本发明涉及电子封装材料生产，具体涉及一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法。
背景技术：
1、铝硅合金作为一种新型封装材料，由于其密度小、热膨胀系数低、热传导性好、容易加工成所需形状以及可以电镀的优点，同时又能够满足工业轻量化的需求，因此具有广阔的应用前景。
2、铝硅合金的封装材料具有以下四种生产方法：熔渗法、粉末冶金法、真空热压法、熔铸法和喷射沉积法。
3、熔渗法首先制备高强度的基体硅质骨架，然后再将熔点低的;铝渗透填充到骨架中，其存在后续加工困难，微观组织不均匀以及制备时间长等缺点。
4、粉末冶金法通过冷压形成半成品，再通过烧结的手段制备出成品，成品容易氧化。
5、真空热压法，存在工序复杂的问题。
6、熔铸法通过模具进行定型生产，由于内外冷却速度的不均匀，容易产生内部结构不均匀的问题。
7、因此采用喷射沉积法进行铝硅分装材料的制备越来越广泛。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本发明提供了一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，本发明是通过以下技术方案来实现的。
2、一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，该方法包括以下步骤：
3、s1：液态合金制备，按材料配比将原料投入到熔炉中熔炼；
4、s2：雾化液的形成，通过气体雾化器将液态的合金雾化成液态的小液滴，并喷射到沉积腔中；
5、s3：沉积坯的成型，雾化的小液滴撞击在沉积盘上，形成沉积坯；
6、s4：沉积坯的热处理；
7、s5：热轧，通过双向挤压机将沉积坯挤压成目标厚度的板材；
8、s6：模切，通过模切机将板材模切成固定的尺寸。
9、进一步地，所述步骤1中，液态合金制备的材料包括： si：40-60%；cu：2.0-2.6%；zn：7.6-8.4，各种材料投入熔炉后，在材料的顶部覆盖一层覆盖剂，然后将熔炉的温度升到1500℃以上并持续2h。
10、进一步地，材料在熔炉中熔炼时，不断搅拌并通过六氯乙烷除气。
11、进一步地，步骤s2中，使用氮气进行雾化，气体压力为0.7-0.85mpa，喷嘴的倾斜角度为10-30°。
12、进一步地，所述s3中，沉积的距离为450-550mm，沉积盘的旋转角度为50-100r/min，过热温度为120-150℃。
13、进一步地，所述步骤s4中，热处理包括固溶处理、淬火处理和二级时效处理。
14、进一步地，所述固溶处理的温度和时间为490℃×4h，固溶后的沉积坯转移到常温水中进行淬火，转移的时间小于5s，所述二级时效处理的温度和时间分别为120℃×4h以及160℃×12h。
15、进一步地，沉积坯在热轧之前需要进行预热，挤压用的模具也需要预热，挤压成的板材的厚度为0.5-1mm。
16、本发明的有益效果如下：
17、1、在沉积的时候采用氮气进行保护，可以减少材料的氧化；
18、2、雾化的液态金属逐层在沉积盘上凝固形成沉积坯，沉积坯的内部结构均匀，不会产生宏观偏析，显微组织都是细小且均匀的等轴晶，材料的致密性高；
19、3、通过热处理进一步提高材料的性能；
20、4、通过热轧以及模切制备固定厚度和形状的分装材料。
1.一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：s1：液态合金制备，按材料配比将原料投入到熔炉中熔炼；s2：雾化液的形成，通过气体雾化器将液态的合金雾化成液态的小液滴，并喷射到沉积腔中；s3：沉积坯的成型，雾化的小液滴撞击在沉积盘上，形成沉积坯；s4：沉积坯的热处理；s5：热轧，通过双向挤压机将沉积坯挤压成目标厚度的板材；s6：模切，通过模切机将板材模切成固定的尺寸。
2.根据权利要求1所述的一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，其特征在于，所述步骤1中，液态合金制备的材料包括： si：40-60%；cu：2.0-2.6%；zn：7.6-8.4，各种材料投入熔炉后，在材料的顶部覆盖一层覆盖剂，然后将熔炉的温度升到1500℃以上并持续2h。
3.根据权利要求2所述的一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，其特征在于，材料在熔炉中熔炼时，不断搅拌并通过六氯乙烷除气。
4.根据权利要求1所述的一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，其特征在于，步骤s2中，使用氮气进行雾化，气体压力为0.7-0.85mpa，喷嘴的倾斜角度为10-30°。
5.根据权利要求1所述的一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，其特征在于，所述s3中，沉积的距离为450-550mm，沉积盘的旋转角度为50-100r/min，过热温度为120-150℃。
6.根据权利要求1所述的一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，其特征在于，所述步骤s4中，热处理包括固溶处理、淬火处理和二级时效处理。
7.根据权利要求6所述的一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，其特征在于，所述固溶处理的温度和时间为490℃×4h，固溶后的沉积坯转移到常温水中进行淬火，转移的时间小于5s，所述二级时效处理的温度和时间分别为120℃×4h以及160℃×12h。
8.根据权利要求7所述的一种喷射沉积铝硅电子封装材料制备方法，其特征在于，沉积坯在热轧之前需要进行预热，挤压用的模具也需要预热，挤压成的板材的厚度为0.5-1mm。