一种金属网格的制备方法与流程

文档序号:34816878发布日期:2023-07-19 19:50阅读:69来源:国知局
一种金属网格的制备方法与流程

本发明涉及金属网格,具体为一种金属网格的制备方法。


背景技术:

1、金属网格一般采用银、铜等低电阻金属,银和铜这类金属具有明显的金属亮泽,在可见光波长范围内反射率高,制成金属网格线在强光灯照射下较明显,但由于反射率高,金属网格的漫反射强,造成金属网格的雾度较高,影响金属网格的整体透过率。

2、目前金属网格膜的制备方法总体来说普遍是采用模板法,例如采用光刻技术及其他如高分子类聚合物模板等,而常用的光刻法强烈依赖于相应的光刻制备,并且高端的刻蚀设备极其昂贵,并且步骤复杂。此外,也可利用制备金属纳米线来组装制备金属网格,但是金属纳米线的制备也是一个复杂且需精细控制的过程,而且金属纳米线的镀膜或网格组装过程亦难以控制。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种金属网格的制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种金属网格的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

3、s1:用去离子水处理基材;

4、s2:在基材上静电纺丝

5、s3:制备模板涂层溶液;

6、s4:制备基底模板:取衬底与s3中模板涂层溶液,并用模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜;

7、s5:在纺丝的基材上,自组装一层掩膜;

8、s4:去除纤维模板,得到凹槽;

9、s5:在凹槽处蒸镀金属;

10、s6:去除自主装掩膜,得到金属网格透明电极。

11、优选的,所述s4中模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜具体包括:将衬底浸入模板涂层溶液中或者将模板涂层溶液旋涂于衬底上,以使胺基薄膜均匀沉积于衬底上。

12、优选的,所述s2中衬底为聚苯乙烯胶体晶体或者聚甲基丙烯酸甲酯。

13、优选的,所述模板涂层溶液为聚多巴胺、聚乙烯亚胺或者聚丙烯胺中的一种或者多种混合物

14、优选的,所述s4中基底模板处理具体包括:s41:将沉积有胺基薄膜的基底衬底放入烘箱中10~40min并控温在50~80℃;s42:胺基薄膜覆于衬底上形成薄膜层模板,并利用掩膜板在薄膜层模板的表面进行光刻形成网格型薄膜层模板。

15、与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明以环保、可回收为理念。选用壳聚糖、聚乙烯醇(pva)等环保型高分子作为自主装的原料,溶于去离子水中,配制成30mg/ml-400mg/ml的高分子溶液。在透明基材上(pet、pi、透明玻璃)上,预先静电纺丝一层pvb纤维模板,纤维直径决定了金属网格的直径,之后在纤维模板空隙采用自主装的方法生长高分子掩膜,掩膜的的生长速率取决于浓度,掩膜的高度必须低于纤维直径。之后采用乙醇溶剂将纤维模板去除,并采用蒸镀的方法,在纤维去除的沟槽中蒸镀一层金属,最后去除高分子掩膜得到金属网格透明电极。



技术特征:

1.一种金属网格的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种金属网格的制备方法,其特征在于:所述s4中模板涂层溶液在衬底上均匀沉积一层胺基薄膜具体包括:将衬底浸入模板涂层溶液中或者将模板涂层溶液旋涂于衬底上,以使胺基薄膜均匀沉积于衬底上。

3.根据权利要求2所述的一种金属网格的制备方法,其特征在于:所述s2中衬底为聚苯乙烯胶体晶体或者聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根据权利要求1所述的一种金属网格的制备方法,其特征在于:所述模板涂层溶液为聚多巴胺、聚乙烯亚胺或者聚丙烯胺中的一种或者多种混合物。

5.根据权利要求1所述的一种金属网格的制备方法,其特征在于:所述s4中基底模板处理具体包括:s41:将沉积有胺基薄膜的基底衬底放入烘箱中10~40min并控温在50~80℃;s42:胺基薄膜覆于衬底上形成薄膜层模板,并利用掩膜板在薄膜层模板的表面进行光刻形成网格型薄膜层模板。


技术总结
本发明公开了一种金属网格的制备方法,该金属网格的制备方法的配方包括以下组份:石英粉10%‑20%、硅藻土0.1%‑2.5%、高强度石膏10%‑60%、CMC 0.01%‑1%、大理石10%‑20%、淀粉醚0.2%‑5%、缓凝剂0.1%‑0.5%、氮化碳0.2%‑5%、可再分散聚合物粉末15‑30%、干粉助剂0.1‑5%、方解石粉10%‑15%、碱激发剂5%‑7%,该制备方法包括以下步骤:原料收集,精磨,搅拌,添加试剂,煅烧,混水,制成;本发明所采用的配方均为国标规定原料,且本发明制备出的金属网格的制备方法得到较大提升,在石膏体系中加入氮化碳,可实现防霉的功能,可实现光催化除醛、抗菌功效并且通过硅藻泥和配方的优化使得生态灰泥具有调湿功效;且本发明制备金属网格的制备方法的成本有所降低,增加企业收益,适合推广。

技术研发人员:苏伟,邹万浪
受保护的技术使用者:深圳市志凌伟业技术股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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