一种晶片的CVD加工方法及CVD加工系统

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种晶片的cvd加工方法及加工系统。

背景技术：

1、现有基于硅片的lpcvd(低压化学气相沉积)加工方法，为了保证硅片表面沉积的膜厚度的稳定性，通常需要准备大量的假片，当硅片的加工数量低于机台最大加工通量时，使用假片补足到机台最大加工通量，使得机台始终保持最大装载量运行，用稳定的装载量以保持沉积的膜厚度的稳定性。而基于碳化硅片的沉积的膜的加工工艺中，碳化硅片加工数量低于机台最大加工通量的情况频繁发生，若仍利用假片补足到机台最大加工通量时，大量的假片被频繁使用，增加了碳化硅晶片的成本，而且效率低。

技术实现思路

1、本发明为了解决上述问题，提供一种晶片的cvd加工方法，包括：

2、根据不同的待加工目标晶片的数量和cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型，确定cvd机台的装载量、相应的假片数量和相应的cvd机台的薄膜沉积速率，其中所述cvd机台的装载量n小于等于cvd机台最大装载量m，所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型具体为：不同的装载量n下，cvd机台的薄膜沉积速率d＝薄膜厚度h0/沉积时间t0，保持工艺菜单t及沉积时间t0不变的条件下，对不同的装载量n下的测试片进行cvd工艺，使得测试片表面形成薄膜，测量不同的装载量n下的测试片的薄膜厚度h0，获取不同的装载量n下的测试片的薄膜沉积速率d0，所述不同的装载量n下的测试片的薄膜沉积速率d0即为不同的装载量n下cvd机台的薄膜沉积速率d；

3、获取待加工目标薄膜厚度h，获得目标沉积时间t，所述目标沉积时间t＝目标薄膜厚度h/薄膜沉积速率d，所述薄膜沉积速率d为对应的装载量n下的薄膜沉积速率。

4、可选的，所述待加工目标晶片包括碳化硅晶片或者硅晶片，所述假片为同样型号的碳化硅晶片或者硅晶片。

5、可选的，所述cvd机台为lpcvd机台。

6、可选的，所述cvd机台的装载量为所述待加工目标晶片的数量与所述相应的假片数量之和；同一所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型中相应的假片数量b为定值，且保持不变。

7、可选的，确定所述目标沉积时间t的步骤包括：首先确定目标薄膜厚度h、待加工目标晶片50的数量，再根据所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型确定所述待加工目标晶片50的数量对应的cvd机台的薄膜沉积速率，最后利用目标沉积时间t＝目标薄膜厚度h/相应的cvd机台的薄膜沉积速率d，即获得目标沉积时间t。

8、可选的，所述不同的装载量n下的待加工目标晶片进行cvd工艺时，所述待加工目标晶片设置于炉室的石英舟的中部，所述假片紧挨且平均分布于所述待加工目标晶片的两侧。

9、可选的，所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型中，保持工艺菜单t及沉积时间t0不变的条件下，所述不同的装载量n下的测试片的薄膜厚度h0包括h1、h2…hi-1、hi，所述不同的装载量n下cvd机台的薄膜沉积速率d包括d1、d2…di-1、di，即d1＝薄膜厚度h1/沉积时间t0、d2＝薄膜厚度h2/沉积时间t0…di-1＝薄膜厚度hi-1/沉积时间t0、di＝薄膜厚度hi/沉积时间t0。

10、本发明实施例还提供一种晶片的cvd加工系统，包括：

11、数据获取单元，根据不同的待加工目标晶片的数量和cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型，确定cvd机台的装载量、相应的假片数量和相应的cvd机台的薄膜沉积速率，其中所述cvd机台的装载量n小于等于cvd机台最大装载量m，所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型具体为：不同的装载量n下，cvd机台的薄膜沉积速率d＝薄膜厚度h0/沉积时间t0，保持工艺菜单t及沉积时间t0不变的条件下，对不同的装载量n下的测试片进行cvd工艺，使得测试片表面形成薄膜，测量不同的装载量n下的测试片的薄膜厚度h0，获取不同的装载量n下的测试片的薄膜沉积速率d0，所述不同的装载量n下的测试片的薄膜沉积速率d0即为不同的装载量n下cvd机台的薄膜沉积速率d；

12、数据处理单元，获取待加工目标薄膜厚度h，其中目标沉积时间为t，所述目标沉积时间t＝目标薄膜厚度h/薄膜沉积速率d，所述薄膜沉积速率d为对应的装载量n下的薄膜沉积速率；

13、数据输出单元，用于输出数据处理单元获得的目标加工时间t。

14、本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，包括指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述任一项所述的方法。

15、本发明实施例还提供一种电子系统，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行上述任一项所述的方法。

16、综上所述，本发明的优点及有益效果为：

17、本发明提供一种晶片的cvd加工方法及加工系统。根据不同的待加工目标晶片的数量和cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型，确定适合的cvd机台的装载量、相应的假片数量和相应的cvd机台的薄膜沉积速率，所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型，具体为不同的装载量n下，cvd机台的薄膜沉积速率d＝薄膜厚度h0/沉积时间t0，将待加工目标晶片和对应数量的假片一起装入cvd机台的石英舟进行薄膜沉积，加工得到目标薄膜厚度为h、目标薄膜厚度均匀稳定的目标晶片。当假片数量不变时，使得待加工目标晶片的数量根据实际加工需要进行选择，增加了对待加工目标晶片数量的灵活调控能力，不需要假片补足到机台最大加工通量，将减少假片的使用数量，降低生产成本，提高生产效率。

技术特征：

1.一种晶片的cvd加工方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种晶片的cvd加工方法，其特征在于，所述待加工目标晶片包括碳化硅晶片或者硅晶片，所述假片为同样型号的碳化硅晶片或者硅晶片。

3.如权利要求1所述的一种晶片的cvd加工方法，其特征在于，所述cvd机台为lpcvd机台。

4.如权利要求1所述的一种晶片的cvd加工方法，其特征在于，所述cvd机台的装载量为所述待加工目标晶片的数量与所述相应的假片数量之和；同一所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型中相应的假片数量b为定值，且保持不变。

5.如权利要求1所述的一种晶片的cvd加工方法，其特征在于，确定所述目标沉积时间t的步骤包括：首先确定目标薄膜厚度h、待加工目标晶片的数量，再根据所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型确定所述待加工目标晶片的数量对应的cvd机台的薄膜沉积速率，最后利用目标沉积时间t＝目标薄膜厚度h/相应的cvd机台的薄膜沉积速率d，即获得目标沉积时间t。

6.如权利要求1所述的一种晶片的cvd加工方法，其特征在于，所述不同的装载量n下的待加工目标晶片进行cvd工艺时，所述待加工目标晶片设置于炉室的石英舟的中部，所述假片紧挨且平均分布于所述待加工目标晶片的两侧。

7.如权利要求1所述的一种晶片的cvd加工方法，其特征在于，所述cvd机台的薄膜沉积速率的数据模型中，保持工艺菜单t及沉积时间t0不变的条件下，所述不同的装载量n下的测试片的薄膜厚度h0包括h1、h2…hi-1、hi，所述不同的装载量n下cvd机台的薄膜沉积速率d包括d1、d2…di-1、di，即d1＝薄膜厚度h1/沉积时间t0、d2＝薄膜厚度h2/沉积时间t0…di-1＝薄膜厚度hi-1/沉积时间t0、di＝薄膜厚度hi/沉积时间t0。

8.一种晶片的cvd加工系统，其特征在于，包括：

9.一种计算机可读存储介质，包括指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行如权利要求1-7中任一项所述的方法。

10.一种电子系统，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行如权利要求1-7中任一项所述的方法。

技术总结
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种晶片的CVD加工方法及加工系统。根据不同的待加工目标晶片的数量和CVD机台的薄膜沉积速率的数据模型，确定适合的CVD机台的装载量和相应的CVD机台的薄膜沉积速率，不同的装载量N下，CVD机台的薄膜沉积速率D＝薄膜厚度H<subgt;0</subgt;/沉积时间t<subgt;0</subgt;，将待加工目标晶片和对应数量的假片一起装入CVD机台的石英舟进行薄膜沉积，薄膜厚度均匀稳定的目标晶片。通过调整装载量N，使得待加工目标晶片的数量灵活，待加工目标晶片的数量根据实际加工需要进行选择，增加了对待加工目标晶片数量的灵活调控能力，不需要假片补足到机台最大加工通量，将减少假片的使用数量，降低生产成本，提高生产效率。

技术研发人员：任娜,韦丽明,盛况,徐弘毅
受保护的技术使用者：浙江大学杭州国际科创中心
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13