一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法及盖板与流程

本发明涉及一种超硬增透涂层，具体是一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法及盖板。

背景技术：

1、目前在使用的手机显示屏，通常是玻璃盖板，因常与配饰、桌面等物体碰撞摩擦，配饰和桌面上会有砂砾或尖锐状棱角，导致手机盖板产生明显划痕。现有技术中为了防剐蹭，使用超硬耐刮层与其他增透层形成多层堆叠。为了有较好的超硬效果，耐刮花层非常厚，因镀膜时间长且膜层较厚，膜层本身会产生非常大的压应力，该应力会明显导致基板变形，产品外形受到影响。为了控制抵消变形，在制作过程中需要对基板进行预变形，增加了制作步骤的复杂度。

2、因此，本领域技术人员提供了一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法及盖板，以解决上述背景技术中提出的问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法及盖板，通过使用射频磁控溅射反应工艺，生成高硬度碳化x形成超硬耐刮层，具有超高的硬度，厚度薄，两层堆叠，基板不会发生形变，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，包括：

4、在基板上镀设连接层；

5、在镀有连接层的基板上溅射超硬耐刮花层；基板、连接层和超硬耐刮花层形成耐刮花的盖板；

6、所述超硬耐刮花层为碳化x。

7、作为本发明的一种技术优化方案，在所述镀有连接层的基板上溅射超硬耐刮花层包括：

8、将所述镀有连接层的基板放置于惰性气体的真空环境中；

9、对所述镀有连接层的基板同时溅射中频碳靶材和x靶材，使其产生碳原子和x原子，并沉积于连接层表面，溅射产生的惰性气体离子对沉积的碳原子和x原子进行轰击获得高能量，产生原子间自化合，生成碳化x作为超硬耐刮花层。

10、作为本发明的一种技术优化方案，所述x靶材为铝、铬、硅、铌中的任意一种。

11、作为本发明的一种技术优化方案，溅射过程中通入的惰性气体为氦气、氖气、氩气中的任意一种。

12、作为本发明的一种技术优化方案，所述超硬耐刮花层的厚度为10-100nm。

13、作为本发明的一种技术优化方案，镀有超硬耐刮花层的基板莫氏硬度大于8。

14、作为本发明的一种技术优化方案，所述连接层为氧化硅层，氧化硅层的厚度小于超硬耐刮花层的厚度。

15、作为本发明的一种技术优化方案，所述基板为透明材质，为玻璃、树脂或柔性pet中的任意中一种。

16、一种超硬抗刮花涂层盖板，由上述盖板制作方法制备而来。

17、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

18、1、本发明通过射频磁控溅射反应工艺，生成高硬度碳化x，具有超高的硬度特点，可以实现镀制超过莫氏硬度8的特殊材料效果；常规玻璃基板的莫氏硬度小于3，镀完该超硬耐刮花层后莫氏硬度大于8，使得镀有该超硬耐刮花层的盖板在使用中不易被刮花损坏；

19、2、镀有该超硬耐刮花层的盖板适用于3d产品，在弧边处无异色等外观差异，可用于手机、手表的前后盖；并且对于曲面和平面产品都适合。

技术特征：

1.一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，其特征在于，在所述镀有连接层的基板上溅射超硬耐刮花层包括：

3.根据权利要求2所述的一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，其特征在于，所述x靶材为铝、铬、硅、铌中的任意一种。

4.根据权利要求2或3所述的一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，其特征在于，溅射过程中通入的惰性气体为氦气、氖气、氩气中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，其特征在于，所述超硬耐刮花层的厚度为10-100nm。

6.根据权利要求5所述的一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，其特征在于，镀有超硬耐刮花层的基板莫氏硬度大于8。

7.根据权利要求5所述的一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，其特征在于，所述连接层为氧化硅层，氧化硅层的厚度小于超硬耐刮花层的厚度。

8.根据权利要求2所述的一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法，其特征在于，所述基板为透明材质，为玻璃、树脂或柔性pet中的任意中一种。

9.一种超硬抗刮花涂层盖板，其特征在于，所述盖板由上述1-8中任一项的盖板制作方法制备而来。

技术总结
本发明公开了一种超硬抗刮花涂层盖板的制作方法及盖板，属于电子产品透光膜领域，包括：在基板上镀设连接层；在镀有连接层的基板上溅射超硬耐刮花层；基板、连接层和超硬耐刮花层形成耐刮花的盖板；所述超硬耐刮花层为碳化X。生成高硬度碳化X，具有超高的硬度特点，可以实现镀制超过莫氏硬度8的特殊材料效果；常规玻璃基板的莫氏硬度小于3，镀完该超硬耐刮花层后莫氏硬度大于8，使得镀有该超硬耐刮花层的盖板在使用中不易被刮花损坏；镀有该超硬耐刮花层的盖板适用于3D产品，在弧边处无异色等外观差异，可用于手机、手表的前后盖；并且对于曲面和平面产品都适合。

技术研发人员：李少华,钱宝
受保护的技术使用者：安徽精卓光显技术有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13