一种含Sn高效无取向硅钢50W600退火工艺的制作方法

本发明涉及一种含sn高效无取向硅钢50w600退火工艺。

背景技术：

1、目前，申请号201010201759.8公布了高碳含量中低牌号冷轧无取向硅钢脱碳退火工艺。重点介绍了中低牌号无取向硅钢退火工艺参数，保证钢带的磁性能。本发明侧重利用sn元素在较低退火温度下的晶界偏聚作用，抑制不利织构{111}的形核和长大，提升磁性能，而且降低能源损耗和环境污染。

2、申请号201210562201.1公布了一种高层间电阻冷轧无取向电工钢的退火方法。重点介绍了为了提高层间电阻，设定的气氛和配比，以及涂层液涂数量。本发明介绍了高效50w600退火工艺参数，并比对含sn和不含sn退火织构，含sn能有在低的退火温度下降低不利织构{111}含量。

3、申请号201610941103.7公布了一种无取向冷轧硅钢片冷轧后的退火工艺。重点介绍了通过两次退火处理提高硅钢片的热处理效果。本发明侧重为了节能环保，又能保证磁性能的情况下，添加sn元素，能够保证在较低退火温度下，减少不利织构{111}的形成。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种含sn高效无取向硅钢50w600退火工艺，采用添加sn元素，通过sn的偏聚作用，可以保证在较低的退火温度下降低不利织构{111}含量，从而降低能源损耗和环境污染。

2、为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

3、本发明一种含sn高效无取向硅钢50w600退火工艺，采用转炉进行冶炼，rh进行真空处理，csp连铸浇铸成57mm厚度板坯，加热温度1150±10℃，热轧开轧温度1070～1100℃，终轧温度860～890℃，卷取温度735～765℃，轧制成2.5mm厚度钢带，酸洗后冷轧成0.5mm冷硬卷，然后在900～980℃退火，形成符合用户要求的高效无取向硅钢50w600，最后进行绝缘涂层，增加层间电阻，提高叠片系数；

4、所述含sn高效无取向硅钢的质量百分比的化学成分为：c：＜0.0025％，si：1.30～2.5％，mn：0.70～1.5％，p：＜0.07％，s：＜0.003％，als：0.40～1.0％，sb：0.04～0.10％，n：＜0.0020％，o：＜0.0020％，ti：＜0.0020％，其余为fe及不可避免夹杂，质量分数共计为100％。

5、进一步的，所述含sn高效无取向硅钢的质量百分比的化学成分为：c：0.0015％，si：1.47％，mn：0.85％，p：0.66％，s：0.002％，als：0.58％，sn：0.068％，n：0.0017％，o：0.0013％，ti：0.0016％，其余为fe及不可避免夹杂，质量分数共计为100％。

6、与现有技术相比，本发明的有益技术效果：

7、本发明的有益效果是研究含sn高效50w600不同退火温度下退火织构，并与不含sn无取向硅钢性能进行比较，得到含sn高效无取向硅钢在较低退火温度下，能够有效降低不利织构{111}含量，从而起到节能环保的效果。

技术特征：

1.一种含sn高效无取向硅钢50w600退火工艺，其特征在于，采用转炉进行冶炼，rh进行真空处理，csp连铸浇铸成57mm厚度板坯，加热温度1150±10℃，热轧开轧温度1070～1100℃，终轧温度860～890℃，卷取温度735～765℃，轧制成2.5mm厚度钢带，酸洗后冷轧成0.5mm冷硬卷，然后在900～980℃退火，形成符合用户要求的高效无取向硅钢50w600，最后进行绝缘涂层，增加层间电阻，提高叠片系数；

2.根据权利要求1所述的含sn高效无取向硅钢50w600退火工艺，其特征在于，所述含sn高效无取向硅钢的质量百分比的化学成分为：c：0.0015％，si：1.47％，mn：0.85％，p：0.66％，s：0.002％，als：0.58％，sn：0.068％，n：0.0017％，o：0.0013％，ti：0.0016％，其余为fe及不可避免夹杂，质量分数共计为100％。

技术总结
本发明公开了一种含Sn高效无取向硅钢50W600退火工艺，加热温度1150±10℃，热轧开轧温度1070～1100℃，终轧温度860～890℃，卷取温度735～765℃，酸洗后冷轧成0.5mm冷硬卷，然后在900～980℃退火；其化学成分为：C：＜0.0025％，Si：1.30～2.5％，Mn：0.70～1.5％，P：＜0.07％，S：＜0.003％，Als：0.40～1.0％，Sb：0.04～0.10％，N：＜0.0020％，O：＜0.0020％，Ti：＜0.0020％，其余为Fe及不可避免夹杂。本发明采用添加Sn元素，保证在较低的退火温度下降低不利织构{111}含量。

技术研发人员：卢晓禹,董丽丽,黄利,樊立峰,王少炳,杨雄,段燕林,惠鑫,李鹏,白海瑞
受保护的技术使用者：包头钢铁（集团）有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16