ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法与流程

本发明涉及触控及显示，具体而言，涉及ito蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法。

背景技术：

1、电容式触摸屏中有一种sensor结构是铜+ito(高温)，其线路制作方式是二步蚀刻法，即先蚀刻铜，再蚀刻ito，如图1所示。目前的ito蚀刻液主要硝酸、盐酸、护铜剂等组成，但还存在下面固有的问题：

2、1、蚀刻ito过程中不能够保护好铜镍，对铜镍的腐蚀性大，造成侧蚀偏大。

3、2、蚀刻液寿命短，随着ito蚀刻液使用，其护铜能力减弱或失效。

4、随着触摸屏sensor线宽/线距要求越来越小及对生产效率要求越来越高，低侧蚀、长寿命的药液是厂商所追求的。

5、鉴于此，特提出本发明。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供ito蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法。

2、本发明是这样实现的：

3、第一方面，本发明提供一种铜缓蚀剂，包括改性的苯并咪唑类化合物，所述改性的苯并咪唑类化合物的结构如式i所示：

4、

5、式中，r为-h、-(ch2)(n-1)ch3、-oh、-ch2oh、-cl、-br或-f，其中n的取值为1、2或3。

6、第二方面，本发明提供一种ito蚀刻液，包括无机混合酸和前述实施方式所述苯并咪唑类化合物。

7、在可选的实施方式中，包括无机混合酸15-22.5重量份和所述苯并咪唑类化合物0.05-0.5重量份；

8、优选地，所述无机混合酸包括硝酸0.6-2.5重量份和盐酸14.5-21.5重量份。

9、在可选的实施方式中，还包括有机酸和/或有机酸盐；

10、优选地，包括所述有机酸和/或有机酸盐0.5-5重量份。

11、优选地，所述有机酸包括一元羧酸、二元羧酸和三元羧酸中的至少一种；

12、优选地，所述羧酸包括丁酸、苯甲酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸、亚氨基二乙酸、酒石酸、苹果酸、柠檬酸、氨基三乙酸和羟乙基乙二胺三乙酸中的至少一种；

13、优选地，所述有机酸盐包括柠檬酸钠和乙二胺四乙酸四钠盐中的至少一种。

14、在可选的实施方式中，还包括式ii所示化合物：

15、

16、式ii中，r1和r2独立地为-h、-oh和-ch2oh、-(ch2)(n1-1)ch3或-(ch2)n2-o-(ch2)n3ch3，其中n1、n2、n3的取值独立地为1、2或3；

17、优选地，包括式ii所示化合物1-10重量份。

18、在可选的实施方式中，还包括硫脲类化合物；

19、优选地，所述硫脲类化合物包括二邻甲苯硫脲、硫脲、苯硫脲、亚乙基硫脲中的至少一种；

20、优选地，包括硫脲类化合物0.02-0.5重量份。

21、在可选的实施方式中，还包括非离子表面活性剂0.01-0.3重量份；

22、优选地，所述非离子表面活性剂包括丙三醇、异丙醇、聚乙二醇200-2000、苯酚聚氧乙烯醚中的至少一种。

23、在可选的实施方式中，按质量百分数计，所述ito蚀刻液包括15-22.5％的无机混合酸、0.05-0.5％的苯并咪唑类化合物、0.5-5％的有机酸/有机酸盐、1-10％的四氢呋喃类有机溶剂、0.02-0.5的硫脲类化合物、0.01-0.3％的表面活性剂以及余量为水；

24、优选地，按质量百分数计，包括16.5-20％的无机混合酸、0.1-0.3％的苯并咪唑类化合物、1-3％的有机酸/有机酸盐、3-8％的四氢呋喃类有机溶剂、0.05-0.3％的硫脲类化合物、0.05-0.25％的表面活性剂以及余量为水。

25、第三方面，本发明提供一种ito蚀刻液的制备方法，将前述实施方式任意一项所述ito蚀刻液中的各组分按比例混合。

26、第四方面，本发明提供一种ito蚀刻液的使用方法，将待刻蚀产品置于45-55℃的前述实施方式任意一项所述ito蚀刻液中刻蚀1-3min。

27、本发明具有以下有益效果：

28、本申请中采用改性的苯并咪唑类化合物作为铜层的缓蚀剂，应用于ito蚀刻液时，能够在正常蚀刻ito时，不攻击上层的铜或铜镍合金，有效控制铜/ito的蚀刻速率、蚀刻性能稳定；相比于现有技术中蚀刻液，技术效果改善显著，应用前景较为广阔。

技术特征：

1.一种铜缓蚀剂，其特征在于，包括改性的苯并咪唑类化合物，所述改性的苯并咪唑类化合物的结构如式i所示：

2.一种ito蚀刻液，其特征在于，包括无机混合酸和权利要求1所述苯并咪唑类化合物。

3.根据权利要求2所述的ito蚀刻液，其特征在于，包括无机混合酸15-22.5重量份和所述苯并咪唑类化合物0.05-0.5重量份；

4.根据权利要求2所述的ito蚀刻液，其特征在于，还包括有机酸和/或有机酸盐；

5.根据权利要求2所述的ito蚀刻液，其特征在于，还包括式ii所示化合物：

6.根据权利要求2所述的ito蚀刻液，其特征在于，还包括硫脲类化合物；

7.根据权利要求2所述的ito蚀刻液，其特征在于，还包括非离子表面活性剂0.01-0.3重量份；

8.根据权利要求2所述的ito蚀刻液，其特征在于，按质量百分数计，所述ito蚀刻液包括15-22.5％的无机混合酸、0.05-0.5％的苯并咪唑类化合物、0.5-5％的有机酸/有机酸盐、1-10％的四氢呋喃类有机溶剂、0.02-0.5的硫脲类化合物、0.01-0.3％的表面活性剂以及余量为水；

9.一种ito蚀刻液的制备方法，其特征在于，将权利要求2-8任意一项所述ito蚀刻液中的各组分按比例混合，得到ito蚀刻液。

10.一种权利要求2-9任意一项所述的ito蚀刻液的使用方法，其特征在于，将待刻蚀产品置于45-55℃的所述刻蚀液中刻蚀1-3min。

技术总结
本发明公开了一种ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法，其中铜缓蚀剂包括改性的苯并咪唑类化合物，该铜缓蚀剂可应用于ITO蚀刻液。该ITO蚀刻液针对双层/多层金属基材，其在蚀刻ITO时，不攻击上层的铜或铜镍合金，能够有效控制蚀刻速率、侧蚀、不易腐蚀铜层。

技术研发人员：杨志锋,何剑明,宋振,王晓君
受保护的技术使用者：广州微纳芯材料科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11