一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备的制作方法

本技术涉及碳化硅沉积，具体为一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备。

背景技术：

1、碳化硅涂层是一种常见的碳化硅制备方法，通过在目标基体的表面涂上薄层，利用碳化硅的耐磨性、耐腐蚀性以及抗氧化性，为各种缺少相应优异特性的目标基体提供有效的防护。其中，制备碳化硅涂层常用的方法为化学气相沉积法(cvd)和先驱体转化法(pip)等离子热喷涂法等。

2、在传统的碳化硅涂层生产用的化学气相沉积炉中，通常是将基体放置在沉积炉中的支承装置上。但是在对管状基体外表面上使用化学气相沉积的方式加以碳化硅涂层时，不容易对管状基体进行固定，并且，如果管状基体的表面与支承装置有接触的话，还会导致接触面无法有效的沉积到碳化硅涂层，使产品质量下降，降低产品的性能。此外，工件的装卸极为不便，降低了碳化硅沉积处理的效率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体，所述炉体内设置有工件托板，所述工件托板的上表面左右两侧均开设有导向滑槽，导向滑槽内滑动设置有顶紧弹簧，所述顶紧弹簧的一侧设置有滑块，两块所述滑块相互靠近一端的上侧设置有推块，两块所述滑块的一侧设置有用于驱动工件转动的驱动辊组件，所述工件托板上表面的前后两侧均均匀设置有与驱动辊组件相匹配的辅助滚柱，所述炉体的上端设置有箱炉内注气的输气组件。

3、优选的，所述驱动辊组件包括从动辊筒、主动辊筒和第一电机，所述滑块的下端开设有阶梯通槽，阶梯通槽的上部转动设置有从动辊筒，所述从动辊筒的上侧与所述辅助滚柱的上侧在同一水平面，所述滑块的一侧设置有第一电机，所述第一电机的主轴贯穿滑块外侧套设有驱动从动辊筒转动的主动辊筒。

4、优选的，所述主动辊筒的外侧设置有防滑纹路条。

5、优选的，所述输气组件包括第二电机、蜗杆、传动管、导气管、蜗轮和注气管，所述炉体的上端转动设置有与输气管道连接的传动管，所述传动管的上端外侧套设有蜗轮，所述炉体的上端设置有第二电机，所述第二电机的主轴外侧套设有与蜗轮相匹配的蜗杆，所述传动管的下端贯穿炉体连通有导气管，所述导气管的两端下侧连接有注气管，两根注气管相对侧面均匀开设有注气孔。

6、优选的，两块所述推块向远离一侧均开设有安装凹槽，安装凹槽内设置有滚珠，所述滚珠外侧套设有与推块固定连接的限位套。

7、与现有技术相比，本实用新型提供了一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备，具备以下有益效果：

8、1、通过顶紧弹簧推动滑块带动推块对管状基体的内壁进行顶紧，使得管状基体不便于快速的装卸，提高了碳化硅沉积的工作效率。

9、2、通过驱动辊组件驱动安装的管状基体转动，并通过在工作托板上均匀设置有的辅助滚柱，使得管状基体转动更加顺畅，避免管状基体的表面与支承装置有接触点无法有效的沉积到碳化硅涂层。

技术特征：

1.一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体(1)，其特征在于：所述炉体(1)内设置有工件托板(2)，所述工件托板(2)的上表面左右两侧均开设有导向滑槽，导向滑槽内滑动设置有顶紧弹簧(3)，所述顶紧弹簧(3)的一侧设置有滑块(4)，两块所述滑块(4)相互靠近一端的上侧设置有推块(5)，两块所述滑块(4)的一侧设置有用于驱动工件转动的驱动辊组件(6)，所述工件托板(2)上表面的前后两侧均均匀设置有与驱动辊组件(6)相匹配的辅助滚柱(7)，所述炉体(1)的上端设置有箱炉内注气的输气组件(8)。

2.根据权利要求1所述的一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于：所述驱动辊组件(6)包括从动辊筒(60)、主动辊筒(61)和第一电机(62)，所述滑块(4)的下端开设有阶梯通槽，阶梯通槽的上部转动设置有从动辊筒(60)，所述从动辊筒(60)的上侧与所述辅助滚柱(7)的上侧在同一水平面，所述滑块(4)的一侧设置有第一电机(62)，所述第一电机(62)的主轴贯穿滑块(4)外侧套设有驱动从动辊筒(60)转动的主动辊筒(61)。

3.根据权利要求2所述的一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于：所述主动辊筒(61)的外侧设置有防滑纹路条(63)。

4.根据权利要求1所述的一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于：所述输气组件(8)包括第二电机(80)、蜗杆(81)、传动管(82)、导气管(83)、蜗轮(84)和注气管(85)，所述炉体(1)的上端转动设置有传动管(82)，所述传动管(82)的上端外侧套设有蜗轮(84)，所述炉体(1)的上端设置有第二电机(80)，所述第二电机(80)的主轴外侧套设有与蜗轮(84)相匹配的蜗杆(81)，所述传动管(82)的下端贯穿炉体(1)连通有导气管(83)，所述导气管(83)的两端下侧连接有注气管(85)，两根注气管(85)相对侧面均匀开设有注气孔。

5.根据权利要求1所述的一种利用热cvd法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于：两块所述推块(5)向远离一侧均开设有安装凹槽，安装凹槽内设置有滚珠(9)，所述滚珠(9)外侧套设有与推块(5)固定连接的限位套(10)。

技术总结
本技术公开了一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体，炉体内设置有工件托板，工件托板的上表面左右两侧均开设有导向滑槽，导向滑槽内滑动设置有顶紧弹簧，顶紧弹簧的一侧设置有滑块，两块滑块相互靠近一端的上侧设置有推块，两块滑块的一侧设置有用于驱动工件转动的驱动辊组件，工件托板上表面的前后两侧均均匀设置有与驱动辊组件相匹配的辅助滚柱，炉体的上端设置有箱炉内注气的输气组件。本技术能够使得管状基体旋转运动，避免管状基体的表面与支承装置有接触点无法有效的沉积到碳化硅涂层，便于管状基体不便于快速的装卸，提高了碳化硅沉积的工作效率。

技术研发人员：何少龙,周李伟,盛锋锋
受保护的技术使用者：浙江六方碳素科技有限公司
技术研发日：20221117
技术公布日：2024/1/11