晶圆缓存装置及CMP设备的制作方法

本发明涉及半导体设备，特别涉及一种晶圆缓存装置及cmp设备。

背景技术：

1、在cmp（chemical mechanical planarization，化学机械抛光）工艺中，经过抛光处理的晶圆表面附着有抛光液体，需要及时对其进行清洁。若等待时间过长，抛光液体便会干燥并在晶圆表面形成污渍，从而影响晶圆的质量及成品率。因此，经过抛光处理的晶圆在进入清洗装置前通常都需缓存于盛水的容器中，以保持湿润状态。然而，缓存的晶圆在入水或出水过程中会受到液面较大的阻力，从而导致晶圆的位置发生偏移。晶圆的位置偏移后，将导致无法对其定位，并有可能造成后续取片失败。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种能够保持晶圆的位置稳定的晶圆缓存装置及cmp设备。

2、一种晶圆缓存装置，包括缓存座、升降机构及承载机构；所述缓存座形成有缓存腔，所述缓存腔用于容纳液体；所述承载机构包括用于承载晶圆的承载面，所述承载面能够在水平状态与倾斜状态之间切换；所述升降机构能够驱动所述承载机构与所述缓存座相对移动，以将承载于所述承载机构的晶圆移入或移出所述缓存腔。

3、在其中一个实施例中，所述缓存座还形成有溢流槽，所述缓存腔用于容纳液体，所述溢流槽围绕所述缓存腔的周向设置。

4、在其中一个实施例中，所述缓存座包括均一侧开口的外层壳体及内层壳体，所述内层壳体围设成所述缓存腔，所述外层壳体与所述内层壳体相嵌套，并在所述内层壳体与所述外层壳体之间形成所述溢流槽。

5、在其中一个实施例中，所述外层壳体的开口边缘的高度大于所述内层壳体的开口边缘的高度。

6、在其中一个实施例中，所述溢流槽内设置有液位传感器，所述溢流槽的底部设置有排水接头，且在所述液位传感器检测到所述溢流槽内的液面高度超过阈值时，所述排水接头开启。

7、在其中一个实施例中，所述承载机构安装于所述升降机构的驱动端，并能够在所述升降机构的带动下相对于所述缓存座升降，以将承载于所述承载机构的晶圆移入或移出所述缓存腔。

8、在其中一个实施例中，所述升降机构包括伺服电机、丝杠副及滑块，所述伺服电机与所述丝杠副传动连接，所述滑块安装于所述丝杠副的移动端，所述承载机构安装于所述滑块。

9、在其中一个实施例中，所述承载机构还包括设置于所述承载面一侧的弧形限位部，且在所述承载面由所述水平状态向所述倾斜状态切换的过程中，承载于所述承载面的晶圆能够沿所述承载面滑动至与所述弧形限位部抵接。

10、在其中一个实施例中，还包括调节机构，所述承载机构通过所述调节机构安装于所述升降机构的驱动端，所述调节机构能够带动所述承载机构摆动，以带动所述承载面在所述水平状态与所述倾斜状态之间切换。

11、在其中一个实施例中，所述调节机构包括支架、驱动件及推杆，所述承载机构安装于所述支架，所述支架绕一平行于所述承载面的转轴安装于所述升降机构的驱动端，所述驱动件固定于所述升降机构的驱动端，所述推杆与所述驱动件传动连接并与所述支架抵接，所述驱动件能够驱使所述推杆相对于所述支架伸缩，以推动所述支架绕所述转轴旋转并带动所述承载面在所述水平状态与所述倾斜状态之间切换。

12、一种cmp设备，包括如上述优选实施例中任一项所述的晶圆缓存装置。

13、上述晶圆缓存装置及cmp设备，升降机构可驱动承载机构相对于缓存座升降，以将承载机构上的晶圆移入或移出缓存腔。缓存腔能够容纳液体以形成水环境，晶圆移入缓存腔后便能够保持湿润状态。而在需要取用晶圆时，由承载机构带动晶圆移出缓存腔即可。在对晶圆进行取放时，可将承载面切换至水平状态。而在将晶圆移入或移出缓存腔的过程中，则可将承载面切换至倾斜状态，以使晶圆倾斜。此时，晶圆能够倾斜入水或出水，从而减小液面对晶圆的阻力，以防止晶圆发生位移。因此，上述晶圆缓存装置及cmp设备能够保持晶圆的位置稳定。

技术特征：

1.一种晶圆缓存装置，其特征在于，包括缓存座、升降机构及承载机构；所述缓存座形成有缓存腔，所述缓存腔用于容纳液体；所述承载机构包括用于承载晶圆的承载面，所述承载面能够在水平状态与倾斜状态之间切换；所述升降机构能够驱动所述承载机构与所述缓存座相对移动，以将承载于所述承载机构的晶圆移入或移出所述缓存腔。

2.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存座还形成有溢流槽，所述缓存腔用于容纳液体，所述溢流槽围绕所述缓存腔的周向设置。

3.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述缓存座包括均一侧开口的外层壳体及内层壳体，所述内层壳体围设成所述缓存腔，所述外层壳体与所述内层壳体相嵌套，并在所述内层壳体与所述外层壳体之间形成所述溢流槽。

4.根据权利要求3所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述外层壳体的开口边缘的高度大于所述内层壳体的开口边缘的高度。

5.根据权利要求2所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述溢流槽内设置有液位传感器，所述溢流槽的底部设置有排水接头，且在所述液位传感器检测到所述溢流槽内的液面高度超过阈值时，所述排水接头开启。

6.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述承载机构安装于所述升降机构的驱动端，并能够在所述升降机构的带动下相对于所述缓存座升降，以将承载于所述承载机构的晶圆移入或移出所述缓存腔。

7.根据权利要求6所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述升降机构包括伺服电机、丝杠副及滑块，所述伺服电机与所述丝杠副传动连接，所述滑块安装于所述丝杠副的移动端，所述承载机构安装于所述滑块。

8.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述承载机构还包括设置于所述承载面一侧的弧形限位部，且在所述承载面由所述水平状态向所述倾斜状态切换的过程中，承载于所述承载面的晶圆能够沿所述承载面滑动至与所述弧形限位部抵接。

9.根据权利要求1所述的晶圆缓存装置，其特征在于，还包括调节机构，所述承载机构通过所述调节机构安装于所述升降机构的驱动端，所述调节机构能够带动所述承载机构摆动，以带动所述承载面在所述水平状态与所述倾斜状态之间切换。

10.根据权利要求9所述的晶圆缓存装置，其特征在于，所述调节机构包括支架、驱动件及推杆，所述承载机构安装于所述支架，所述支架绕一平行于所述承载面的转轴地安装于所述升降机构的驱动端，所述驱动件固定于所述升降机构的驱动端，所述推杆与所述驱动件传动连接并与所述支架抵接，所述驱动件能够驱使所述推杆相对于所述支架伸缩，以推动所述支架绕所述转轴旋转并带动所述承载面在所述水平状态与所述倾斜状态之间切换。

11.一种cmp设备，其特征在于，包括如上述权利要求1至10任一项所述的晶圆缓存装置。

技术总结
本发明涉及一种晶圆缓存装置及CMP设备，晶圆缓存装置包括缓存座、升降机构及承载机构。缓存座形成有缓存腔，缓存腔用于容纳液体。升降机构可驱动承载机构相对于缓存座升降，以将承载机构上的晶圆移入或移出缓存腔。缓存腔能够容纳液体以形成水环境，晶圆移入缓存腔后便能够保持湿润状态。而在需要取用晶圆时，由承载机构带动晶圆移出缓存腔即可。在对晶圆进行取放时，可将承载面切换至水平状态。在将晶圆移入或移出缓存腔的过程中，则可将承载面切换至倾斜状态以使晶圆倾斜。此时，晶圆能够倾斜入水或出水，从而减小液面对晶圆的阻力，以防止晶圆发生位移。因此，上述晶圆缓存装置及CMP设备能够保持晶圆的位置稳定。

技术研发人员：吴俊逸
受保护的技术使用者：吉姆西半导体科技（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16