一种三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置的制作方法

本发明涉及石墨组件涂层的，尤其涉及一种三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置。

背景技术：

1、三代半导体材料中常用的石墨组件，需要进行涂层处理的主要目的是为了增强其性能和耐用性。具体来说，涂层可以提高石墨组件的表面硬度、耐磨性、耐腐蚀性和高温稳定性等，从而提高其使用寿命和稳定性，同时也可以改善石墨组件的表面光洁度和机械性能。

2、而对石墨组件的涂层沉积均匀度直接会影响石墨组件的性能质量，如果涂层不均匀，则可能会导致石墨组件表面的性能不一致，可能会产生不均匀的热应力，从而使石墨组件容易产生开裂或变形等问题，甚至会影响三代半导体材料的性能和稳定性，降低其使用寿命和可靠性。

技术实现思路

1、本发明的目的就是针对现有技术中存在的缺陷提供一种三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，达到了石墨组件的涂层均匀且一致，可以确保石墨组件的稳定性和性能的效果。

2、为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：

3、一种三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，包含真空室、反应核心构件、电子枪构件；所述电子枪构件包括电子枪构件支架、阴极加热装置，所述电子枪构件支架设置在所述真空室顶端，所述阴极加热装置设置在所述电子枪构件支架另一端，所述阴极加热装置上设置有阴极放置槽和电子束发射槽，所述阴极放置槽开设在所述阴极加热装置内部，所述电子束发射槽开设在所述阴极加热装置底端，所述阴极放置槽和所述电子束发射槽之间连通；所述反应核心构件包括第一环组、第二环组和第三环组，所述第一环组和所述第二环组之间以及所述第二环组和所述第三环组之间分别用固定柱连接；所述第一环组内设置有第一动环、靶材料伸缩支架、靶材料放置位和第一控制器，所述第一动环可转动的固定在所述第一环组内侧，所述靶材料放置位通过所述靶材料伸缩支架与所述第一动环相连悬空设置在所述第一环组中央，所述电子束发射槽伸入所述靶材料放置位内；所述第一控制器控制所述靶材料伸缩支架和所述第一动环；所述第二环组设置有第二动环、若干个氩气喷嘴、喷嘴转向器和第二控制器，所述第二动环可转动的固定在所述第二环组内侧，所述氩气喷嘴通过所述喷嘴转向器固定在所述第二动环内侧；所述第二控制器控制所述第二动环、所述氩气喷嘴和所述喷嘴转向器；所述第三环组包括第三动环、石墨组件支架连接件和第三控制器，所述第三动环设置在所述第三环组内侧，石墨组件支架通过所述石墨组件支架连接件固定在所述第三动环内；所述第三控制器控制所述第三动环旋转；所述石墨组件支架包括外架、内架和内架翻转装置，所述内架通过所述内架翻转装置可翻转的固定在所述外架内；所述内架两侧还设置有内架固定装置。

4、进一步地，还包括环绕控温装置，所述环绕控温装置环绕设置在所述真空室外侧，所述环绕控温装置设置有辐射加热区，所述辐射加热区对应所述真空室的上下全部位置。

5、进一步地，还包括温度探测器，所述温度探测器设置在所述真空室内，所述温度探测器与所述环绕控温装置信号连接。

6、进一步地，还设置有气体供应系统，所述气体供应系统设置在所述真空室外，所述氩气喷嘴与所述气体供应系统之间通过密封件穿过所述真空室连接；所述气体供应系统表面做隔热处理。

7、进一步地，所述靶材料放置位设置有镂空底面、镂空侧面，所述靶材料放置位表面均设置有绝缘层；所述靶材料放置位采用石墨材料制成。

8、进一步地，所述真空室还设置有电源组件、真空泵和真空室门。

9、进一步地，还包括石墨组件探测器，所述石墨组件探测器设置在所述外架上。

10、进一步地，所述石墨组件支架表面均做绝缘处理。

11、进一步地，所述氩气喷嘴狭缝式喷嘴和微型孔喷嘴搭配。

12、通过本发明的技术方案，可实现以下技术效果：

13、通过包含真空室、反应核心构件、电子枪构件；所述电子枪构件包括电子枪构件支架、阴极加热装置，所述电子枪构件支架设置在所述真空室顶端，所述阴极加热装置设置在所述电子枪构件支架另一端，所述阴极加热装置上设置有阴极放置槽和电子束发射槽，所述阴极放置槽开设在所述阴极加热装置内部，所述电子束发射槽开设在所述阴极加热装置(底端，所述阴极放置槽和所述电子束发射槽之间连通；所述反应核心构件包括第一环组、第二环组和第三环组，所述第一环组和所述第二环组之间以及所述第二环组和所述第三环组之间分别用固定柱连接；所述第一环组内设置有第一动环、靶材料伸缩支架、靶材料放置位和第一控制器，所述第一动环可转动的固定在所述第一环组内侧，所述靶材料放置位通过所述靶材料伸缩支架与所述第一动环相连悬空设置在所述第一环组中央，所述电子束发射槽伸入所述靶材料放置位内；所述第一控制器控制所述靶材料伸缩支架和所述第一动环；所述第二环组设置有第二动环、若干个氩气喷嘴、喷嘴转向器和第二控制器，所述第二动环可转动的固定在所述第二环组内侧，所述氩气喷嘴通过所述喷嘴转向器固定在所述第二动环内侧；所述第二控制器控制所述第二动环、所述氩气喷嘴和所述喷嘴转向器；所述第三环组包括第三动环、石墨组件支架连接件和第三控制器，所述第三动环设置在所述第三环组内侧，石墨组件支架通过所述石墨组件支架连接件固定在所述第三动环内；所述第三控制器控制所述第三动环旋转；所述石墨组件支架包括外架、内架和内架翻转装置，所述内架通过所述内架翻转装置可翻转的固定在所述外架内；所述内架两侧还设置有内架固定装置的结构，达到了石墨组件的涂层均匀且一致，可以确保石墨组件的稳定性和性能的效果。

技术特征：

1.一种三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于，还包括环绕控温装置(4)，所述环绕控温装置(4)环绕设置在所述真空室(1)外侧，所述环绕控温装置(4)设置有辐射加热区(4-1)，所述辐射加热区(4-1)对应所述真空室(1)的上下全部位置。

3.根据权利要求2所述的三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于，还包括温度探测器(1-5)，所述温度探测器(1-5)设置在所述真空室(1)内，所述温度探测器(1-5)与所述环绕控温装置(4)信号连接。

4.根据权利要求1所述的三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于，还设置有气体供应系统(10)，所述气体供应系统(10)设置在所述真空室(1)外，所述氩气喷嘴(6-2)与所述气体供应系统(10)之间通过密封件(10-1)穿过所述真空室(1)连接；所述气体供应系统(10)表面做隔热处理。

5.根据权利要求1所述的三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于，所述靶材料放置位(5-3)设置有镂空底面(5-3-1)、镂空侧面(5-3-2)，所述靶材料放置位(5-3)表面均设置有绝缘层；所述靶材料放置位(5-3)采用石墨材料制成。

6.根据权利要求1所述的三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于，所述真空室(1)还设置有电源组件(1-2)、真空泵(1-3)和真空室门(1-4)。

7.根据权利要求1所述的三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于，还包括石墨组件探测器(9-4)，所述石墨组件探测器(9-4)设置在所述外架(9-1)上。

8.根据权利要求1所述的三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于，所述石墨组件支架(9)表面均做绝缘处理。

9.根据权利要求1所述的三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置，其特征在于，所述氩气喷嘴(6-2)采用狭缝式喷嘴和微型孔喷嘴搭配。

技术总结
本发明涉及石墨组件涂层的技术领域，尤其涉及一种三代半导体用石墨组件的涂层均匀沉积装置；包含真空室、反应核心构件、电子枪构件；所述电子枪构件包括电子枪构件支架、阴极加热装置，所述电子枪构件支架设置在所述真空室顶端，所述阴极加热装置设置在所述电子枪构件支架另一端，所述阴极加热装置上设置有阴极放置槽和电子束发射槽，所述阴极放置槽开设在所述阴极加热装置内部，所述电子束发射槽开设在所述阴极加热装置底端，所述阴极放置槽和所述电子束发射槽之间连通，达到了石墨组件的涂层均匀且一致，可以确保石墨组件的稳定性和性能的效果。

技术研发人员：王敏,吕秀荣,李成文,任鲁奎,吴玉培
受保护的技术使用者：山东华达新材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15