银粉及其制造方法与流程

本发明涉及一种银粉及其制造方法。

背景技术：

1、银糊剂作为导电性的糊剂，用于形成电子部件基板的布线图案、电极等。作为导电性糊剂的银糊剂是将银粉与赋形剂等一起混炼而制造的。为了应对电子部件的小型化、导体图案的高密度化、细线化等，要求导电糊剂用银粉具有适度小的粒径和窄的粒度分布。

2、专利文献1中指出如下问题：现有技术制造的银粉的涂膜状态、线性可能不良，其结果无法获得良好的焙烧膜，有时不能应对图案的高密度化、细线化。为了解决该问题，专利文献1记载了银粉及其制造方法。专利文献1记载的银粉的制造方法中，对通过湿式还原法制造的银粉实施使颗粒彼此机械碰撞的表面平滑化处理后，通过分级除去大的银的聚集体。认为，使用通过该制造方法制造的银粉的糊剂例如能够使线性良好。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2007-186798号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在如上所述的现有技术中，通过湿式还原法制造银粉时，银粉的银颗粒的粒径(体积基准的中值粒径)变小时，随之有银粉的比表面积增加，振实密度变小的倾向。因此，通过使用该银粉的导电性糊剂形成导电膜并焙烧后的空隙难以填埋，在降低体积电阻率等提高导电性的方面存在改善的余地。

3、本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种具有能够降低焙烧后的体积电阻率的粉体物性的银粉及其制造方法。

4、用于解决问题的方案

5、为了实现上述目的的本发明的银粉，

6、其振实密度为4.8g/ml以上，

7、所述振实密度(g/ml)除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即tap/d50值为7以上且15以下，

8、比表面积为0.75m2/g以上且1.3m2/g。

9、为了实现上述目的的本发明的银粉的制造方法包括：

10、利用高压空气流加速并粉碎通过湿式还原法制造的银粉的粉碎工序；以及，

11、在所述粉碎工序后进行的将所述银粉分级的分级工序，

12、所述粉碎工序以所述银粉的浓度为0.2kg/m3以下的方式进行，

13、以使得所述分级工序后的所述银粉的粉体物性如下所示的方式进行分级：

14、振实密度为4.8g/ml以上，

15、所述振实密度除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即tap/d50值为7以上且15以下，

16、比表面积为0.75m2/g以上且1.3m2/g。

17、发明的效果

18、本发明提供一种具有能够降低焙烧后的体积电阻率的粉体物性的银粉及其制造方法。

技术特征：

1.一种银粉，其振实密度为4.8g/ml以上，

2.根据权利要求1所述的银粉，其中，所述tap/d50为7以上且10以下。

3.根据权利要求1或2所述的银粉，其中，所述中值粒径为0.32μm以上且1μm以下。

4.根据权利要求3所述的银粉，其中，所述中值粒径为0.4μm以上且0.8μm以下。

5.一种银粉的制造方法，其包括：

6.根据权利要求5所述的银粉的制造方法，其中，将所述粉碎工序中的粉碎装置、所述分级工序中的分级装置、以及捕集装置依次串联连接，

技术总结
本发明提供一种具有能够降低焙烧后的体积电阻率的粉体物性的银粉及其制造方法。银粉的振实密度为4.8g/mL以上，该振实密度(g/mL)除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即TAP/D50值为7以上且15以下，比表面积为0.75m<supgt;2</supgt;/g以上且1.3m<supgt;2</supgt;/g。

技术研发人员：德贞香织,林田光
受保护的技术使用者：同和电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16