一种原子气室镀膜封装工艺

本发明属于原子气室，具体涉及一种原子气室镀膜封装工艺。

背景技术：

1、在cpt原子钟物理系统中，vcsel发出的光经过衰减片和四分之一波片与mems气室中的原子作用产生cpt信号对晶振进行纠偏，但是衰减片、四分之一波片和mems气室都是分立的元件，不仅给封装带来不便，而且成为制约cpt原子钟进一步小型化的主要因素。

技术实现思路

1、本发明针对现有cpt原子钟物理系统中，衰减片、四分之一波片和mems气室是分立的元件，不仅给封装带来不便，而且成为制约cpt原子钟进一步小型化的主要因素的问题，提供一种原子气室镀膜封装工艺，将衰减片和四分之一波片集成在mems气室上，减小了cpt原子钟的体积，使封装更加便捷，提高了cpt原子钟的集成度。

2、本发明采用如下技术方案：

3、一种原子气室镀膜封装工艺，包括如下步骤：

4、第一步，清洗原子气室；

5、第二步，使用去离子水进行冲洗，随后使用氮气进行吹干，确保在薄膜制备过程中不会引入杂质；

6、第三步，采用倾斜入射的物理气相沉积技术来制备ta2o5薄膜；

7、第四步，通过等离子体增强弧形气相沉积技术制备sio2薄膜。

8、进一步地，第一步中所述清洗原子气室，遵循rca标准，确保原子气室表面干净无杂质。

9、进一步地，第三步中所述倾斜入射的物理气相沉积技术中的倾斜角度为50°，氧气纯度超过99.99%，流量为20sccm。

10、进一步地，第四步中所述等离子体增强弧形气相沉积技术使用的功率为400w，气压为0.4pa。

11、本发明的有益效果如下：

12、通过本发明的方法，将四分之一波片、滤光片和原子气室集成在一起，与传统的分立波片相比，有利的减少了cpt原子钟的体积、提高了cpt原子钟的集成度。

技术特征：

1.一种原子气室镀膜封装工艺，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种原子气室镀膜封装工艺，其特征在于：第一步中所述清洗原子气室，遵循rca标准，确保原子气室表面干净无杂质。

3.根据权利要求1所述的一种原子气室镀膜封装工艺，其特征在于：第三步中所述倾斜入射的物理气相沉积技术中的倾斜角度为50°，氧气纯度超过99.99%，流量为20sccm。

4.根据权利要求1所述的一种原子气室镀膜封装工艺，其特征在于：第四步中所述等离子体增强弧形气相沉积技术使用的功率为400w，气压为0.4pa。

技术总结
一种原子气室镀膜封装工艺，属于原子气室技术领域，可解决现有CPT原子钟物理系统中，衰减片、四分之一波片和MEMS气室是分立的元件，不仅给封装带来不便，而且成为制约CPT原子钟进一步小型化的主要因素的问题，本发明提供一种原子气室镀膜封装工艺，将衰减片和四分之一波片集成在MEMS气室上，减小了CPT原子钟的体积，使封装更加便捷，提高了CPT原子钟的集成度。

技术研发人员：雷程,李丰超,颜陶,龙克文,史镕瑞,梁庭,熊继军,洪应平,颜天宝,何华娟
受保护的技术使用者：中北大学
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15