基板处理模块及移动工件的方法与流程

本公开内容的实施方式大体涉及装置及方法，且更特定而言，涉及基板处理模块及移动工件的方法。

背景技术：

1、常规的集群工具被配置为在基板处理期间执行一个或多个处理。例如，集群工具可以包括用来在基板上执行物理气相沉积(pvd)处理的pvd腔室、用于在基板上执行原子层沉积(ald)处理的ald腔室、用于在基板上执行化学气相沉积(cvd)处理的cvd腔室、和/或一个或多个其他的处理腔室。

2、上述集群工具包括传输系统以向系统内的各种处理腔室及从这些处理腔室移动工件(例如基板及遮挡盘(shutter disc))。例如，使用具有多个臂的转盘系统来抓取基板或遮挡盘中的任一者。旋转转盘系统使工件移动进入集群工具中的各种处理腔室中及从这些处理腔室移动出来。取决于要抓取的期望工件，转盘一般具有不同形式及功能的不同抓取臂。

3、本领域中的一个缺点是，一般将转盘设计为抓取基板或遮挡盘中的任一者，这导致使用多种类型的转盘或抓取臂。此外，储存工件的遮件库(shutter garage)通常位于集群工具的非高真空部分中，从而在将工件从堆叠传输到工具的其他部分时需要抽真空。

4、因此，所需要的是一种基板处理模块，该基板处理模块可以使用单个传输系统来传输基板及遮挡盘两者。

技术实现思路

1、本文中所公开的实施方式包括基板处理模块及移动工件的方法。基板处理模块及方法允许使用相同的传输系统来移动遮挡盘及基板。

2、在一个实施方式中，提供了传输腔室组件。传输腔室组件包括遮件堆叠及两个处理区域。遮件堆叠设置在处理区域之间。遮件堆叠(shutter stack)被配置为储存一个或多个工件。该一个或多个工件包括基板或遮挡盘。遮件堆叠包括遮件基部(shutter base)、一个或多个遮挡盘支撑件、及基板支撑件。该一个或多个遮挡盘支撑件耦接到遮件基部。该一个或多个遮挡盘支撑件被配置为支撑遮挡盘。基板支撑件耦接到遮件基部。基板支撑件被配置为支撑基板。

3、在另一个实施方式中，提供了传输腔室组件。传输腔室组件包括遮件堆叠、两个处理区域、及中心传输器件。遮件堆叠设置在处理区域之间。遮件堆叠被配置为储存一个或多个工件。该一个或多个工件包括基板或遮挡盘。遮件堆叠包括遮件基部、一个或多个遮挡盘支撑件、及基板支撑件。该一个或多个遮挡盘支撑件耦接到遮件基部。该一个或多个遮挡盘支撑件被配置为支撑遮挡盘。基板支撑件耦接到遮件基部。基板支撑件被配置为支撑基板。中心传输器件包括一个或多个传输臂。传输臂被配置为将该一个或多个工件中的至少一者从遮件堆叠传输到处理区域中的一者。

4、在又一个实施方式中，提供了移动工件的方法。方法包括以下步骤：在第一方向上将外端从第一位置移动到遮件堆叠，从遮件堆叠取回工件，及向第二位置移动外端。工件是基板或遮挡盘。

技术特征：

1.一种基板处理系统，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中所述两个或更多个处理站中的源组件中的至少一者包括物理气相沉积(pvd)靶材。

3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其中所述两个或更多个处理站的一者中的源组件包括淋喷头。

4.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中形成在所述基板支撑件上的密封表面被配置为当所述基板支撑件定位于所述处理位置时与所述密封组件的表面形成密封，其中形成的所述密封被配置为将处理区域与所述传输区域流体地隔离。

5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中所述密封组件进一步包括：

6.根据权利要求5所述的基板处理系统，其中当所述第一板的所述表面接触所述密封表面时，所述第一板的所述表面实质上平行于所述源组件的所述下表面。

7.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中所述中心机器人进一步包括：

8.根据权利要求1所述的基板处理系统，进一步包括：

9.一种基板处理系统，包括：

10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中所述源组件进一步包括物理气相沉积(pvd)靶材，并且所述处理表面由所述物理气相沉积(pvd)靶材的表面界定。

11.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中所述源组件进一步包括淋喷头，所述处理表面由所述淋喷头的表面限定。

12.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中所述处理模块的所述多个壁包括铝材料，并且所述支撑元件和所述安装元件的阵列包括弹性模量高于所述铝材料的材料。

13.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中所述支撑元件所具有的内径大于所述第一中心开口的直径。

14.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中

15.根据权利要求14所述的基板处理系统，其中所述基板支撑件的所述密封表面实质上平行于所述源组件的所述处理表面和所述水平面。

16.一种基板处理系统，包括：

17.根据权利要求16所述的基板处理系统，其中，当所述基板支撑件由所述致动器从所述多个支撑臂的一个支撑臂的所述支撑区域传输到所述处理位置时，所述多个基板支撑件的所述基板支撑件设置在耦接至所述致动器的支撑板上，其中

18.根据权利要求17所述的基板处理系统，进一步包括：

19.根据权利要求17所述的基板处理系统，其中所述源组件进一步包括物理气相沉积(pvd)靶材，并且所述处理表面由所述物理气相沉积(pvd)靶材的表面界定。

20.根据权利要求19所述的基板处理系统，其中所述源组件进一步包括淋喷头，所述处理表面由所述淋喷头的表面限定。

技术总结
本文中所公开的实施方式包括基板处理模块及移动工件的方法。基板处理模块包括遮件堆叠及两个处理站。遮件堆叠设置在处理站之间。移动工件的方法包括以下步骤：在第一方向上将支撑部分从第一位置移动到遮件堆叠，从遮件堆叠取回工件，及将支撑部分移动至第二位置。传输腔室组件及方法允许将工件移动至遮件堆叠及将工件从遮件堆叠移动到两个处理站。基板处理模块的中心传输机器人被配置为抓取基板及遮挡盘两者，从而在一般会需要两个机器人的时候允许使用一个机器人。

技术研发人员：克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚,斯里尼瓦萨·拉奥·耶德拉,托马斯·布里泽哲科
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13