本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种陶瓷基材的镀膜方法。
背景技术：
1、研磨盘在半导体行业中，常在一定压力下通过低速旋转带动磨盘对半导体材料进行磨削或抛光，在工作过程中自身也被消耗磨损。由于研磨工件的平面度和温度要求很高，通常采用陶瓷材料的研磨盘。然而现有的陶瓷研磨盘在加工过程中温度仍然会升高10-15℃，因而会影响半导体内部线圈的工作性能。常见的解决方法是向其表面喷上的冷却水进行冷却，如cn202122152670.3所揭示。然而这种冷却方法效果并不理想，容易造成研磨盘表面的冷热不均衡，从而影响研磨效果。
2、因此，有必要提供一种陶瓷基材的镀膜方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种陶瓷基材的镀膜方法，在陶瓷基材的表面依次沉积钛膜、含钛的类金刚石碳复合膜以及类金刚石碳膜，具有良好的导热能力，适用于研磨盘，以获得良好的研磨效果。
2、为实现上述目的，本发明的陶瓷基材的镀膜方法，包括以下步骤：
3、对陶瓷基材进行射频辉光处理以清洗所述陶瓷基材的表面；
4、在所述陶瓷基材的表面沉积钛膜；
5、在所述钛膜上溅射沉积含钛的类金刚石碳复合膜；以及
6、在所述含钛的类金刚石碳复合膜上沉积类金刚石碳膜。
7、与现有技术相比，本发明首先对陶瓷基材进行射频辉光处理以清洗陶瓷基材的表面，为后续的膜体沉积工艺提供良好结合力的基础；接着在陶瓷基材的表面依次沉积钛膜、含钛的类金刚石碳复合膜以及类金刚石碳膜，该三层膜体被牢固接合，具有出色的导热能力，经研究，本发明的膜体的导热能力高达1000w/mk，远高于常规金属的导热能力，因此该陶瓷基材应用于研磨盘上可获得良好的研磨效果，同时保护研磨工件的性能不受损。
8、较佳地，所述射频辉光处理包括：向真空腔通入氩气和氧气，调节真空腔的气压为3-4pa，控制阳极的射频频率为30-35mhz，阴极的射频频率为60-120khz，时长为20-30秒。
9、较佳地，所述氧气的流量为150-200sccm，所述氩气的流量为800-900sccm。
10、较佳地，还包括控制真空腔的温度为60-65℃。
11、较佳地，沉积所述钛膜包括：向真空腔通入氩气和氩气，调节真空腔的温度为80-90℃，开启钛靶的中频溅射电源，溅射功率为500-700w。
12、较佳地，所述钛膜的厚度为13-15μm。
13、较佳地，沉积所述含钛的类金刚石碳复合膜包括：向真空腔通入氩气，调节真空腔的气压大于1.2×10-3pa，采用钛靶和碳靶共同溅射，所述钛靶和所述碳靶的电流为1.0a至1.5a，负偏压为-150v至-130v，偏压频率120khz至130khz。
14、较佳地，所述含钛的类金刚石碳复合膜的厚度为10-15μm。
15、较佳地，沉积所述类金刚石碳膜包括：向真空腔通入ch4气体，调节真空腔的气压为0.1-0.5pa，采用碳靶溅射形成所述类金刚石碳膜。
16、较佳地，所述类金刚石碳膜的厚度为10-30μm。
1.一种陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，所述射频辉光处理包括：向真空腔通入氩气和氧气，调节真空腔的气压为3-4pa，控制阳极的射频频率为30-35mhz，阴极的射频频率为60-120khz，时长为20-30秒。
3.如权利要求2所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，所述氧气的流量为150-200sccm，所述氩气的流量为800-900sccm。
4.如权利要求2所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，还包括控制真空腔的温度为60-65℃。
5.如权利要求1所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，沉积所述钛膜包括：向真空腔通入氩气和氩气，调节真空腔的温度为80-90℃，开启钛靶的中频溅射电源，溅射功率为500-700w。
6.如权利要求5所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，所述钛膜的厚度为13-15μm。
7.如权利要求1所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，沉积所述含钛的类金刚石碳复合膜包括：向真空腔通入氩气，调节真空腔的气压大于1.2×10-3pa，采用钛靶和碳靶共同溅射，所述钛靶和所述碳靶的电流为1.0a至1.5a，负偏压为-150v至-130v，偏压频率120khz至130khz。
8.如权利要求7所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，所述含钛的类金刚石碳复合膜的厚度为10-15μm。
9.如权利要求1所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，沉积所述类金刚石碳膜包括：向真空腔通入ch4气体，调节真空腔的气压为0.1-0.5pa，采用碳靶溅射形成所述类金刚石碳膜。
10.如权利要求9所述的陶瓷基材的镀膜方法，其特征在于，所述类金刚石碳膜的厚度为10-30μm。