请实施例提供了一种掩膜板的制备方法，包括：

21、在掩膜条上形成开孔区域和凹槽区域，凹槽区域设有透光孔；以及，在掩膜片上形成减薄区域，减薄区域与开孔区域对应设置，且减薄区域设有蒸镀通孔和非蒸镀凹槽；

22、将掩膜条涨紧于掩膜框，并将掩膜条与掩膜框焊接相连；

23、在掩膜条的凹槽区域注入光敏胶；

24、将掩膜片与掩膜条正对设置，并将掩膜片贴设于掩膜条；

25、将紫外光线穿过掩膜条的透光孔并照射光敏胶，以使光敏胶固化，掩膜片和掩膜条通过固化的光敏胶粘接相连。

26、根据本申请实施例的技术，通过设置连接于掩膜框的掩膜条，以对掩膜片起到支撑和固定的作用，避免了相关技术中将掩膜片直接粘接于掩膜框导致掩膜片的表面平整度差的情况发生，由此，不仅提高了对于掩膜片的支撑和定位作用，减小了因硅片自身重力作用产生的下垂现象，还改善了掩膜片的表面平整度，从而降低了掩膜片与蒸镀基板之间产生间隙的概率，降低了蒸镀工艺中的蒸镀阴影效应，提升了蒸镀图形的均一性，避免了因蒸镀图形外扩引发蒸镀混色等不良现象，提高了采用本申请实施例的掩膜板制备而成的发光单元的良品率。

27、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本申请进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

技术特征：

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述支撑面还设有与所述开孔区域相间隔的凹槽区域，所述凹槽区域包括贯穿所述掩膜条的多个透光孔；其中，所述凹槽区域用于容纳光敏胶，所述透光孔用于供紫外光线穿过并照射所述光敏胶以使所述光敏胶固化，所述掩膜条和所述掩膜片通过固化的光敏胶粘接相连。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜条的厚度为50至100微米，所述凹槽区域的深度与所述掩膜条的厚度之间的比值为1/3至1/2。

4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述透光孔的直径为100至200微米。

5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜条的材质为因瓦合金，所述掩膜条与蒸镀设备的磁性件之间产生磁力吸附作用，以使所述掩膜片与所述蒸镀基板相贴合；和/或，所述掩膜框的材质为不锈钢或者因瓦合金。

6.根据权利要求1至5任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述减薄区域还设有与所述蒸镀通孔间隔设置的非蒸镀凹槽，所述非蒸镀凹槽与所述蒸镀通孔间隔设置，多个所述非蒸镀凹槽与所述蒸镀基板上的多个第二目标子像素一一对应，且所述非蒸镀凹槽的形状与所述第二目标子像素的预设形状相同，其中，多个所述非蒸镀凹槽与多个所述蒸镀通孔在所述减薄区域内的排列方式与所述蒸镀基板上的目标发光单元预设的像素排列方式相同。

7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述非蒸镀凹槽与所述蒸镀通孔的形状相同，且所述非蒸镀凹槽的正投影面积小于所述蒸镀通孔的正投影面积，所述非蒸镀凹槽的深度与所述掩膜片的厚度之间的比值为1/5至1/3。

8.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，相邻的所述蒸镀通孔和所述非蒸镀凹槽之间的间距小于对应的所述第一目标子像素和所述第二目标子像素之间的预设间距。

9.根据权利要求1至5任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜片的材质为单晶硅。

10.根据权利要求1至5任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜片在所述减薄区域的厚度为10至20微米，所述蒸镀通孔的孔径为4至6微米。

11.一种显示背板，其特征在于，包括：

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的显示背板。

13.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：

技术总结
本申请实施例提供一种掩膜板、显示背板、显示装置以及掩膜板，其中，掩膜板包括：掩膜框；掩膜条，连接于掩膜框，掩膜条朝向蒸镀基板的一侧具有支撑面，支撑面设有开孔区域；掩膜片，连接于支撑面朝向蒸镀基板的一侧，掩膜片的朝向蒸镀基板的表面设有减薄区域，减薄区域沿远离蒸镀基板的方向凹陷形成，减薄区域设有多个蒸镀通孔，多个蒸镀通孔与蒸镀基板上的多个第一目标子像素一一对应，且蒸镀通孔的形状与第一目标子像素的预设形状对应；其中，多个开孔区域与多个减薄区域一一对应且正对设置，开孔区域的正投影面积大于减薄区域的正投影面积。根据本申请的技术，有利于减小掩膜片与蒸镀基板之间的间隙，降低了蒸镀工艺中的蒸镀阴影效应。

技术研发人员：张峰杰,王路,王伟杰,孙中元,薛金祥
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12