用于高温清洁的处理的制作方法

本技术涉及半导体清洁工艺。更具体地，本技术涉及在清洁操作期间处理腔室表面和涂层的方法。

背景技术：

1、通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要形成和去除暴露材料的可控方法。在腔室内执行沉积工艺之后，腔室部件可能包括来自沉积工艺的残留材料。腔室清洁操作可从腔室去除残留物，但是所述工艺可能随着时间的推移侵蚀腔室部件。

2、因此，需要可用于产生高质量器件和结构的改进系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。

技术实现思路

1、处理腔室的示例性方法可包括将清洁前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成清洁前驱物的等离子体。方法可包括将清洁前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂层。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化物涂层。

2、在一些实施例中，清洁前驱物可包括含氧前驱物。一个或多个腔室部件可包括含碳残留物。方法可包括使用清洁前驱物的等离子体流出物来去除含碳残留物。在处理腔室的方法期间，可将半导体处理腔室的温度保持在大于或约400℃。使用含氢材料来处理氧化物涂层可包括使含氢气体流入处理区域。方法可包括使氧化物涂层与含氢气体接触。使用含氢材料来处理氧化物涂层可包括形成含氢前驱物的等离子体流出物。方法可包括使含氢前驱物的等离子体流出物流入处理区域。方法可包括使氧化物涂层与含氢前驱物的等离子体流出物接触。方法可包括在一个或多个腔室部件上形成氧化物涂层。形成氧化物涂层可包括使含硅前驱物和含氧前驱物以约0.008至约0.03之间的含硅前驱物与含氧前驱物的流速比率流入处理区域。形成氧化物涂层可包括以小于或约500w的等离子体功率形成含硅前驱物和含氧前驱物的等离子体。方法可包括在一个或多个腔室部件上沉积氧化硅材料。

3、本技术的一些实施例可涵盖处理腔室的方法。方法可包括将含氧前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体。方法可包括将含氧前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂层和碳材料。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化物涂层。

4、在一些实施例中，氧化物涂层可以是或包括氧化硅。方法可包括使用含氧前驱物的等离子体流出物来去除碳材料。碳材料可包括来自含碳材料的沉积的碳残留物。使用含氢材料来处理氧化物涂层可包括使含氢气体流入处理区域。方法可包括使氧化物涂层与含氢气体接触。在处理腔室的方法期间，可将半导体处理腔室的温度保持在大于或约400℃。使用含氢材料来处理氧化物涂层可包括形成含氢前驱物的等离子体流出物。方法可包括使含氢前驱物的等离子体流出物流入处理区域。方法可包括使氧化物涂层与含氢前驱物的等离子体流出物接触。方法可包括在一个或多个腔室部件上形成氧化物涂层。

5、本技术的一些实施例可涵盖处理腔室的方法。方法可包括将含氧前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体。方法可包括将含氧前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可以由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括上覆于一个或多个腔室部件的氧化硅涂层以及在氧化硅涂层的区域上的碳材料。方法可包括使用含氧前驱物的等离子体流出物来去除碳材料。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化硅涂层。

6、在一些实施例中，使用含氢材料来处理氧化硅涂层可包括使含氢气体流入处理区域。方法可包括使氧化硅涂层与含氢气体接触。使用含氢材料来处理氧化硅涂层可包括形成含氢前驱物的等离子体流出物。方法可包括使含氢前驱物的等离子体流出物流入处理区域。方法可包括使氧化硅涂层与含氢前驱物的等离子体流出物接触。

7、这样的技术可提供优于常规系统和技术的许多好处。例如，工艺可产生能够保持数百个晶片循环或更多的腔室涂层。此外，本技术的实施例的操作可克服随着时间的推移而降低的去除速率，同时保护腔室部件免受侵蚀。结合以下描述和附图更详细地描述这些和其他实施例以及它们的优点和特征中的许多优点和特征。

技术特征：

1.一种处理腔室的方法，所述方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的处理腔室的方法，其中所述清洁前驱物包括含氧前驱物。

3.如权利要求1所述的处理腔室的方法，其中所述一个或多个腔室部件进一步包括含碳残留物。

4.如权利要求3所述的处理腔室的方法，进一步包括以下步骤：

5.如权利要求1所述的处理腔室的方法，其中在处理腔室的所述方法期间，将所述半导体处理腔室的温度保持在大于或约400℃。

6.如权利要求1所述的处理腔室的方法，其中使用含氢材料来处理所述氧化物涂层的步骤包括以下步骤：

7.如权利要求1所述的处理腔室的方法，其中使用含氢材料来处理所述氧化物涂层的步骤包括以下步骤：

8.如权利要求1所述的处理腔室的方法，进一步包括以下步骤：

9.如权利要求8所述的处理腔室的方法，其中形成所述氧化物涂层的步骤包括以下步骤：

10.如权利要求9所述的处理腔室的方法，其中形成所述氧化物涂层的步骤包括以下步骤：

11.一种处理腔室的方法，所述方法包括以下步骤：

12.如权利要求11所述的处理腔室的方法，其中所述氧化物涂层包括氧化硅。

13.如权利要求11所述的处理腔室的方法，进一步包括以下步骤：

14.如权利要求11所述的处理腔室的方法，其中使用含氢材料来处理所述氧化物涂层的步骤包括以下步骤：

15.如权利要求11所述的处理腔室的方法，其中在处理腔室的所述方法期间，将所述半导体处理腔室的温度保持在大于或约400℃。

16.如权利要求11所述的处理腔室的方法，其中使用含氢材料来处理所述氧化物涂层的步骤包括以下步骤：

17.如权利要求11所述的处理腔室的方法，进一步包括以下步骤：

18.一种处理腔室的方法，所述方法包括以下步骤：

19.如权利要求18所述的处理腔室的方法，其中使用含氢材料来处理所述氧化硅涂层的步骤包括以下步骤：

20.如权利要求18所述的处理腔室的方法，其中使用含氢材料来处理所述氧化硅涂层的步骤包括以下步骤：

技术总结
处理腔室的示例性方法可包括将清洁前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成清洁前驱物的等离子体。方法可包括将清洁前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂层。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化物涂层。

技术研发人员：S·M·博贝克,R·黄,A·A·哈贾,A·班塞尔,李铜衡,G·巴拉苏布拉马尼恩,T·A·恩古耶,S·河,A·M·帕特尔,R·林杜尔派布恩,K·嘉纳基拉曼,K·D·李
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8