一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置的制作方法

本发明涉及聚合物沉积的，特别是涉及一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置。

背景技术：

1、随着电子信息领域在当今社会发展中越来越重要，据保守估计电子信息领域相关部件50％以上是依赖国外进口，如光刻胶、光刻机、聚合物基材、高端超薄电子覆铜板材料等等。高端电子覆铜材料主要技术难点在于高结合强度、高均匀性和高致密性的严苛要求，特别是对于超薄覆铜板而言，高致密性、高均匀性、低应力是当今国际难点。高能离子束是解决结合强度最有效的方法之一，但因高能离子束处理聚合物时会在聚合物表面积累电荷，从而使聚合物发生打火损伤基体。

2、现有设备在一个加速电压的情况下，发射的离子源能量高，对产品的质量会造成一定的损坏、灼伤。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，以解决上述现有技术存在的问题，能够及时中和聚合物表面积累的电荷，防止发生打火损伤基体。

2、为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

3、本发明提供了一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，包括依次连通的引出筒、加速筒、阳极筒、引出通道和真空室，所述引出筒上设置有离子源弧头，进气管与所述引出通道连通，所述离子源弧头用于发射离子束，所述进气管用于通入易失电子的气体，所述真空室内设置有旋转冷辊，所述旋转冷辊的表面用于沉积聚合物膜层。

4、优选的，所述引出通道与所述真空室连接的一端对称设置有两个抽气分子泵。

5、优选的，所述进气管与所述引出通道的连通处设置有磁场线包，所述磁场线包的接入交流电，所述交流电的频率为1-50hz、电流大小为1-10a。

6、优选的，所述引出通道与真空室的连接处设置有挡板。

7、优选的，所述阳极筒上设置有抑制电极。

8、优选的，所述进气管通入的气体为ar或kr。

9、优选的，所述进气管通入的气体流量为30-50sccm、气压为1×10-2-2×10-1pa。

10、优选的，所述引出通道的材料为高电子发射率材料，所述高电子发射率材料为ni或fe。

11、本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：

12、本发明的中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，解决了现有高能离子束处理聚合物等绝缘基体易发生电荷积累、打火放电聚合物不会受到电损伤等问题；在高能离子束产生装置和聚合物基体之间设置了一个中和和产生电子通道，保证了能够及时中和聚合物表面积累的电荷，防止发生打火损伤基体；聚合物沉积金属膜层致密性好，膜层无明显缺陷，膜基结合强度高。

技术特征：

1.一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：包括依次连通的引出筒、加速筒、阳极筒、引出通道和真空室，所述引出筒上设置有离子源弧头，进气管与所述引出通道连通，所述离子源弧头用于发射离子束，所述进气管用于通入易失电子的气体，所述真空室内设置有旋转冷辊，所述旋转冷辊的表面用于沉积聚合物膜层。

2.根据权利要求1所述的中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：所述引出通道与所述真空室连接的一端对称设置有两个抽气分子泵。

3.根据权利要求1所述的中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：所述进气管与所述引出通道的连通处设置有磁场线包，所述磁场线包的接入交流电，所述交流电的频率为1-50hz、电流大小为1-10a。

4.根据权利要求1所述的中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：所述引出通道与真空室的连接处设置有挡板。

5.根据权利要求1所述的中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：所述阳极筒上设置有抑制电极。

6.根据权利要求1所述的中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：所述进气管通入的气体为ar或kr。

7.根据权利要求1所述的中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：所述进气管通入的气体流量为30-50sccm、气压为1×10-2-2×10-1pa。

8.根据权利要求1所述的中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，其特征在于：所述引出通道的材料为高电子发射率材料，所述高电子发射率材料为ni或fe。

技术总结
本发明公开了一种中和离子束中高电荷的聚合物沉积装置，包括依次连通的引出筒、加速筒、阳极筒、引出通道和真空室，引出筒上设置有离子源弧头，进气管与引出通道连通，离子源弧头用于发射离子束，进气管用于通入易失电子的气体，真空室内设置有旋转冷辊，旋转冷辊的表面用于沉积聚合物膜层。本发明解决了现有高能离子束处理聚合物等绝缘基体易发生电荷积累、打火放电聚合物不会受到电损伤等问题；在高能离子束产生装置和聚合物基体之间设置了一个中和和产生电子通道，保证了能够及时中和聚合物表面积累的电荷，防止发生打火损伤基体；聚合物沉积金属膜层致密性好，膜层无明显缺陷，膜基结合强度高。

技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：北京市科学技术研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13