一种半色调掩膜版的清洗方法与流程

文档序号:36161224发布日期:2023-11-23 09:24阅读:52来源:国知局
一种半色调掩膜版的清洗方法与流程

本发明属于掩膜版清洗领域,更具体的说涉及一种半色调掩膜版的清洗方法。


背景技术:

1、在掩膜版生产过程中,清洗是非常重要的一个环节,清洗质量和清洗结果的好坏直接决定了掩膜版能否正常出货。在掩膜版转运过程中,掩膜版表面会附着一些有机物、金属颗粒、灰等异物等等,出货之前需要把掩膜版表面的异物清洗干净。常见的去除有机物和金属颗粒的方法是使用spm(硫酸和双氧水的混合物)或者臭氧水。对于普通的掩膜版而言,使用spm进行清洗,对金属膜层的影响很小,不会影响产品质量。但是对于半色调掩膜版而言,spm会对金属膜层的透过率产生影响,而透过率是半色调掩膜版最关键的参数。使用臭氧水清洗,对透过率的影响很小,但是现有技术中,大部分掩膜版生产企业多用的是只有spm清洗功能的清洗机,不能使用臭氧水进行清洗。对于只具备spm清洗功能的清洗机而言,若想在不影响透过率的情况下完成对半色调掩膜版的清洗,有两种方法。一是对设备进行改造,增加臭氧水功能,但是这种方法成本较高,且耗时较长。二是通过调整spm的配比,从而达到清洗掩膜版的同时也不影响透过率。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半色调掩膜版的清洗方法,解决现有技术中spm对半色调掩膜版清洗时,半色调掩膜版上金属层受损的问题。

2、本发明技术方案一种半色调掩膜版的清洗方法,按照以下步骤进行清洗:

3、步骤一,使用第一混合溶液对半色调掩膜版进行清洗;

4、步骤二,使用第二混合溶液对经过步骤一清洗的半色调掩膜版进行清洗;

5、步骤三,使用超声波对经过步骤二清洗的半色调掩膜版进行清洗;

6、步骤四,使用去离子水对经过步骤三清洗的半色调掩膜版进行清洗;

7、在步骤一中,所述第一混合溶液由硫酸和双氧水按照7~8:1体积比混合获得,且清洗温度为70~90℃。

8、优选地,所述步骤二中,所述第二混合液由氨水、双氧水及去离子水按照1:1:15体积比混合获得。

9、优选地,所述步骤三中,使用超声波对半色调掩膜版进行清洗时超声波的功率测试不小于60mv。

10、优选地,所述步骤四中,去离子水的温度为70℃~100℃,清洗时间不少于8min。

11、优选地,所述去离子水的温度为100℃,清洗时间为15~20min。

12、本发明技术方案一种半色调掩膜版的清洗方法的有益效果是:通过调整硫酸与双氧水的配比和清洗温度,从而控制spm溶液对半色调掩膜版表面对半透金属膜层腐蚀,同时确保对半色调掩膜版表面残余有机物的清洗能力。



技术特征:

1.一种半色调掩膜版的清洗方法,其特征在于,按照以下步骤进行清洗:

2.根据权利要求1所述的半色调掩膜版的清洗方法,其特征在于,所述步骤二中,所述第二混合液由氨水、双氧水及去离子水按照1:1:15体积比混合获得。

3.根据权利要求1所述的半色调掩膜版的清洗方法,其特征在于,所述步骤三中,使用超声波对半色调掩膜版进行清洗时超声波的功率测试不小于60mv。

4.根据权利要求1所述的半色调掩膜版的清洗方法,其特征在于,所述步骤四中,去离子水的温度为70℃~100℃,清洗时间不少于8min。

5.根据权利要求4所述的半色调掩膜版的清洗方法,其特征在于,所述去离子水的温度为100℃,清洗时间为15~20min。


技术总结
本发明公开了一种半色调掩膜版的清洗方法,包括有步骤一,使用第一混合溶液对半色调掩膜版进行清洗;步骤二,使用第二混合溶液对经过步骤一清洗的半色调掩膜版进行清洗;步骤三,使用超声波对经过步骤二清洗的半色调掩膜版进行清洗;步骤四,使用去离子水对经过步骤三清洗的半色调掩膜版进行清洗;在步骤一中,所述第一混合溶液由硫酸和双氧水按照7~8:1体积比混合获得,且清洗温度为70~90℃;本发明技术方案的清洗方法,通过调整硫酸与双氧水的配比和清洗温度,从而控制SPM溶液对半色调掩膜版表面对半透金属膜层腐蚀,同时确保对半色调掩膜版表面残余有机物的清洗能力。

技术研发人员:张华超
受保护的技术使用者:合肥清溢光电有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/16
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