本发明涉及导电玻璃，具体为一种高透过率低阻值导电玻璃。
背景技术：
1、在通常的透明电极应用中，ito透明导电玻璃和透明导电膜的应用居多，其中，在触控传感器方面主要用阻值较高的透明导电ito膜，在显示模块及大面积应用方面，主要用阻值较低的透明导电ito玻璃。在柔性的应用领域，如果是涉及低阻值的需求，透明导电ito膜又是必不可少的，但是低阻值的透明导电ito膜对应的透过率低，对于器件的应用带来了很大的限制。本发明为这些限制提供有效的突破性解决方案。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本发明提供了一种高透过率低阻值导电玻璃，解决了上述背景技术中的问题。
2、为实现上述x的目的，本发明提供如下技术方案：一种高透过率低阻值导电玻璃，(序号：20层)首先，在玻璃基材上，通过真空磁控溅射沉积一层sio2作为接着层；
3、沉积sio2时，ar和o2作为工作气体，施加电压将ar和o2进行放电，ar+离子和o+离子轰击si靶表面，sio2纳米基团沉积到pet基材上，经过沉积时间的累积，控制厚度为5-10nm。
4、优选的，所述(序号：21层)：同样的在20层表面沉积一层cu-w-ni合金，采用磁控溅射方式，ar作为工作气体，施加电压将ar进行放电，ar+离子轰击cu-w-ni合金靶表面，cu-w-ni合金纳米基团沉积到20层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10-20nm。
5、优选的，所述(序号：30层)：同样的在21层表面沉积一层纯cu，采用磁控溅射方式，ar作为工作气体，施加电压将ar进行放电，ar+离子轰击cu靶表面，cu纳米基团沉积到21层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为200-500nm。
6、优选的，所述(序号：31层)：同样的在30层表面沉积一层cu-w-ni合金，采用磁控溅射方式，ar作为工作气体，施加电压将ar进行放电，ar+离子轰击cu-w-ni合金靶表面，cu-w-ni合金纳米基团沉积到30层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10-20nm。
7、优选的，所述在镀膜完成后进行网格化的蚀刻，留下cu网格线和整体面型的接着层，这样得到一个全新的(21-31)网格+20整体的复合层32层。
8、优选的，所述(序号：40层)：同样的在32接着层表面沉积一层ito膜，采用磁控溅射方式，ar和o2作为工作气体，施加电压将ar和o2进行放电，ar+离子和o+离子轰击ito靶(此层的靶材成分比例为：in2o3:sno2＝93：7wt％—90：10wt％)表面，ito纳米基团沉积到32层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10-20nm。
9、与现有技术相比，本发明提供了一种高透过率低阻值导电玻璃，具备以下有益效果：
10、采用网格cu+面ito结构，以glass表面的易接着状态进行表面镀铜，20层作为衔接层与21/30/31层一起，在同一真空制程中进行镀膜完成，20层链接10层与21层，提升21层的附着力，21层链接20层与30层，作为结构型的过渡，另外在光学方面，降低cu金属层的反射率，对产品的视觉效果有提升，31层作为cu金属层的保护层，同时作为合金具备导电特性，能传导cu层与ito之间的导电性，40层作为面型导电层，补充网格空白区的导电特性，产品整体形成一个透过率高，而且阻值低的透明电极柔性材料，对32层进行适当的pin脚线的图案化，可省去传统的银浆材料，为产品的稳定性和耐久性提供保证，同时节约成本，图案形成后可进行ito结晶化处理，也是本发明的创新点，结晶后的ito层结构稳定，耐用性能提升，适用于要求更为严格的场景，可以实现低温制备，省略纯ito靠后烘烤或在线烘烤制程，可以对21-31层进行不同的图案化设计，如六边形、方形圆形等，可得到不同的线宽/视窗比(lvr)，通过优化可获得经济的lvr。
1.一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：(序号：20层)首先，在玻璃基材上，通过真空磁控溅射沉积一层sio2作为接着层；
2.根据权利要求1所述的一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：(序号：21层)：同样的在20层表面沉积一层cu-w-ni合金，采用磁控溅射方式，ar作为工作气体，施加电压将ar进行放电，ar+离子轰击cu-w-ni合金靶表面，cu-w-ni合金纳米基团沉积到20层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10-20nm。
3.根据权利要求2所述的一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：(序号：30层)：同样的在21层表面沉积一层纯cu，采用磁控溅射方式，ar作为工作气体，施加电压将ar进行放电，ar+离子轰击cu靶表面，cu纳米基团沉积到21层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为200-500nm。
4.根据权利要求3所述的一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：(序号：31层)：同样的在30层表面沉积一层cu-w-ni合金，采用磁控溅射方式，ar作为工作气体，施加电压将ar进行放电，ar+离子轰击cu-w-ni合金靶表面，cu-w-ni合金纳米基团沉积到30层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10-20nm。
5.根据权利要求1所述的一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：在镀膜完成后进行网格化的蚀刻，留下cu网格线和整体面型的接着层，这样得到一个全新的(21-31)网格+20整体的复合层32层。
6.根据权利要求5所述的一种高透过率低阻值导电玻璃，其特征在于：(序号：40层)：同样的在32接着层表面沉积一层ito膜，采用磁控溅射方式，ar和o2作为工作气体，施加电压将ar和o2进行放电，ar+离子和o+离子轰击ito靶(此层的靶材成分比例为：in2o3:sno2＝93：7wt％—90：10wt％)表面，ito纳米基团沉积到32层的表面上，经过沉积时间的累积，控制厚度为10-20nm。