化学气相沉积系统的制作方法

本申请涉及化学气相沉积领域，具体涉及一种改良的化学气相沉积系统。

背景技术：

1、随着尖端设备中的薄膜变得越来越薄，化学气相沉积系统必须变得更快、更高效，以最大限度地提高晶圆厂的利用率，新款的化学气相沉积系统，诸如市售的producer gt机台，将生产硅晶圆的能力提升到了一个新的水平。此类产品每小时可处理多达150片硅晶圆，产能大幅提升，从而降低了生产成本。

2、然而，在用化学气相沉积系统来实现晶圆镀膜的过程中，晶圆从反应腔(摄氏400度)镀膜完成后需要传送至晶圆承载腔室(load lock)上层进行中转，由于晶圆表面温度迅速降低，容易使晶圆表面的膜凝结而造成缺陷，影响良率且易造成宕机风险。

技术实现思路

1、针对以上问题，本申请实施例采用一种改良的化学气相沉积系统，通过对化学气相沉积系统上层晶圆承载腔室增加加热装置，降低晶圆表面凝结产生的缺陷问题，能够很好的改善现有技术的问题。

2、具体的，本申请实施例提供一种化学气相沉积系统，包括主机台、驱动机台和加热装置。所述主机台用以进行化学气相沉积，且具有晶圆承载腔室，用以容置晶圆；所述驱动机台用以移动晶圆至所述主机台；所述加热装置用以加热所述晶圆承载腔室，从而防止位于所述晶圆承载腔室内的晶圆的表面凝结。

3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述加热装置设置于所述晶圆承载腔室的上盖。

4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述加热装置是加热盘。

5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述加热装置设置于所述晶圆承载腔室的上盖的内部。

6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述加热装置是加热丝。

7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述加热装置通过一输送管外接于所述晶圆承载腔室，所述输送管连通所述加热装置与所述晶圆承载腔室。

8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述加热装置对所述晶圆承载腔室提供气体。

9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述气体是氮气。

10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述气体的温度介于摄氏70度至120度。

11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动机台包括机械手臂，用以移动晶圆至所述晶圆承载腔室。

12、综上所述，本申请通过上述新颖的方案有效的解决现有技术的问题，并且没有增加太多成本，在符合经济效益下很好地改善了晶圆表面凝结的问题，提供生产上更好的效能。

技术特征：

1.一种化学气相沉积系统，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述加热装置设置于所述晶圆承载腔室(20)的上盖(12)。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述加热装置是加热盘。

4.如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述加热装置设置于所述晶圆承载腔室(20)的上盖(12)的内部。

5.如权利要求4所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述加热装置是加热丝。

6.如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述加热装置通过输送管(28)外接于所述晶圆承载腔室(20)，所述输送管(28)连通所述加热装置与所述晶圆承载腔室(20)。

7.如权利要求6所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述加热装置对所述晶圆承载腔室(20)提供气体。

8.如权利要求7所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述气体是氮气。

9.如权利要求7所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述气体的温度介于摄氏70度至120度。

10.如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述驱动机台(30)包括机械手臂(32)，用以移动晶圆(22)至所述晶圆承载腔室(20)。

技术总结
本申请实施例公开了一种化学气相沉积系统，包括主机台和驱动机台，所述主机台用以进行化学气相沉积，所述驱动机台用以移动晶圆至所述主机台。所述化学气相沉积系统还包括晶圆承载腔室以及加热装置。所述晶圆承载腔室用以容置晶圆，且所述加热装置用以加热所述晶圆承载腔室，从而防止位于所述晶圆承载腔室内的晶圆的表面凝结。本申请通过对化学气相沉积系统上层晶圆承载腔室增加加热装置，能够大幅改善晶圆表面凝结产生的缺陷问题。

技术研发人员：刘丹增
受保护的技术使用者：杭州富芯半导体有限公司
技术研发日：20220929
技术公布日：2024/1/12