衬底处理管、衬底处理装置和衬底处理方法与流程

本公开涉及一种衬底处理管、包括该衬底处理管的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法，并且具体地，涉及被配置为改善气体均匀性问题的衬底处理管、包括该衬底处理管的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法。

背景技术：

1、制造半导体器件的工艺包括各种工艺步骤。例如，可以通过对衬底执行沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和清洁工艺来制造半导体器件。这些工艺在各自的衬底处理装置中执行。例如，具有立式炉的批处理系统用于沉积工艺。对在批处理系统中竖直地堆叠的多个衬底执行该工艺。例如，工艺气体被供应到装载有衬底的批处理系统中，并且在这种情况下，对衬底同时执行沉积工艺。

技术实现思路

1、本发明构思的实施例提供了一种被配置为控制工艺气体的流动的衬底处理管、包括该衬底处理管的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法。

2、本发明构思的实施例提供了一种被配置为均匀地分布工艺气体的衬底处理管、包括该衬底处理管的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法。

3、本发明构思的实施例提供了一种被配置为提高制造工艺中的产量的衬底处理管、包括该衬底处理管的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法。

4、根据本发明构思的实施例，衬底处理装置可以包括：内管，提供竖直地延伸的工艺空间；外管，包围内管；供气管道，连接到工艺空间；以及舟皿，被配置为设置在工艺空间中。内管在第一位置处的第一内径可以与内管在第二位置处的第二内径不同，并且第二位置的高度可以高于第一位置的高度。

5、根据本发明构思的实施例，衬底处理管可以包括：第一内管，提供第一工艺空间，该第一工艺空间被配置为使得在第一工艺空间中执行对第一衬底的沉积工艺；以及第二内管，提供第二工艺空间，该第二工艺空间被配置为使得在第二工艺空间中执行对第二衬底的沉积工艺。第一工艺空间可以沿竖直方向延伸，并且第二工艺空间可以连接到第一工艺空间，并且可以沿竖直方向从第一工艺空间延伸。第二工艺空间可以包括水平宽度与第一工艺空间的水平宽度不同的区域。

6、根据本发明构思的实施例，衬底处理装置可以包括：内管，提供沿第一方向延伸的工艺空间；外管，包围内管并沿第一方向延伸；供气管道，连接到工艺空间；以及舟皿，被配置为移入和移出工艺空间。当舟皿放置在工艺空间中时，舟皿和内管的内侧表面之间的在第一位置处的第一水平距离可以与舟皿和内管的内侧表面之间的在第二位置处的第二水平距离不同，并且第二位置可以在第一方向上与第一位置间隔开。

7、根据本发明构思的实施例，衬底处理方法可以包括：将工艺气体供应到衬底处理装置中；在衬底处理装置中将工艺气体沉积在衬底上以在衬底上形成材料层；以及从衬底处理装置中排出工艺气体的剩余部分。这里，衬底处理装置可以包括：内管，提供沿第一方向延伸的工艺空间；外管，包围内管；供气管道，连接到工艺空间；以及舟皿，设置在工艺空间中以支撑多个衬底。供应工艺气体可以包括：通过供气管道将工艺气体供应到工艺空间中；使被供应到工艺空间中的工艺气体沿第一方向移动通过内管的内部空间；以及将工艺气体的一部分移动到舟皿上的衬底。内管在第一位置处的第一内径可以与内管在第二位置处的第二内径不同。

技术特征：

1.一种衬底处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述舟皿包括多个衬底支撑部，

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第二内径比所述第一内径大。

4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一内径在340mm至380mm的范围内，并且

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述内管在第三位置处的第三内径与所述第一内径相等，并且

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，还包括法兰，所述法兰位于所述外管的下方以支撑所述外管，

7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，还包括与所述法兰连接的排气管道，

8.一种衬底处理管，包括：

9.根据权利要求8所述的衬底处理管，其中，所述第一工艺空间的水平宽度是恒定的，并且

10.根据权利要求8所述的衬底处理管，其中，所述第一工艺空间和所述第二工艺空间中的每个工艺空间的水平截面具有圆形形状，

11.根据权利要求8所述的衬底处理管，其中，所述第一工艺空间的水平宽度在340mm至380mm的范围内。

12.根据权利要求8所述的衬底处理管，其中，所述第一内管和所述第二内管包括石英。

13.一种衬底处理装置，包括：

14.根据权利要求13所述的衬底处理装置，其中，所述舟皿在所述第一位置处的第一外径与所述舟皿在所述第二位置处的第二外径不同。

15.根据权利要求13所述的衬底处理装置，其中，所述舟皿包括多个衬底支撑部，

16.根据权利要求13所述的衬底处理装置，其中，所述第二水平距离大于所述第一水平距离。

17.根据权利要求16所述的衬底处理装置，其中，所述舟皿和所述内管的内侧表面之间的在第三位置处的第三水平距离大于所述第二水平距离，并且

18.根据权利要求13所述的衬底处理装置，还包括包围所述外管的加热器，

19.根据权利要求13所述的衬底处理装置，还包括支撑所述外管的法兰，

20.根据权利要求19所述的衬底处理装置，还包括放置在所述内管中的喷嘴，

技术总结
一种衬底处理装置可以包括：内管，提供竖直地延伸的工艺空间；外管，包围内管；供气管道，连接到工艺空间；以及舟皿，被配置为设置在工艺空间中。内管在第一位置处的第一内径可以与内管在第二位置处的第二内径不同，并且第二位置的高度可以高于第一位置的高度。

技术研发人员：李贤珠,金炳勋,金玹彻,李在珩,孔炳焕
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15