本发明涉及镀膜领域，尤其涉及一种夹具的表面镀膜方法。
背景技术：
1、半导体元件通常由夹具承载，进行一系列的加工工序。半导体元件需要在无尘环境中加工，要求每个生产环节中严格控制粉尘的数目。而夹具在制造过程中，往往需要考虑的问题是：夹具的硬度要低于半导体材料本身，目的是避免刮伤半导体产品，但此类材料的夹具表面通常容易产生碎屑，从而形成粉尘，对半导体产品造成污染，从而影响半导体元件的性能以及后续的使用。
2、因此，有必要提供一种夹具的表面镀膜方法以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种改进的夹具的表面镀膜方法，提高夹具表面的硬度的同时不对半导体元件造成损坏，而且经处理后的夹具表面光滑致密，不容易产生碎屑形成粉尘，从而保证半导体元件的性能以及后续的使用。
2、为实现上述目的，本发明的夹具的表面镀膜方法，包括以下步骤：
3、在真空腔室内，在夹具的表面进行离子束刻蚀以清洗所述夹具的表面；
4、在所述夹具的表面上溅射形成碳层；以及
5、在所述碳层上沉积形成类金刚石碳保护层。
6、与现有技术相比，本发明在真空腔室内首先通过离子束刻蚀对夹具的表面进行清洗，以便于后续的镀膜；接着依次在夹具的表面溅射沉积形成碳层以及类金刚石碳保护层，类金刚石碳保护层作为夹具的最外层，具有合适的硬度，且光滑致密，不容易破损产生碎屑形成粉尘污染，从而保证半导体元件的性能以及后续的使用；而且，碳层作为类金刚石碳保护层和夹具表面之间的过渡层，使得类金刚石碳保护层更牢固，不容易剥离。再且，本发明的方法十分简单，易操作，成本低。
7、较佳地，所述离子束刻蚀中，采用氩等离子体、氩氧混合气体、氩乙烷混合气体进行。
8、较佳地，形成所述碳层的步骤包括：控制所述真空腔室的真空度为2.4×10-2pa至2.8×10-2pa。
9、较佳地，形成所述碳层的步骤还包括：控制离子源功率为2.0-2.5kw，工件负偏压为100v-150v，开启溅射靶，溅射靶功率为1.5-2.0kw。
10、较佳地，形成所述碳层的步骤包括：控制所述碳层的沉积时间为20-25分钟，沉积速率为2.5-3.0埃/秒。
11、较佳地，形成所述类金刚石碳保护层的步骤包括：向所述真空腔室通入氩气及ch4气体，控制所述真空腔室的真空度为2×10-1pa至2.3×10-1pa。
12、较佳地，形成所述类金刚石碳保护层的步骤还包括：控制离子源功率为3.0-3.5kw，工件负偏压为150v-160v。
13、较佳地，形成所述类金刚石碳保护层的步骤还包括：控制所述类金刚石碳保护层的沉积时间为40-60分钟。
1.一种夹具的表面镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的夹具的表面镀膜方法，其特征在于，所述离子束刻蚀中，采用氩等离子体、氩氧混合气体、氩乙烷混合气体进行。
3.如权利要求1所述的夹具的表面镀膜方法，其特征在于，形成所述碳层的步骤包括：控制所述真空腔室的真空度为2.4×10-2pa至2.8×10-2pa。
4.如权利要求3所述的夹具的表面镀膜方法，其特征在于，形成所述碳层的步骤还包括：控制离子源功率为2.0-2.5kw，工件负偏压为100v-150v，开启溅射靶，溅射靶功率为1.5-2.0kw。
5.如权利要求1所述的夹具的表面镀膜方法，其特征在于，形成所述碳层的步骤包括：控制所述碳层的沉积时间为20-25分钟，沉积速率为2.5-3.0埃/秒。
6.如权利要求1所述的夹具的表面镀膜方法，其特征在于，形成所述类金刚石碳保护层的步骤包括：向所述真空腔室通入氩气及ch4气体，控制所述真空腔室的真空度为2×10-1pa至2.3×10-1pa。
7.如权利要求6所述的夹具的表面镀膜方法，其特征在于，形成所述类金刚石碳保护层的步骤还包括：控制离子源功率为3.0-3.5kw，工件负偏压为150v-160v。
8.如权利要求1所述的夹具的表面镀膜方法，其特征在于，形成所述类金刚石碳保护层的步骤还包括：控制所述类金刚石碳保护层的沉积时间为40-60分钟。